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微波射頻相關(guān)文章

充分利用MAXQ處理器的非易失存儲服務(wù)

需要非易失數(shù)據(jù)存儲的應(yīng)用通常都需要使用外部串行EEPROM。這篇文章介紹了僅使用MAXQ微控制器中已有的閃存提供非易失數(shù)據(jù)存儲的方法。

發(fā)表于：5/31/2011

基于PON技術(shù)的OTDR法測試方案[圖]

自首次部署無源光網(wǎng)絡(luò)(PON)以來，人們已經(jīng)設(shè)計出很多種測試方法來對這些網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行驗(yàn)證和故障診斷。

發(fā)表于：5/31/2011

高密度光纖鏈路在數(shù)據(jù)中心的布線設(shè)計

如今的數(shù)據(jù)中心的設(shè)備將被組織并分成各個不同的功能區(qū)域：服務(wù)器區(qū)、存儲設(shè)備區(qū)、中心交換機(jī)區(qū)、路由器和高性能的集群計算機(jī)區(qū)。這種有序的安排，對于服務(wù)要求的增長、電源及冷卻系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)化設(shè)計會有稍微的幫助。

發(fā)表于：5/31/2011

恩智浦NextPower MOSFET以行業(yè)最低RDS (on) 全面提升效率

中國上海，2011年5月27日 —— 恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V. (NASDAQ：NXPI) 今日宣布，其采用LFPAK封裝的NextPower系列25V和30V MOSFET將有15款新產(chǎn)品開始供貨。這些恩智浦功率MOSFET家族的最新成員在六個關(guān)鍵參數(shù)方面找到了最佳平衡點(diǎn)，并且具有行業(yè)最低的RDS (on) （25V和30V均為亞1 mΩ級），是高性能、高可靠性開關(guān)應(yīng)用的理想之選。傳統(tǒng)方法主要著眼于降低RDS (on) 和Qg，而恩智浦NextPower則采用超結(jié)技術(shù)來優(yōu)化低RDS (on)、低Qoss、低Qg(tot) 與Qgd之間的平衡，從而實(shí)現(xiàn)強(qiáng)大的開關(guān)性能，減少漏極輸出與源極引腳之間的損耗，同時提供卓越的SOA性能。此外，恩智浦LFPAK作為最堅固的 Power-SO8封裝，尺寸緊湊，面積僅為5mm x 6mm，可在惡劣環(huán)境下提供出色的功率開關(guān)功能。

發(fā)表于：5/30/2011

英飛凌推出市場領(lǐng)先的集成快速體二極管的650V CoolMOS? CFD2產(chǎn)品

近日，英飛凌的最新一代高壓CoolMOS?MOSFET取得了又一項創(chuàng)新，設(shè)立了能效的新標(biāo)準(zhǔn)。在德國紐倫堡舉辦的 PCIM Europe 2011展會（5月17日至19日）上，英飛凌展出了全新推出的650V CoolMOS?CFD2，它是世界上第一款漏源擊穿電壓為650V并且集成了快速體二極管的高壓晶體管。這個新的CFD2器件延續(xù)了600V CFD產(chǎn)品的優(yōu)點(diǎn)，不僅可以提高能效，而且具備更軟的交換功能，從而降低了電磁干擾（EMI），提升產(chǎn)品的競爭優(yōu)勢。

發(fā)表于：5/30/2011

今年DRAM模組市場預(yù)計增長11% DDR3仍占優(yōu)勢

IHSiSuppli公司的研究顯示，擺脫最嚴(yán)重的衰退階段之后，DRAM模組廠商在全球經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇日益增強(qiáng)如魚得水，DRAM芯片與模組價格堅挺。盡管去年許多產(chǎn)業(yè)連續(xù)受到?jīng)_擊，但DRAM模組出貨量并未停止增長。尤其是，消費(fèi)者更加愿意更換舊PC或者升級現(xiàn)有型號，促進(jìn)了DRAM模組市場的增長。

發(fā)表于：5/30/2011

利用MEMS制作微型攜帶用燃料電池組件

本文介紹利用MEMS技術(shù)制作閥、改質(zhì)器、噴射器等微型燃料電池組件，以及微型燃料電池的發(fā)展動向。

發(fā)表于：5/28/2011

音頻/視頻開關(guān)MAX9670/MAX9671特性/應(yīng)用/數(shù)據(jù)資料

MAX9670/MAX9671雙路SCART矩陣開關(guān)能夠在I2C控制下實(shí)現(xiàn)機(jī)頂盒解碼芯片和兩個外部SCART控制器之間的音頻、視頻信號切換。

發(fā)表于：5/28/2011

電壓開關(guān)中的常見挑戰(zhàn)及解決方案

設(shè)計自動化的測試系統(tǒng)開關(guān)需要搞清楚要開關(guān)信號和要執(zhí)行測試的特點(diǎn)。例如，在測試應(yīng)用中承受開關(guān)電壓信號的最合適的開關(guān)卡和技術(shù)取決于其涉及電壓的幅值和阻抗。

發(fā)表于：5/28/2011

光纖傳感器結(jié)構(gòu)原理及分類

以電為基礎(chǔ)的傳統(tǒng)傳感器是一種把測量的狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)榭蓽y的電信號的裝置。它的電源、敏感元件、信號接收和處理系統(tǒng)以及信息傳輸均用金屬導(dǎo)線連接。

發(fā)表于：5/28/2011

Diodes推出操作運(yùn)行溫度低于大型封裝器件的超小型MOSFET

Diodes公司推出一系列采用超小型DFN1006-3封裝的高性能MOSFET產(chǎn)品線。該封裝僅占用0.6平方毫米的PCB面積，較同類SOT723 封裝器件節(jié)省一半以上的占板空間，其結(jié)點(diǎn)至環(huán)境熱阻(ROJA) 為256ºC/W，在連續(xù)條件下功耗高達(dá)1.3W，而同類產(chǎn)品的功耗則多出一倍。

發(fā)表于：5/27/2011

線性光耦器件IL300-F-X009原理及其應(yīng)用

介紹在采集交流永磁同步電機(jī)母線電流時，為防止外界的各種干擾，必須將霍爾傳感器測量系統(tǒng)和DSP數(shù)字微處理器進(jìn)行電氣隔離。為了能更精確地傳送模擬信號，進(jìn)行電壓檢測，用線性光耦(IL300-F-X009)隔離是最好的選擇。線性光耦輸出信號隨輸入信號變化而成比例變化，它為模擬信號傳輸過程中，隔離電路的簡單化、高精度化帶來了方便。

發(fā)表于：5/27/2011

NAND Flash需求急凍模組廠瀕臨警戒線

全球NANDFlash市場需求在5月進(jìn)入冰河期，不僅快閃記憶卡和隨身碟應(yīng)用需求大幅降溫，甚至傳出平板電腦及智慧型手機(jī)大廠亦出現(xiàn)砍單情況，記憶體零售和系統(tǒng)端需求明顯降溫，市場五窮六絕跡象顯現(xiàn)，使得記憶體模組廠營收恐再次探底，部分廠商傳出力守2月營收低點(diǎn)的警戒線。

發(fā)表于：5/26/2011

基于DDR NAND閃存的高性能嵌入式接口設(shè)計

隨著Android手持多媒體電子消費(fèi)產(chǎn)品的風(fēng)行，高畫質(zhì)監(jiān)控系統(tǒng)的普及，1080P全高清支持已成為各種多媒體設(shè)備未來占領(lǐng)市場的必備武器，目前許多產(chǎn)品對1080P實(shí)時解碼已突破并實(shí)現(xiàn)，但在1080P實(shí)時編碼方面還是寥寥無幾，其中一個重要因素是帶寬太大，當(dāng)今流行的嵌入式存儲設(shè)備NAND Flash已以達(dá)到要求。在此情況下，存儲器生產(chǎn)商開發(fā)出新一代閃存設(shè)備DDR NAND。

發(fā)表于：5/26/2011

基于虛擬儀器的壓力傳感器仿真系統(tǒng)

傳感器虛擬實(shí)驗(yàn)室能夠復(fù)現(xiàn)實(shí)驗(yàn)內(nèi)容，對實(shí)現(xiàn)過程的細(xì)節(jié)放大，加深實(shí)驗(yàn)的感受，為實(shí)驗(yàn)者提供大量的實(shí)驗(yàn)機(jī)會，并且通過計算機(jī)的廣博，對傳感器的各方面起到系統(tǒng)的便捷的學(xué)習(xí)。同時，發(fā)展虛擬實(shí)驗(yàn)室，能夠節(jié)約大量資金和物力，減少器件的損壞，并且能夠不斷更新，利用現(xiàn)有的豐富的計算機(jī)資源，進(jìn)行學(xué)習(xí)、設(shè)計和仿真。目前，在國內(nèi)還沒有傳感器虛擬實(shí)驗(yàn)室，而傳感器實(shí)驗(yàn)是各類專業(yè)非常重要的基礎(chǔ)課程，因此它的建立是有很重要得意義。

發(fā)表于：5/26/2011