EDA與制造相關文章 2nm半導體大戰(zhàn)打響！三星2nm時間表公布 據媒體報道，三星計劃明年在韓國開始2nm工藝的制造，并且在2047年之前，三星將在韓國投資500萬億韓元，建立一個巨型半導體工廠，將進行2nm制造。 據悉，2nm工藝被視為下一代半導體制程的關鍵性突破，它能夠為芯片提供更高的性能和更低的功耗。 作為三星最大的競爭對手，臺積電在去年研討會上就披露了2nm芯片的早期細節(jié)，臺積電的2nm芯片將采用N2平臺，引入GAAFET納米片晶體管架構和背部供電技術。 發(fā)表于：2/5/2024 3nm爭奪戰(zhàn)：傳三星良率0% 臺積電卻已大賺211億 據韓媒報道，三星 3nm 工藝存在重大問題，試產芯片均存在缺陷，良品率 0%。報道還指出，由于 3nm 工藝的 Exynos 2500 芯片因缺陷未能通過質量測試，導致后續(xù) Galaxy Watch 7 的芯片組也無法量產。 當三星的 3nm 工藝還被困于良率難自解時，臺積電的 3nm 工藝已經可以養(yǎng)家了。臺積電方面表示，2023 年第四季度的營收得益于 3nm 工藝產量的持續(xù)強勁增長。 在 3nm 先進制程工藝上，三星暫時做不到遙遙領先。 發(fā)表于：2/5/2024 華為公開“半導體裝置以及半導體裝置的制作方法”專利 華為公開“半導體裝置以及半導體裝置的制作方法”專利 發(fā)表于：2/5/2024 蘋果已完成70萬公里自動駕駛汽車測試 蘋果的神秘汽車項目已經悄悄進行了六年，外界對其進展幾乎一無所知。不過，最近蘋果向加州一家機構提交的記錄揭示了自動駕駛項目的最新動態(tài)。 數據顯示， 2023年，蘋果在公共道路上的自動駕駛測試里程約72萬公里，幾乎較2022年增加了三倍，比2021年更是增加了30多倍。 發(fā)表于：2/5/2024 ASML：High-NA EUV光刻仍是未來最經濟選擇 ASML 首席財務官 Roger Dassen 近日接受了荷蘭當地媒體 Bits&Chips 的采訪。在采訪中，Dassen 回應了分析機構 SemiAnalysis 的質疑，表示 High-NA（高數值孔徑）EUV（極紫外光）光刻機仍是未來最經濟的選擇。 發(fā)表于：2/4/2024 1c納米內存競爭：三星計劃增加EUV使用，美光將引入鉬、釕材料 根據韓媒 The Elec 的報道，DRAM 內存巨頭三星和美光均將在下一個內存世代，也就是 1c nm 工藝引入更多新技術。 IT 之家注：1c nm 世代即第六個 10+ nm 世代，美光也稱之為 1 γ nm 工藝。目前最先進的內存為 1b nm 世代，三星稱其 1b nm 為 12nm 級工藝。 分析機構 TechInsights 高級副總裁 Choi Jeong-dong 在近日的一場研討會上表示，美光將在 1c nm 節(jié)點率先引入鉬（Mo，讀音 m ù）和釕（Ru，讀音 li ǎ o）。這兩種金屬將作為布線材料，被用于內存的字線和位線中。 鉬和釕的電阻相較于現(xiàn)在應用的鎢（W）更低，可進一步壓縮 DRAM 線寬。不過釕也存在自身的問題：其在工藝中會反應生成有毒的四氧化釕（RuO4），為維護工作帶來新的麻煩。Choi Jeong-dong 認為，三星和 SK 海力士將稍晚一至兩個世代引入這兩種金屬。 發(fā)表于：2/4/2024 三星 3nm GAA 工藝試產失敗 根據韓媒 DealSite+ 報道，三星的 3nm GAA 生產工藝存在問題，嘗試生產適用于 Galaxy S25 / S25+ 手機的 Exynos 2500 芯片，均存在缺陷，良品率 0%。 發(fā)表于：2/4/2024 美加企業(yè)合作開發(fā)移動核電廠 2月1日消息，據媒體報道，美國西屋公司（Westinghouse）和加拿大Prodigy公司正在合作開發(fā)基于西屋5000千瓦熱管微堆eVinci的移動核電廠。 據了解，兩家公司自2019年以來一直在合作評估eVinci的部署模式。在2019—2020年一家跨國礦業(yè)公司資助的研究中，Prodigy評估是否能將eVinci部署到海岸設施中，用于為偏遠的礦山供電。 Prodigy公司專注于將商用小型模塊堆集成到海上電廠系統(tǒng)，用于沿海發(fā)電，與陸上相比，海上建造小型模塊堆電站具有成本更低和工期更短的優(yōu)勢。 發(fā)表于：2/1/2024 OpenAI加速造芯：奧特曼赴韓與三星SK談合作 OpenAI加速造芯：奧特曼赴韓與三星SK談合作，此前已會見英特爾、臺積電 發(fā)表于：2/1/2024 美國半導體大廠將10億美元制造業(yè)務從中國撤出 據國外媒體報道稱，美國知名半導體大廠泰瑞達去年從中國撤出了價值大約10億美元的制造業(yè)務，而這對他們來說是一個艱難的決定。 蘇州工廠是泰瑞達半導體測試設備的主要生產基地，在截至去年10月1日的三個月中，中國市場占泰瑞達營收的12%，低于上年同期的16%。 發(fā)表于：1/31/2024 藍箭航天回應“爆炸傳聞”：正常試驗 僅3人擦傷 1 月 30 日消息，據國內媒體報道，昨日晚間，有網友稱上海市松江區(qū)發(fā)生爆炸，是藍箭航天試驗所致。 1 月 30 日，藍箭航天向媒體證實了這一說法，藍箭航天表示，" 這是正常試驗，并無網上流傳爆炸的說法 "。 藍箭航天介紹，1 月 29 日 19 點 30 分，800 所（上海航天精密機械研究所）在室外低溫試驗工位開展了商業(yè)航天貯箱低溫靜力爆破試驗。 發(fā)表于：1/31/2024 使用SEMulator3D進行虛擬工藝故障排除和研究 在 3D NAND 存儲器件的制造中，有一個關鍵工藝模塊涉及在存儲單元中形成金屬柵極和字線。這個工藝首先需要在基板上沉積數百層二氧化硅和氮化硅交替堆疊層。其次，在堆疊層上以最小圖形間隔來圖形化和刻蝕存儲孔陣列。此時，每層氮化硅（即將成為字線）的外表變得像一片瑞士奶酪。在這些工藝步驟中，很難實現(xiàn)側壁剖面控制，因為刻蝕工藝中深寬比較高，且存儲單元孔需要極大的深度。因此，刻蝕工藝中可能會出現(xiàn)彎折、扭曲等偏差。從堆疊層頂部到底部，存儲單元孔直徑和孔間隔可存在最高25%的偏差。 發(fā)表于：1/30/2024 我國首款嵌套式霍爾推力器成功點火運行 據中國航天科技集團六院上?？臻g推進研究所消息，近日，該所研制的 50 千瓦級雙環(huán)嵌套式霍爾推力器成功實現(xiàn)點火和穩(wěn)定運行，試驗驗證了推力器內、外環(huán)單環(huán)點火和雙環(huán)同時點火能力。 據介紹，這是國內首款 50 千瓦級雙環(huán)嵌套式霍爾推力器，其成功點火運行標志著我國成為世界上第三個實現(xiàn)嵌套式霍爾電推進技術突破的國家。 發(fā)表于：1/30/2024 我國自研AES100渦軸發(fā)動機完成整機結冰適航試驗 據中國航空發(fā)動機集團(中國航發(fā))官方披露，作為我國自主研制的先進民用渦軸發(fā)動機，AES100已經圓滿完成整機結冰適航試驗。 這標志著，該發(fā)動機適航技術取得重要突破，填補了國內空白。 發(fā)表于：1/30/2024 2023 年中國鋰電池出口額再創(chuàng)新高 中國化學與物理電源行業(yè)協(xié)會發(fā)布統(tǒng)計稱，2023 年 1-12 月我國鋰離子電池累積出口額為 650.07 億美元，2022 年同期為 508.76 億美元，同比增長 27.8%，創(chuàng)下新高 發(fā)表于：1/30/2024 ?…132133134135136137138139140141…?
