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傳三星12層堆疊HBM3E已通過英偉達(dá)認(rèn)證

2025-08-13
來源:芯智訊
關(guān)鍵詞: 三星 HBM 英偉達(dá) 內(nèi)存

8月12日消息,據(jù)韓國媒體“Alpha經(jīng)濟(jì)”獨(dú)家報(bào)導(dǎo),人工智能(AI)芯片大廠英偉達(dá)(NVIDIA)近期與三星電子已達(dá)成協(xié)議,將供應(yīng)12層堆疊的HBM3E內(nèi)存。

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報(bào)道稱,根據(jù)協(xié)議內(nèi)容,英偉達(dá)分批從三星電子獲得約3萬至5萬顆12層HBM3E 內(nèi)存。據(jù)悉,三星供應(yīng)的12層堆疊HBM3E 內(nèi)存將全部用于水冷服務(wù)器。

對此,三星電子回應(yīng)稱“無法確認(rèn)”。

不過,三星電子此前一直被傳HBM3E獲得英偉達(dá)驗(yàn)證,但是多此被證偽。今年6月,三星電子似乎仍未能通過第3次英偉達(dá)12層HBM3E 的認(rèn)證,第4次認(rèn)證時(shí)間傳出是在9月。

三星電子近期正積極壓低HBM3E 的生產(chǎn)成本,以爭取英偉達(dá)下單。三星電子表示,“考察下半年一般型DRAM價(jià)格的上漲趨勢,預(yù)期HBM3E 與一般型DRAM 之間的利潤差距會(huì)快速縮小。”


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