7 月 23 日消息，美光美國愛達(dá)荷州博伊西當(dāng)?shù)貢r間 22 日宣布推出擁有在耐輻射 SLC NAND 領(lǐng)域最高 256Gb 容量的閃存。這不僅是美光首款獲得正式且完整太空認(rèn)證的 NAND，也是首款由主要存儲器制造商提供的同規(guī)格產(chǎn)品。

隨著發(fā)射任務(wù)的不斷增長，太空經(jīng)濟(jì)正在飛速發(fā)展，而通用計(jì)算與 AI 的創(chuàng)新又對在軌數(shù)據(jù)處理提出了更高需求。適用于太空環(huán)境的閃存可為在軌計(jì)算提供堅(jiān)實(shí)數(shù)據(jù)存儲保障。

美光此次推出的耐輻射 256Gb SLC NAND 通過了一系列嚴(yán)苛測試，包括以下內(nèi)容：

擴(kuò)展的質(zhì)量和性能測試，按照 NASA 的 PEM-INST-001 二級流程對組件進(jìn)行為期一年的篩選，測試內(nèi)容包括極端溫度循環(huán)、缺陷檢查、590 小時動態(tài)老化；

針對總電離劑量的輻射表征測試，根據(jù)美國軍方標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-883 TM1019 condition D 評估產(chǎn)品在軌正常運(yùn)行期間累計(jì)可吸收伽馬輻射劑量，數(shù)據(jù)可用于確認(rèn)適用的任務(wù)生命周期。

針對單粒子事件效應(yīng)的輻射表征測試，依照 JEDEC JESD57 和美國材料與試驗(yàn)協(xié)會 (ASTM) 的 F1192 標(biāo)準(zhǔn)評估高能粒子對半導(dǎo)體的影響，驗(yàn)證組件是否可在惡劣輻射環(huán)境中安全可靠運(yùn)行。