2 月 19 日消息，據(jù)韓媒 SEDaily 現(xiàn)場(chǎng)采訪報(bào)道，三星電子 DS 部門(mén)首席技術(shù)官 Song Jai-hyuk 美國(guó)加州舊金山當(dāng)?shù)貢r(shí)間 17 日在 IEEE ISSCC 2025 國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議全體會(huì)議上表示，首款針對(duì)設(shè)備端 AI 應(yīng)用優(yōu)化的 LPW DRAM 內(nèi)存產(chǎn)品將于 2028 年發(fā)布。

LPW 是 LPDDR Wide-IO 的簡(jiǎn)稱(chēng)，顧名思義其是一種類(lèi)似 LPDDR 但具有更高 I/O 位寬的移動(dòng)端內(nèi)存產(chǎn)品，其在引入更多 I/O 通道的同時(shí)降低每個(gè)通道的數(shù)據(jù)傳輸速率，以實(shí)現(xiàn)高帶寬低功耗的目標(biāo)。

此外，LPW DRAM 在結(jié)構(gòu)上改變了多層 DRAM 堆棧的組合方式：其將采用結(jié)合 RDL（注：重布線層）的垂直引線鍵合取代目前的傳統(tǒng)引線鍵合，實(shí)現(xiàn)更小的封裝尺寸和更優(yōu)秀的能效表現(xiàn)。

三星電子宣稱(chēng)，LPW DRAM 的帶寬可達(dá) 200GB/s 以上，較現(xiàn)有的 LPDDR5x 提升 166%；同時(shí)其功耗降至 1.9 pJ / bit，比 LPDDR5x 低 54%。