針對 DRAM 廠明年獲利分析，集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部門 DRAMeXchange 指出，明年 DRAM 均價較今年下跌約30%。然而隨著制程轉進、成本下降， DRAM 廠營業(yè)利益率(OP Margin)成本優(yōu)勢最佳者，今年營業(yè)利益率平均為36%，明年平均為26%；而成本優(yōu)勢落后者，今年下半年轉虧為營，明年營業(yè)利益率約可維持在10%上下。

    DRAMeXchange 表示，今年下半年 DRAM 產業(yè)制程加速4xnm轉進，產出增加將帶動價格下跌，然而價格下跌將刺激 DRAM 搭載量趨勢往4GB以上，預估DRAM均價于今年第四季向下修正。此外，面對三星(Samsung)擴大資本支出，產能增加及技術轉進，其它DRAM廠也積極強化其競爭力。

    DRAMeXchange指出，策略規(guī)劃與未來發(fā)展的方向分析方面，海力士(Hynix)將2010年資本支出調高近1/3達26億美元，加速44nm制程及 NAND Flash 3xnm之技術轉進。美光(Micron)陣營方面，在50nm轉進同時加速42nm制程研發(fā)，預計于Q310開始投片量產。臺灣廠商南科與華亞科計畫二度調高資本支出，加速浸潤式機臺采購進度與美光同步42nm制程技轉。

    日本爾必達(Elpida)陣營則今年提升在廣島廠移動內存投片比重，將標準型 DRAM 生產重心移往臺灣瑞晶；目前瑞晶已正式量產63nm制程，42nm制程預計七月正式投片。力晶則規(guī)劃加強代工與 NAND Flash 的比例，未來朝標準型 DRAM 、代工業(yè)務與NAND Flash三大事業(yè)體多元化發(fā)展。

    華邦則決定淡出標準型DRAM，業(yè)務發(fā)展優(yōu)先級依次為NOR Flash、繪圖內存、行動內存，同時在取得奇夢達46nm技術，自行再研發(fā)生產46nm。茂德則是出售新竹二廠，集中資源于中科廠，積極導入爾必達63nm制程技術。

    三星于5月中旬宣布今年內存事業(yè)群將投資金額由原先的5.5兆韓元(約48億美元)，加碼到9兆韓元(約78億美元)，并將興建20萬片的12寸晶圓廠Line 16、17，生產DRAM與NAND Flash，投片計劃則視當時市場而定。

    估計三星新廠房、無塵室興建及設備移入時間約需一年，最快明年第三季可投片生產，產出則在明年第四季，今年下半年將擴充現有Line-15的產能并開始轉進35納米DDR3。該公司今年也將在System LSI業(yè)務方面投資約2兆韓元(17億美元)，以因應手機與數字電視等產品對系統(tǒng)級芯片(SoC)的強勁需求，同時強化晶圓代工業(yè)務。

    三星今年大幅提升其資本支出，使三星占整體DRAM產業(yè)資本支出比例由往年約25%大幅提升至41%，主要加重研發(fā)及廠房設備投資，全部臺系DRAM廠資本支出今年約占整體產業(yè)34%。

    今年第一季三星DRAM方面的營收約30億美元，市占率達32%，在資本支出增加、產能擴充及技術轉進下，預估三星DRAM營收市占率在今年下半年將突破35%，2011年將突破40%。