4月13日消息，長江存儲今日在官網宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片X2-6070研發(fā)成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產品上通過驗證。
長江存儲表示，X2-6070是業(yè)內首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存，擁有業(yè)內已知型號產品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。此次同時發(fā)布的還有128層512Gb TLC（3 bit/cell）規(guī)格閃存芯片X2-9060，以滿足不同應用場景的需求。
據了解，每顆X2-6070 QLC閃存芯片共提供1.33Tb的存儲容量。而在I/O讀寫性能方面，X2-6070及X2-9060均可在1.2V Vccq電壓下實現1.6Gbps（Gigabits/s千兆位/秒）的數據傳輸速率。
長江存儲表示，公司用短短3年時間實現了從32層到64層再到128層的跨越。
另據財聯社報道，預計2020年底-2021年中旬陸續(xù)量產，目標達到月產能10萬片；供應鏈消息透露，這款閃存已送樣。
本站內容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外，轉載內容只為傳遞更多信息，并不代表本網站贊同其觀點。轉載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權歸版權所有權人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內容無法一一聯系確認版權者。如涉及作品內容、版權和其它問題，請及時通過電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當措施，避免給雙方造成不必要的經濟損失。聯系電話：010-82306118；郵箱：aet@chinaaet.com。