全國人大代表、湖南省經(jīng)濟和信息化委員會主任謝超英在接受《中國電子報》記者專訪時說，他向大會提出加快IGBT(絕緣柵雙極晶體管)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的建議，建議國家高度重視IGBT產(chǎn)業(yè)發(fā)展，支持國內(nèi)優(yōu)勢企業(yè)開展以IGBT為代表的功率芯片及其器件的研究開發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。”

　　IGBT應用需求巨大

　　謝超英向《中國電子報》記者介紹說，IGBT是一種復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件，為世界公認的電力電子第三次技術革命的代表性產(chǎn)品，具有高頻率、高電壓、大電流，易于開關等優(yōu)良性能，被業(yè)界譽為功率變流裝置的“CPU”。

　 　近年來，隨著國民經(jīng)濟的快速發(fā)展，功率半導體技術已經(jīng)日益廣泛地應用于日常消費品、工業(yè)制造、電力輸配、交通運輸、航空航天、可再生能源及軍工等重點領 域，只要涉及到用電的各種場合，就離不開以功率半導體為核心的電力電子技術的應用?！澳壳埃袊鞘澜缟献畲蟮墓β拾雽w器件消費國，但作為產(chǎn)業(yè)鏈高端的 功率芯片則全部依賴進口，這勢必影響國民經(jīng)濟的安全、可持續(xù)發(fā)展。因此，建議國家高度重視IGBT產(chǎn)業(yè)發(fā)展，支持國內(nèi)優(yōu)勢企業(yè)開展以IGBT為代表的功率 芯片及其器件的研究開發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。”

　 　謝超英對《中國電子報》記者說，我國IGBT技術取得一定突破，應用需求巨大。IGBT芯片技術方面，中國南車建成全球第二條、國內(nèi)首條8英寸IGBT 芯片專業(yè)生產(chǎn)線，具備年產(chǎn)12萬片芯片、并配套形成年產(chǎn)100萬只IGBT模塊的自動化封裝測試能力，芯片與模塊電壓范圍實現(xiàn)從650V到6500V的全 覆蓋。去年成功實現(xiàn)首批8英寸1700V IGBT芯片下線，8英寸3300V芯片已完成試制與測試，6500V芯片也已研發(fā)出合格樣品。IGBT模塊技術方面，封裝IGBT模塊所用芯片大多由英 飛凌、ABB等國外公司提供，只有極少量的芯片由國內(nèi)生產(chǎn)，國產(chǎn)IGBT芯片年產(chǎn)值不到1億元。但我國卻是全球最大的功率半導體消費市場，占全球市場的 40%以上，未來一段時期仍將保持15%以上的速度增長，市場潛力巨大。其中，我國IGBT消費市場目前約80億元的規(guī)模(全球市場約300億元)，到 2020年可能達到300億元的規(guī)模。

　　在謝超英看來，我國IGBT產(chǎn)業(yè)發(fā)展制約因素較多，亟待突破。一是沒有形成創(chuàng)新體系，二是缺乏完整的生產(chǎn)線，三是配套產(chǎn)業(yè)薄弱，關鍵材料的國產(chǎn)化已成為我國IGBT產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展的一大制約因素。

　　出臺扶持政策加快IGBT產(chǎn)業(yè)化

　 　謝超英說，IGBT作為電能變換的關鍵部件，是現(xiàn)代科學、工業(yè)和國防的重要核心技術，以IGBT為代表的功率半導體是電力電子產(chǎn)品的基礎。為盡快改變目 前我國在產(chǎn)業(yè)鏈高端的功率半導體芯片基本依賴進口的局面，他建議國家出臺扶持政策，依托國內(nèi)優(yōu)勢企業(yè)，通過示范和引導，大力推進我國IGBT產(chǎn)業(yè)化并形成 規(guī)模優(yōu)勢。

　 　一是設立國家重大科技專項支持IGBT技術研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。建議設置功率半導體重大專項，支持IGBT等功率器件技術升級與產(chǎn)業(yè)拓展。探索IGBT研發(fā)與 產(chǎn)業(yè)化的“后補助”政策，通過“事前申報、事后認定”的方式對以企業(yè)為主的IGBT科技創(chuàng)新主體給予經(jīng)費補助，積極推進IGBT技術的持續(xù)創(chuàng)新，加速科技 成果產(chǎn)業(yè)化。

　 　二是成立產(chǎn)業(yè)發(fā)展專項基金鼓勵IGBT應用推廣。由工信部牽頭成立IGBT產(chǎn)業(yè)發(fā)展專項基金，鼓勵與支持國產(chǎn)IGBT器件的進口替代及應用推廣，以器件 應用拉動我國IGBT產(chǎn)業(yè)化進程。同時，對軌道交通、新能源、電動汽車、家電等IGBT主要應用領域提供政策性補貼，通過政府采購、節(jié)能工程、示范工程等 政策，加快推動國產(chǎn)IGBT應用的多點突破、加強器件、系統(tǒng)、裝置與應用全產(chǎn)業(yè)鏈的合作。

　 　三是建設國家級創(chuàng)新平臺培育IGBT產(chǎn)業(yè)集群。建議以中國南車在湖南省建設的國內(nèi)首條8英寸IGBT生產(chǎn)線為基礎，建設功率半導體國家級科技創(chuàng)新平臺， 引領行業(yè)技術、標準發(fā)展。同時，依托中國南車等優(yōu)勢企業(yè)建立IGBT芯片基地和IGBT應用產(chǎn)業(yè)基地，匯聚功率器件上下游產(chǎn)業(yè)，形成國內(nèi)首個國產(chǎn)IGBT 千億產(chǎn)業(yè)基地，示范和引領產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

　　四是出臺稅收等政策支持IGBT國產(chǎn)化。對于成熟的國產(chǎn)IGBT制造企業(yè)的持續(xù)性投入予以項目資金支持，減免銷售收入增值稅，同時逐步提高進口IGBT的關稅，減輕國產(chǎn)IGBT的市場價格競爭壓力，促進我國IGBT產(chǎn)業(yè)的健康發(fā)展。