高性能開(kāi)關(guān)電流存儲(chǔ)單元的設(shè)計(jì)及應(yīng)用
所屬分類(lèi)：技術(shù)論文
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文檔介紹：對(duì)第一代開(kāi)關(guān)電流存儲(chǔ)單元產(chǎn)生的時(shí)鐘饋通誤差做了合理的近似分析，設(shè)計(jì)了一種高性能開(kāi)關(guān)電流存儲(chǔ)單元。該電路僅在原存儲(chǔ)單元的基礎(chǔ)上增加了一個(gè)MOS管，使誤差降為原來(lái)的4%，是同類(lèi)研究中最簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)。用它構(gòu)造的雙線性積分器性能良好，可作為濾波器Σ-Δ調(diào)制器等系統(tǒng)的基本模塊。
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