型冠狀病毒疫情的影響下，已有部份晶圓代工廠調(diào)降對(duì) 2020 年市場成長性的預(yù)估，不過為把握 5G、AI、車用與物聯(lián)網(wǎng)帶來的新興需求，晶圓代工廠仍持續(xù)進(jìn)行必要性的制程轉(zhuǎn)移與產(chǎn)品規(guī)劃。

　　28nm 需求復(fù)蘇時(shí)間或延后，新興產(chǎn)品支撐力道目前無損

　　28nm 節(jié)點(diǎn)由于過去產(chǎn)能規(guī)劃量大與產(chǎn)品轉(zhuǎn)進(jìn)先進(jìn)制程，目前市場呈現(xiàn)供過于求情形，加上中國晶圓代工廠為提升芯片自給率仍持續(xù)擴(kuò)建自有 28nm 產(chǎn)能，使得目前 28nm 節(jié)點(diǎn)的平均稼動(dòng)率僅約 70～75%，相較其他制程節(jié)點(diǎn)低。

　　除了陸系廠商既有的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃外，包括臺(tái)積電、聯(lián)電等一線廠商對(duì)于 28nm 制程稼動(dòng)率的復(fù)甦時(shí)程仍保守看待。

　　然而，自 2019 年底開始，受惠于 OLED 驅(qū)動(dòng) IC、高畫素 CMOS Sensor 的 ISP(Image Signal Processor)、部份網(wǎng)通 RF IC 與物聯(lián)網(wǎng)芯片逐步轉(zhuǎn)進(jìn) 28nm，可望為該節(jié)點(diǎn)稼動(dòng)率提供穩(wěn)定且長期的支撐力道。

　　在制程優(yōu)化方面，臺(tái)積電與聯(lián)電推出的 22nm 制程，以超低功耗與超低漏電率的特點(diǎn)適合廣泛使用在穿戴式裝置與物聯(lián)網(wǎng)相關(guān)應(yīng)用，目前陸續(xù)有產(chǎn)品完成制程開發(fā)并進(jìn)入驗(yàn)證階段，部份客戶也在 2020 年進(jìn)行投片規(guī)劃，未來有望為提升 28nm 稼動(dòng)率增添動(dòng)能。

　　雖然新型冠狀病毒的影響為終端制造與市場需求增添不確定性，或?qū)⑹沟迷绢A(yù)期提升 28nm 稼動(dòng)率的時(shí)間點(diǎn)延后，不過基本上新興產(chǎn)品對(duì) 22/28nm 制程的采用度相對(duì)較重要，即便未來市場需求走勢(shì)減緩，也不致影響上述產(chǎn)品對(duì) 28nm 節(jié)點(diǎn)的支撐力道，仍有機(jī)會(huì)在 2020 年實(shí)現(xiàn)提升 28nm 稼動(dòng)率目標(biāo)。

　　化合物半導(dǎo)體 GaN 在 8 寸晶圓的發(fā)展備受矚目

　　分析 8 寸晶圓成熟制程產(chǎn)品，除產(chǎn)能吃緊需持續(xù)關(guān)注外，化合物半導(dǎo)體氮化稼(GaN)元件在 8 寸晶圓上的發(fā)展也備受矚目。

　　化合物半導(dǎo)體在 5G、電動(dòng)車與高速充電等應(yīng)用興起后重要性大幅提升，吸引眾多廠商投入開發(fā)，不過受限材料具有不同的熱膨脹系數(shù)(CTE)，目前量產(chǎn)品多以 6 寸晶圓制作。

　　然而，為因應(yīng)日后 GaN 在多方應(yīng)用領(lǐng)域的元件需求，并提升 GaN-on-Silicon 取代 Silicon 功率元件的成本競爭力，發(fā)展 8 寸晶圓的 GaN 產(chǎn)品仍有其必要性。

　　此外，發(fā)展 8 寸 GaN 晶圓技術(shù)，也有利于現(xiàn)行以 12 寸與 8 寸晶圓為生產(chǎn)主力的晶圓代工廠商，包括 2020 年 2 月 20 日臺(tái)積電與 STMicroelectronics 宣布合作加速 GaN 功率產(chǎn)品開發(fā)與量產(chǎn)，以及世界先進(jìn)在 2019 年第四季法說會(huì)上提到的 8 寸 GaN 晶圓計(jì)劃。

　　因此，即便 IDM 掌握較多 GaN 的相關(guān)技術(shù)，但考量到降低量產(chǎn)成本和提高整合度需求，與晶圓代工廠合作不失為雙贏選項(xiàng)，加上針對(duì)客制化元件開發(fā)，對(duì)晶圓代工廠商的依賴度將提升，助益晶圓代工廠商在成熟制程節(jié)點(diǎn)的產(chǎn)品需求。