全球功率半導體和管理方案領導廠商– 國際整流器公司(International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列采用TSOP-6封裝、搭載IR最新低壓HEXFET MOSFET硅技術的器件，適用于電池保護與逆變器開關中的負載開關、充電和放電開關等低功率應用。
全新的功率MOSFET具備極低的導通電阻(RDS(on))，能夠大幅降低傳導損耗。新產(chǎn)品可以作為N及P通道配置里的20V或30V器件，最大柵極驅動從12Vgs到20Vgs不等。
IR 亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“采用TSOP-6封裝的IR全新功率MOSFET系列，與采用SOT-23和SO-8封裝的現(xiàn)有器件相輔相成，為客戶設計系統(tǒng)提供了更大的靈活性。這個平臺擁有極低的導通電阻，因而這些新器件能夠取代封裝尺寸較大的MOSFET，有助于減少電路板面積和系統(tǒng)成本。”
所有新器件均達到第一級潮濕敏感度(MSL1) 業(yè)界標準，并符合電子產(chǎn)品有害物質管制規(guī)定(RoHS)，不含鉛、溴化物和鹵素。
產(chǎn)品規(guī)格
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器件編號 (- TRPbF) |
BVDSS |
VGS最大值 |
25ºC時的最大Id |
典型/最大導通電阻(mΩ) |
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10V |
4.5V |
2.5V |
||||
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IRFTS9342 |
-30V |
20V |
5.9A |
31/39 |
53/66 |
NA |
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IRLTS2242 |
-20V |
12V |
6.9A |
N/A |
26/32 |
45/55 |
|
IRLTS6342 |
30V |
12V |
7.8A |
12/20 |
15/24 |
|
|
IRFTS8342 |
30V |
20V |
8.2A |
15/19 |
22/29 |
N/A |
新器件正接受批量訂單。相關數(shù)據(jù)及MOSFET產(chǎn)品選型工具，請瀏覽IR的網(wǎng)站www.irf.com。
商標
IR®和HEXFET®是國際整流器公司(International Rectifier Corporation) 的注冊商標。文中所提及其它產(chǎn)品名稱均為對應持有人所有的商標。
- 完-
IR簡介
國際整流器公司(簡稱IR，紐約證交所代號IRF) 是全球功率半導體和管理方案領導廠商。IR 的模擬及混合信號集成電路、先進電路器件、集成功率系統(tǒng)和器件廣泛應用于驅動高性能計算設備及降低電機的能耗(電機是全球最大耗能設備) ，是眾多國際知名廠商開發(fā)下一代計算機、節(jié)能電器、照明設備、汽車、衛(wèi)星系統(tǒng)、宇航及國防系統(tǒng)的電源管理基準。
IR 成立于1947 年，總部設在美國洛杉磯，在二十個國家設有辦事處。IR 全球網(wǎng)站：www.irf.com，中國網(wǎng)站：www.irf.com.cn。