頭條 英偉達官宣：CUDA將全面支持RISC-V架構(gòu)！ 早在2024年10月，英偉達在RISC-V北美峰會上透露，其在2015年就選定將RISC-V選定為其專有Falcon微控制器（MCU）的繼任架構(gòu)。由于 MCU 內(nèi)核是通用的，因此可以在英偉達的產(chǎn)品中廣泛使用。根據(jù)英偉達當時的預計，2024年英偉達將交付10億個內(nèi)置于其 GPU、CPU、SoC 和其他產(chǎn)品中的 RISC-V 處理器，這也凸顯了定制 RISC-V 內(nèi)核在英偉達硬件中的普遍性和重要性。 在此次RISC-V中國峰會上，F(xiàn)rans Sijstermanns也指出，英偉達是RVI和RISE的董事會成員和技術(shù)委員會代表，也是相關(guān)規(guī)范的貢獻者。英偉達產(chǎn)品中的微控制器都是基于RISC-V架構(gòu)，具有可配置、可擴展和安全保護功能，并且也被集成在30多個IP中，每年出貨量超過10億個RISC-V MCU。 最新資訊 江蘇科技大學研制出55~130微米的晶硅太陽能電池 2 月 5 日消息，江蘇科技大學、隆基綠能科技股份有限公司、澳大利亞科廷大學三方合作，在國際上首次制造出高柔韌性、高功率重量比的晶硅異質(zhì)結(jié)太陽能電池。研究人員表示，他們研發(fā)的晶硅電池比 A4 紙還薄，可以彎曲成一個卷，而且比薄膜電池更薄，比傳統(tǒng)晶硅電池更高效。 相關(guān)研究成果已于 1 月 31 日以 "Flexible Silicon Solar Cells with High Power-to-Weight Ratios" 為題發(fā)表在國際頂級期刊《Nature》上（ DOI: 10.1038 / s41586-023-06948-y）。 發(fā)表于：2/6/2024 圖森未來發(fā)送24臺GPU被美國緊急攔截 2月6日消息，據(jù)國外媒體報道稱，中國自動駕駛卡車公司“圖森未來”向澳大利亞（不屬于該AI芯片“禁止出口”的國家名單）發(fā)送24臺A100 GPU被美國攔截引起了很多的關(guān)注。 按照美國的說法，擔憂這些高性能GPU可能會被轉(zhuǎn)售到中國，進一步推進中國在其他重要領(lǐng)域的自主技術(shù)發(fā)展。 報道中提到，雖然“圖森未來”對此向相關(guān)方進行了解釋和說明，但依然沒有獲得放行。 事實上，自2022年10月，美國就開始限制了英偉達A100/H100等高性能計算芯片的對華出口。 發(fā)表于：2/6/2024 中國加大研發(fā)解決汽車芯片“軟肋” 據(jù)《日本經(jīng)濟新聞》5日報道，目前中國汽車芯片的國產(chǎn)率僅一成左右，因此中國計劃在10年內(nèi)加大企業(yè)研發(fā)力度，形成國產(chǎn)替代進口的態(tài)勢，構(gòu)建不受美國出口管制影響的國內(nèi)供應鏈。 報道稱，在中國從世界銷量最大的“汽車大國”成為世界領(lǐng)先的“汽車強國”的背景下，芯片成為了中國汽車行業(yè)發(fā)展的“軟肋”。 發(fā)表于：2/6/2024 意法半導體超低功耗STM32MCU上新，讓便攜產(chǎn)品輕松擁有驚艷圖效 意法半導體推出了集成新的專用圖形加速器的STM32*微控制器(MCU)，讓成本敏感的小型產(chǎn)品也能為用戶帶來更好的圖形體驗。超低功耗MCU STM32U5F9/G9和STM32U5F7/G7集成3MB片上動態(tài)存儲器(SRAM)，可以為圖形顯示屏提供多個幀緩存區(qū)，以節(jié)省外部存儲芯片。新產(chǎn)品還集成了意法半導體的NeoChromVG圖形處理器(GPU)，能夠?qū)崿F(xiàn)的圖形效果可與更昂貴的高端微處理器相媲美。 發(fā)表于：2/5/2024 德國默克稱DSA自組裝技術(shù)十年內(nèi)商用 德國默克公司高級副總裁 Anand Nambier 近日在新聞發(fā)布會上稱，未來十年 DSA 自組裝技術(shù)將實現(xiàn)商用化，可減少昂貴的 EUV 圖案化次數(shù)，成為現(xiàn)有光刻技術(shù)的重要補充。 DSA 全稱為 Directed self-assembly，其利用嵌段共聚物的表面特征實現(xiàn)周期性圖案的自動構(gòu)造，在此基礎(chǔ)上加以誘導，最終形成方向可控的所需圖案。一般認為，DSA 不適合作為一項獨立的圖案化技術(shù)使用，而是與其他圖案化技術(shù)（如傳統(tǒng)光刻）結(jié)合來生產(chǎn)高精度半導體。 發(fā)表于：2/5/2024 三星將發(fā)布超高速32Gb DDR5內(nèi)存芯片 據(jù)報道，三星將在即將到來的 2024 年 IEEE 國際固態(tài)電路峰會上推出多款尖端內(nèi)存產(chǎn)品。 消息稱三星將發(fā)布超高速 32Gb DDR5 內(nèi)存芯片，容量翻倍且更省電 發(fā)表于：2/5/2024 長鑫存儲準備自己造HBM內(nèi)存 據(jù)媒體報道，中國領(lǐng)先的存儲企業(yè)長鑫存儲 ( CXMT ) 已經(jīng)開始準備必要設(shè)備，計劃制造自己的 HBM 高帶寬內(nèi)存，以滿足迫切的 AI、HPC 應用需求。 發(fā)表于：2/5/2024 SK海力士宣布2026年量產(chǎn)HBM4 據(jù)媒體報道，SK海力士表示，生成式AI市場預計將以每年35%的速度增長，而SK海力士有望在2026年大規(guī)模生產(chǎn)下一代HBM4。 據(jù)了解，HBM類產(chǎn)品前后經(jīng)過了HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）的開發(fā)，其中HBM3E是HBM3的擴展（Extended）版本，而HBM4將是第六代產(chǎn)品。 發(fā)表于：2/5/2024 華為全年研發(fā)投入1621億元 華為全年研發(fā)投入1621億元！中國第一 世界第五 發(fā)表于：2/5/2024 聯(lián)發(fā)科將以更實惠的價格為三星提供芯片 傳聞聯(lián)發(fā)科將以更實惠的價格為三星提供芯片，但旗艦系列不大可能采用天璣9400 發(fā)表于：2/5/2024 ?…197198199200201202203204205206…?
