頭條 AMD慶祝賽靈思成立40周年 40 年前，賽靈思（Xilinx）推出了一種革命性的設(shè)備，讓工程師可以在辦公桌上使用邏輯編程。 賽靈思開(kāi)發(fā)的現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列（FPGA）使工程師能夠?qū)⒕哂凶远x邏輯的比特流下載到臺(tái)式編程器中立即運(yùn)行，而無(wú)需等待數(shù)周才能從晶圓廠返回芯片。如果出現(xiàn)錯(cuò)誤或問(wèn)題，設(shè)備可以在那里重新編程。 最新資訊 大聯(lián)大控股通過(guò)汽車電子標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證的Richtek RTQ7880 QT產(chǎn)品特性 2018年10月25日，致力于亞太地區(qū)市場(chǎng)的領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下詮鼎力推立锜科技（Richtek）通過(guò)汽車電子標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證的USB Type-C PD 和PWM Buck-Boost控制器解決方案。 發(fā)表于：10/27/2018 “氮化物半導(dǎo)體新結(jié)構(gòu)材料研究”將作為重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃 氮化物是氮與電負(fù)性比它小的元素形成的二元化合物。由過(guò)渡元素和氮直接化合生成的氮化物又稱金屬型氮化物。它們屬于 “間充化合物”，因氮原子占據(jù)著金屬晶格中的間隙位置而得名。這種化合物在外觀、硬度和導(dǎo)電性方面似金屬，一般都是硬度大、熔點(diǎn)高、 化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，并有導(dǎo)電性。鈦、釩、鋯、鉭等的氮化物堅(jiān)硬難熔，具有耐化學(xué)腐蝕、耐高溫等特 點(diǎn)。例如，TiN熔點(diǎn)為2 930～2 950℃，是熱和電的良導(dǎo)體，低溫下有超導(dǎo)性，是制造噴氣發(fā)動(dòng)機(jī)的材料。ZrN在低溫有超導(dǎo)性，現(xiàn)用作反應(yīng)堆材料。 發(fā)表于：10/27/2018 英偉達(dá)、美光產(chǎn)品反應(yīng)一般，高端顯卡有待提高 包括英偉達(dá) Nvidia 和美光在內(nèi)的主要芯片股周二 (23 日) 因半導(dǎo)體行業(yè)看跌情緒而受到目標(biāo)價(jià)格的下調(diào)。 發(fā)表于：10/27/2018 地平線攜手全志科技 打造嵌入式人工智能一站式解決方案 2018年10月23日－26日，中國(guó)國(guó)際社會(huì)公共安全產(chǎn)品博覽會(huì)在中國(guó)國(guó)際展覽中心新館舉行。安博會(huì)期間，地平線與全志科技宣布達(dá)成戰(zhàn)略合作。雙方還在安博會(huì)上聯(lián)合推出了面向行業(yè)應(yīng)用開(kāi)發(fā)的集成了AI芯片與算法的嵌入式視覺(jué)人工智能一站式解決方案。該解決方案基于雙方共同推出的旭日X1600系列智能識(shí)別模組。 發(fā)表于：10/27/2018 TSMC與新思科技合作為T(mén)SMC WoW和CoWoS封裝技術(shù)提供設(shè)計(jì)流程 新思科技Design Platform支持TSMC WoW直接堆疊和CoWoS技術(shù)。 解決方案包括多裸晶芯片和中介層（Interposer）的版圖實(shí)現(xiàn)、寄生參數(shù)提取和時(shí)序分析以及物理驗(yàn)證。 發(fā)表于：10/27/2018 臺(tái)積電張忠謀：半導(dǎo)體要全靠未來(lái)的努力才能維持領(lǐng)先 據(jù)臺(tái)媒報(bào)道，臺(tái)積電創(chuàng)辦人張忠謀23日接受電臺(tái)專訪時(shí)表示，對(duì)于退休生活“很習(xí)慣”，但并不是完全退休，因?yàn)樵趯?xiě)自傳下冊(cè)，第一個(gè)篇章是在德州儀器任職時(shí)的25年，之后就是寫(xiě)臺(tái)灣生涯。談到臺(tái)灣地區(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)往后的發(fā)展，張忠謀認(rèn)為“完全要靠未來(lái)的努力”，才能維持領(lǐng)先地位。 發(fā)表于：10/26/2018 投行接連看空 美半導(dǎo)體板塊風(fēng)光不再 美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)巨頭AMD（超威半導(dǎo)體）25日發(fā)布的三季度財(cái)報(bào)顯示，AMD三季度營(yíng)收和四季度指引均遜于市場(chǎng)預(yù)期。截至當(dāng)日早間美股收盤(pán)，AMD大跌9.17%至22.79美元，與9月13日所創(chuàng)年內(nèi)高點(diǎn)34.14美元相比已跌去33.25%，進(jìn)入技術(shù)性熊市。 發(fā)表于：10/26/2018 LG Innotek總裁：中國(guó)熱電半導(dǎo)體的市場(chǎng)潛力巨大 10月25日，韓國(guó)LG集團(tuán)下屬尖端材料和元件制造商 LG Innotek首次于中國(guó)舉辦論壇，展示最新的熱電半導(dǎo)體技術(shù)，以此正式拓展中國(guó)市場(chǎng)。 發(fā)表于：10/26/2018 臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)年增速或超過(guò)5% 臺(tái)灣工業(yè)研究部門(mén)10月24日發(fā)布研究報(bào)告稱，受惠領(lǐng)先廠商先進(jìn)制程技術(shù)優(yōu)異以及產(chǎn)品訂單升溫等，臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值今年有望達(dá)2.7兆元新臺(tái)幣(約合人民幣6000億元)，年增5%以上。 發(fā)表于：10/26/2018 MIT 的研究人員利用石墨烯，制備各種非硅半導(dǎo)體材料 砷化鎵、氮化鎵以及氟化鋰等材料的性能勝過(guò)硅材料，但是目前用它們制備功能器件，成本仍十分高昂。而現(xiàn)在，MIT 的研究人員開(kāi)發(fā)了一種新技術(shù)，可制備多種超薄的非硅半導(dǎo)體薄膜，比如砷化鎵、氮化鎵以及氟化鋰柔性薄膜。研究人員表示，利用該技術(shù)，可制備任意半導(dǎo)體元素組合的柔性電子器件，并且成本低。 發(fā)表于：10/26/2018 ?…62636465666768697071…?
