該產(chǎn)線(xiàn) / 工廠(chǎng)已經(jīng)在 2018 年 2 月動(dòng)工，2019 年下半年開(kāi)始測(cè)試晶圓生產(chǎn)，首批產(chǎn)品今年一季度向客戶(hù)交付。目前，V1 已經(jīng)投入 7nm 和 6nm EUV 移動(dòng)芯片的生產(chǎn)工作，未來(lái)最高可代工 3nm 工藝產(chǎn)品。

　　根據(jù)三星安排，在 2020 年底前，V1 產(chǎn)線(xiàn)的總投入將達(dá) 60 億美元，7nm 以下先進(jìn)工藝的總產(chǎn)能將是 2019 年的 3 倍。三星制造業(yè)務(wù)總裁 ES Jung 博士稱(chēng)，V1 產(chǎn)線(xiàn)將和 S3 產(chǎn)線(xiàn)一道，幫助公司拓展客戶(hù)，響應(yīng)市場(chǎng)需求。

　　現(xiàn)在三星在全球已有 6 家晶圓廠(chǎng)，包括 1 家 8 英寸，5 家 12 英寸。此前，三星電子曾表示，計(jì)劃到 2030 年將投資 133 萬(wàn)億韓元升級(jí)半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。

　　根據(jù)計(jì)劃，133 萬(wàn)億韓元的投資中有 73 萬(wàn)億韓元是技術(shù)研發(fā)費(fèi)用，60 萬(wàn)億韓元是建設(shè)晶圓廠(chǎng)基礎(chǔ)設(shè)施，預(yù)計(jì)會(huì)創(chuàng)造 1.5 萬(wàn)個(gè)就業(yè)機(jī)會(huì)，而三星的目標(biāo)是在 2030 年時(shí)不僅保持存儲(chǔ)芯片的領(lǐng)先，還要在邏輯芯片成為領(lǐng)導(dǎo)者。