頭條 “網(wǎng)絡(luò)安全”再次成為眾多兩會(huì)代表提案的關(guān)鍵詞 今年的兩會(huì)已落下帷幕，“沒有網(wǎng)絡(luò)安全就沒有國家安全”，“網(wǎng)絡(luò)安全”再次成為眾多代表委員提案和議案中的關(guān)鍵詞。隨著網(wǎng)絡(luò)的飛速發(fā)展，網(wǎng)絡(luò)信息安全問題已對(duì)國家、社會(huì)及個(gè)人造成巨大威脅。 下面就一起看看對(duì)于解決所面臨的網(wǎng)絡(luò)安全問題，代表委員們都有哪些好的建議。 最新資訊 不止于選材：淺談新能源汽車PCB應(yīng)對(duì)高壓和毫米波雷達(dá)挑戰(zhàn) 隨著智能汽車的快速發(fā)展，市場(chǎng)規(guī)模不斷擴(kuò)大。預(yù)計(jì)到2025年，全球智能汽車市場(chǎng)規(guī)模將占汽車市場(chǎng)的35%左右。得益于國內(nèi)對(duì)新能源汽車政策的支持和消費(fèi)者接受度的提高，國內(nèi)新能源智能化汽車處于快速發(fā)展階段。 隨著汽車電子電氣架構(gòu)（EEA）的加速演變，各新能源智能汽車車企紛紛推出自主研發(fā)的電動(dòng)汽車電氣架構(gòu)，作為架構(gòu)核心的域控制器更是進(jìn)入了飛速發(fā)展階段。 發(fā)表于：4/2/2025 中國首款自研高性能RISC-V服務(wù)器芯片發(fā)布 4月1日消息，據(jù)“深圳前海”公眾號(hào)，日前，睿思芯科推出新一代高性能靈羽處理器，這是中國首款全自研高性能RISC-V服務(wù)器芯片，在算力、能效和接口配置等方面均達(dá)到國際主流水平，滿足高性能計(jì)算、全閃存儲(chǔ)與DeepSeek等開源大語言模型的應(yīng)用場(chǎng)景。 靈羽處理器基于睿思芯科全自研CPU核心IP與片上網(wǎng)絡(luò)IP，實(shí)現(xiàn)先進(jìn)亂序執(zhí)行、高速數(shù)據(jù)通路與Mesh互聯(lián)結(jié)構(gòu)。 其計(jì)算性能已比肩Intel、AMD等國際主流型號(hào)的服務(wù)器芯片。 發(fā)表于：4/2/2025 傳Arm與高通競(jìng)購SerDes巨頭 傳Arm與高通競(jìng)購SerDes巨頭，后者股價(jià)暴漲21%！ 發(fā)表于：4/2/2025 英特爾18A先進(jìn)制程已進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)階段 4 月 2 日消息，英特爾高級(jí)副總裁、英特爾代工部門負(fù)責(zé)人 Kevin O'Buckley 在英特爾 Vision 2025 活動(dòng)上宣布，根據(jù)已向客戶交付的硬件，英特爾代工目前最為先進(jìn)的 Intel 18A 邏輯制程已進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)（IT之家注：Risk Production）階段。 發(fā)表于：4/2/2025 日本芯片制造商Rapidus計(jì)劃2025財(cái)年內(nèi)發(fā)布2nm制程PDK 4 月 1 日消息，日本芯片制造商 Rapidus 今日表示，該企業(yè)計(jì)劃在本月內(nèi)基于已安裝的前端設(shè)備啟動(dòng)中試線，實(shí)現(xiàn) EUV 機(jī)臺(tái)的啟用并繼續(xù)引入其它設(shè)備，推進(jìn) 2nm GAA 先進(jìn)制程技術(shù)的開發(fā)。 發(fā)表于：4/2/2025 意法半導(dǎo)體推出完整的低壓高功率電機(jī)控制參考設(shè)計(jì) 2025 年 4 月 2 日，中國——意法半導(dǎo)體的 EVLSERVO1伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)器參考設(shè)計(jì)是一個(gè)尺寸緊湊的大功率電機(jī)控制解決方案，為設(shè)計(jì)人員探索創(chuàng)新、開發(fā)應(yīng)用和設(shè)計(jì)產(chǎn)品原型提供了一個(gè)完整的無縫銜接的開發(fā)平臺(tái)。 發(fā)表于：4/2/2025 臺(tái)積電美國廠全部量產(chǎn)后營收占比將達(dá)三分之一 4月1日消息，據(jù)英國《金融時(shí)報(bào)》報(bào)道，根據(jù)分析師的估算，晶圓代工大廠臺(tái)積電在美國亞利桑那州的所有晶圓廠完工后，僅會(huì)占該公司2030年代初總營收的約三分之一，遠(yuǎn)低于其中國臺(tái)灣晶圓廠的營收占比。 發(fā)表于：4/2/2025 意法半導(dǎo)體與英諾賽科簽署氮化鎵技術(shù)開發(fā)與制造協(xié)議 2025年4月1日，中國蘇州 — 服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 （STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM）與8英寸高性能低成本硅基氮化鎵（GaN-on-Si）制造全球領(lǐng)軍企業(yè)英諾賽科（香港聯(lián)合交易所股票代碼:02577.HK），共同宣布簽署了一項(xiàng)氮化鎵技術(shù)開發(fā)與制造協(xié)議 發(fā)表于：4/2/2025 業(yè)界預(yù)計(jì)臺(tái)積電將在2027年開始1.4nm工藝的風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn) 4月2日消息，如今的臺(tái)積電，真是把新的制程工藝變得似乎易如反掌！ 早在今年初，就有報(bào)道陳，臺(tái)積電2nm工藝試產(chǎn)進(jìn)度遠(yuǎn)超預(yù)期，樂觀預(yù)計(jì)位于新竹寶山、高雄的兩座旗艦級(jí)工廠可在年底每月產(chǎn)出8萬塊晶圓。 發(fā)表于：4/2/2025 定制化HBM需求明年將顯著增長 兩大技術(shù)路線受矚目 4月1日消息，為了滿足更高頻寬、更大容量、更高效率的需求，定制化高帶寬內(nèi)存（HBM）正逐步成為市場(chǎng)焦點(diǎn)，預(yù)計(jì)至2026年，隨著HBM4的推出，定制化HBM市場(chǎng)將迎來顯著增長。目前英偉達(dá)（NVIDIA）、亞馬遜、微軟、博通及Marvell等主要IT業(yè)者正積極推動(dòng)HBM的定制化發(fā)展。 發(fā)表于：4/2/2025 ?…33343536373839404142…?
