物聯(lián)網(wǎng)(IoT)由數(shù)十億“物”連接到互聯(lián)網(wǎng)，其中每一物都必須被供電，因此如何降低整體功耗變得非常關(guān)鍵。

安森美半導體中國區(qū)應用工程總監(jiān) 吳志民

    第六級能效標準需要新的開關(guān)控制器

    一般來說，物聯(lián)網(wǎng)的電源來源于電池或AC-DC轉(zhuǎn)換。對于AC-DC轉(zhuǎn)換，監(jiān)管機構(gòu)強制實行日益嚴格的能效和空載功耗要求，如美國能源部第六級(DoE level VI)能效標準。半導體廠商需推出新的開關(guān)控制器以符合最新能效標準。安森美半導體推出了NCP1340/1新一代準諧振開關(guān)控制器，具有X2電容放電能力，開關(guān)電壓谷底鎖定達第六谷底和轉(zhuǎn)換至頻率折返模式以降低開關(guān)損耗。該新的IC使我們客戶的設(shè)計能輕易滿足美國能源部最新的第六級(DoE level VI)標準。

    氮化鎵產(chǎn)品更適用于高端電源

    氮化鎵（GaN）目前逐漸被采用，有高壓600 V或650 V常斷型GaN晶體管，可提供比硅MOSFET更低的導通和開關(guān)損耗。由于GaN器件的價格仍比硅MOSFET高，所以被采用于需要超高能效或功率密度的高端電源。

    電動汽車為電池管理帶來新的機遇

    在電動車內(nèi)部有大量的半導體成分。其中，最高的價值來自驅(qū)動電機逆變電路的功率半導體模塊。相信電動車接替?zhèn)鹘y(tǒng)車輛還需要一段時間。采用48 V總線的輕度混合動力車正日漸普及，除了驅(qū)動帶式起動發(fā)電機（BSG）的中壓（如80 V）功率模塊，48 V/12 V雙向DC-DC轉(zhuǎn)換器給安森美半導體帶來許多中壓MOSFET商機。

    除了早前推出的新一代AC-DC開關(guān)控制器NCP1340/1，安森美半導體將推出一系列高壓（達80 V）、高電流（達15 A）的同步整流開關(guān)穩(wěn)壓器，適用于電信和工業(yè)應用。另外，在功率分立器件方面，2017年將推出第三代超結(jié)MOSFET和碳化硅(SiC) MOSFET系列。