臺積電推進先進制程馬不停蹄，7納米將接續(xù)10納米于明年下半年大量產(chǎn)出，搶得技術領先之優(yōu)勢。合作伙伴IP廠商新思科技宣布成功完成臺積公司7納米FinFET制程IP組合的投片。

新思科技昨日宣布針對臺積電公司7納米制程技術，已成功完成DesignWare基礎及介面PHY IP組合的投片，其中包括邏輯庫、嵌入式存儲器、嵌入式測試及修復、USB 3.1/2.0、USB-C 3.1/DisplayPort 1.4、DDR4/3、MIPI D-PHY、PCI Express 4.0/3.1、乙太網(wǎng)絡及SATA 6G。

其他DesignWare IP，包括LPDDR4x、HBM2 和MIPI M-PHY，預計于2017年完成投片。

與16FF+制程相比，臺積電公司7納米制程能讓設計人員降低功耗達60%或提升35%的效能。藉由提供針對臺積公司最新7納米制程的IP組合，新思科技協(xié)助設計人員達到行動、車用及高效能運算應用在功耗及效能上的要求。

上市時程方面，用于臺積電公司7納米制程的DesignWare基礎及介面IP組合已經(jīng)上市;STAR存儲器系統(tǒng)解決方案已可用于所有臺積公司制程技術。

本月11日，Xilinx(賽靈思)、ARM(安謀國際)、Cadence Design Systems、以及臺積電共同宣布，聯(lián)手打造全球首款加速器專屬快取互連一致性測試芯片(Cache Coherent Interconnect for Accelerators, CCIX)，采用臺積公司的7納米FiNFET制程技術，將于2018年正式量產(chǎn)。

該測試芯片旨在提供概念驗證的硅芯片，展現(xiàn)CCIX的各項功能，證明多核心高效能Arm CPU能透過互連架構和芯片外的FPGA加速器同步運作。

此測試芯片預計于2018年第1季初投片，量產(chǎn)芯片預訂于2018下半年開始出貨。