1月12日，山東天岳先進科技股份有限公司（簡稱“天岳先進”）在上交所科創(chuàng)板正式上市，發(fā)行價格為82．79元／股。

天岳先進成立于2010年，是一家國內(nèi)領先的寬禁帶半導體（第三代半導體）襯底材料制造商，主營業(yè)務是碳化硅襯底材料的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。目前，公司主要產(chǎn)品包括半絕緣型和導電型碳化硅襯底，可應用于微波電子、電力電子等領域。經(jīng)過十余年的技術發(fā)展，公司已掌握涵蓋了設備設計、熱場設計、粉料合成、晶體生長、襯底加工等環(huán)節(jié)的核心技術，自主研發(fā)了不同尺寸半絕緣型及導電型碳化硅襯底制備技術。

截至2021年6月末，公司擁有授權專利332項，其中境內(nèi)發(fā)明專利86項，境外發(fā)明專利3項。通過數(shù)千次的研發(fā)及工程化試驗，公司核心技術不斷創(chuàng)新，所制產(chǎn)品已達到國內(nèi)領先、國際先進水平。公司已同時具備半絕緣型碳化硅襯底材料和導電型碳化硅襯底材料的研發(fā)技術產(chǎn)業(yè)化能力。根據(jù)Yole統(tǒng)計，2019年及2020年，公司已躋身半絕緣型碳化硅襯底市場的世界前三。

天岳先進是我國第三代半導體材料碳化硅的龍頭企業(yè)，目前能夠供應2英寸－6英寸的單晶襯底。在半絕緣型SiC襯底領域，天岳先進產(chǎn)品電阻率已實現(xiàn)108Ω·cm以上，電學性能達到較高水平，已批量且穩(wěn)定地供應給通信行業(yè)領先企業(yè)，用于其新一代信息通信射頻器件的制造。

據(jù)悉，天岳先進在上海臨港新片區(qū)建設碳化硅襯底生產(chǎn)基地，滿足不斷擴大的碳化硅半導體襯底材料的需求。該項目建設期為6年，自2020年10月開始前期準備，計劃于2022年試生產(chǎn)，預計2026年100％達產(chǎn)。公司的“碳化硅半導體材料項目”已被上海市發(fā)改委列入《2021年上海市重大建設項目清單》。為實現(xiàn)產(chǎn)能擴張，正在募資建立25億元項目。

當前國際上正從6英寸向8英寸邁進，而國內(nèi)企業(yè)逐步掌握碳化硅襯底的制備技術，在導電型襯底已經(jīng)實現(xiàn)4英寸襯底商業(yè)化，逐步向6英寸發(fā)展，疊加缺芯影響，國內(nèi)也同樣出現(xiàn)碳化硅襯底產(chǎn)能供不應求的狀況。

“雙碳”政策下，第三代半導體材料的需求增加。其中新能源汽車持續(xù)發(fā)展，特別是800V高電壓平臺的熱門搭載，碳化硅襯底資源將成為功率器件的重要所需。

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