頭條 英偉達(dá)官宣：CUDA將全面支持RISC-V架構(gòu)！ 早在2024年10月，英偉達(dá)在RISC-V北美峰會(huì)上透露，其在2015年就選定將RISC-V選定為其專有Falcon微控制器（MCU）的繼任架構(gòu)。由于 MCU 內(nèi)核是通用的，因此可以在英偉達(dá)的產(chǎn)品中廣泛使用。根據(jù)英偉達(dá)當(dāng)時(shí)的預(yù)計(jì)，2024年英偉達(dá)將交付10億個(gè)內(nèi)置于其 GPU、CPU、SoC 和其他產(chǎn)品中的 RISC-V 處理器，這也凸顯了定制 RISC-V 內(nèi)核在英偉達(dá)硬件中的普遍性和重要性。 在此次RISC-V中國峰會(huì)上，F(xiàn)rans Sijstermanns也指出，英偉達(dá)是RVI和RISE的董事會(huì)成員和技術(shù)委員會(huì)代表，也是相關(guān)規(guī)范的貢獻(xiàn)者。英偉達(dá)產(chǎn)品中的微控制器都是基于RISC-V架構(gòu)，具有可配置、可擴(kuò)展和安全保護(hù)功能，并且也被集成在30多個(gè)IP中，每年出貨量超過10億個(gè)RISC-V MCU。 最新資訊 高通推出新款物聯(lián)網(wǎng) Wi-Fi 芯片 QCC730 高通推出新款物聯(lián)網(wǎng) Wi-Fi 芯片 QCC730：功耗降低 88%，集成 Matter 發(fā)表于：4/9/2024 Imagination 推出 RISC-V 處理器 APXM-6200 Imagination 推出 RISC-V 處理器 APXM-6200：性能比 Cortex-A53 高 65% 發(fā)表于：4/9/2024 恩智浦發(fā)布S32 CoreRide開放平臺(tái) 恩智浦發(fā)布S32 CoreRide開放平臺(tái)，突破軟件定義汽車開發(fā)的集成障礙 發(fā)表于：4/9/2024 海能達(dá)突遭美國禁令：對(duì)講機(jī)被全球禁售！ 海能達(dá)突遭美國禁令 對(duì)講機(jī)被全球禁售！官方回應(yīng) 發(fā)表于：4/8/2024 英偉達(dá)將投資2億美元在印尼投資建AI中心 英偉達(dá)將投資2億美元在印尼投資建AI中心 發(fā)表于：4/7/2024 英特爾發(fā)布XeSS 1.3 SDK，宣稱將大幅提升游戲FPS幀數(shù)表現(xiàn) 英特爾發(fā)布 XeSS 1.3 SDK，宣稱將大幅提升游戲 FPS 幀數(shù)表現(xiàn) 發(fā)表于：4/7/2024 微軟和Quantinum宣布在量子計(jì)算領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)重大突破 微軟和Quantinum宣布在量子計(jì)算領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)重大突破 發(fā)表于：4/7/2024 三星S25全系放棄使用效能較差的Exynos 據(jù)媒體報(bào)道，由于 Exynos 效能始終和高通有差距，三星將繼續(xù)采用雙處理器策略，高通驍龍?zhí)幚砥魅詫⒃?S25 系列上出現(xiàn)。 此前有報(bào)道稱， Galaxy S25 系列將全系采用自研 Exynos 處理器。 為此三星還專門成立團(tuán)隊(duì)來優(yōu)化 Exynos，通過采用三星第二代 3nm 制程技術(shù)打造，并希望通過 S25 新機(jī)展現(xiàn)成果。 發(fā)表于：4/7/2024 谷泰微榮獲2024中國IC設(shè)計(jì)成就獎(jiǎng)之極具投資價(jià)值IC設(shè)計(jì)企業(yè)獎(jiǎng) 3月29日，由知名媒體ASPENCORE主辦的“中國IC設(shè)計(jì)成就獎(jiǎng)”（2024 CHINA IC DESIGN AWARDS）頒獎(jiǎng)典禮在上海舉辦。江蘇谷泰微電子有限公司憑借在模擬芯片及信號(hào)鏈芯片領(lǐng)域的出色表現(xiàn)，榮獲2024年度中國IC設(shè)計(jì)成就獎(jiǎng)之“極具投資價(jià)值IC設(shè)計(jì)企業(yè)獎(jiǎng)”！ 發(fā)表于：4/1/2024 可重構(gòu)晶體管登場(chǎng)，可用于構(gòu)建有編程功能的芯片電路 來自奧地利維也納工業(yè)大學(xué)的科研團(tuán)隊(duì)近日開發(fā)出新型晶體管技術(shù) -- 可重構(gòu)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（RFET），可用于構(gòu)建具有可隨時(shí)編程功能的電路。 一顆 CPU 固然擁有數(shù)十億個(gè)晶體管，但通常情況下是為執(zhí)行一種特定功能而制造的。 傳統(tǒng)的晶體管開發(fā)和生產(chǎn)過程中有一道 " 化學(xué)摻雜 " 的步驟，就是為純的本質(zhì)半導(dǎo)體引入雜質(zhì)，從而改變電氣屬性的過程。摻雜過程決定了電流的流動(dòng)方向，一旦晶體管被制造出來就無法改變。 RFET 則是靜電摻雜取代了化學(xué)摻雜，這是一種不會(huì)永久改變半導(dǎo)體材料化學(xué)結(jié)構(gòu)的新方法。 發(fā)表于：4/1/2024 ?…181182183184185186187188189190…?
