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DRAM漲價效應(yīng)難再現(xiàn)　供給大增考驗價格承受力

近2年DRAM價格的高點都出現(xiàn)在上半年，下半年雖然有傳統(tǒng)旺季的加持，但DRAM價格反而都是一路走下坡的趨勢，除了是全球經(jīng)濟局勢變量太多，各廠力拼制程微縮，拼命轉(zhuǎn)進新制程以增加產(chǎn)出，也是因素之一；目前各界認為，2010年上半1顆DDR3單價3美元的時光已難再現(xiàn)，因為隨著50奈米制程量產(chǎn)，每顆芯片成本降到1美元，未來DRAM產(chǎn)業(yè)不會有暴利，只有合理的利潤空間。

發(fā)表于：8/5/2010

英飛凌推出具備180A額定電流和不足1毫歐通態(tài)電阻的30V車用 MOSFET

2010年8月4日，德國紐必堡訊——英飛凌科技股份公司（FSE：IFX / OTCQX： IFNNY）近日面向大電流應(yīng)用的汽車推出一款具備全球最低通態(tài)電阻的30V功率MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）。全新的OptiMOS?-T2 30V MOSFET是一款N溝道器件，在10V柵源電壓條件下，漏極電流為180A，而通態(tài)電阻僅為0.9毫歐。采用D2PAK-7封裝的IPB180N03S4L-H0，可滿足客戶對標(biāo)準(zhǔn)封裝功率 MOSFET的需求：以最低成本獲得高額定電流和最低通態(tài)電阻。　

發(fā)表于：8/5/2010

基于無線傳感器網(wǎng)絡(luò)的遠程智能抄表系統(tǒng)設(shè)計方案

智能遠程抄表系統(tǒng)節(jié)省時間、人力、物力、提高工作效率，降低物業(yè)成本，準(zhǔn)確及時地將住戶所使用的電表數(shù)據(jù)顯示出來，為實現(xiàn)小區(qū)科學(xué)、系統(tǒng)的物業(yè)管理提供了有效的解決方法。智能遠程抄表系統(tǒng)的核心是提供了一個控制信號采集和數(shù)據(jù)傳輸?shù)钠脚_，可遠程對電表進行參數(shù)設(shè)置、實時監(jiān)控和故障判斷。該系統(tǒng)可用于對水表、氣表等其他儀表的遠程監(jiān)控。

發(fā)表于：8/4/2010

IR 拓展具有低導(dǎo)通電阻的汽車用 MOSFET 系列

　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 今天宣布拓展了針對低導(dǎo)通電阻（RDS(on)）應(yīng)用的汽車用功率 MOSFET 專用系列，包括車載電源及內(nèi)燃機 (ICE) 、微型混合動力和全混合動力平臺上的重載應(yīng)用。

發(fā)表于：8/4/2010

Ramtron開始提供MaxArias無線存儲器商用樣片

世界領(lǐng)先的低功耗鐵電存儲器(F-RAM)和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation（簡稱Ramtron）宣布，已經(jīng)開始提供基于F-RAM的MaxArias?無線存儲器商用樣片。Ramtron的MaxArias?系列無線存儲器將非易失性F-RAM存儲器技術(shù)的低功耗、高速度和高耐久性等特性與行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)無線存取功能相結(jié)合，實現(xiàn)了創(chuàng)新的移動數(shù)據(jù)采集功能，MaxArias無線存儲器是高價值資產(chǎn)跟蹤、制造和維護歷史數(shù)據(jù)記錄收集，以及智能電表抄表等廣泛應(yīng)用的理想選擇。

發(fā)表于：8/4/2010

電動車用霍爾位置傳感器芯片的使用

電動自行車用的直流無刷電機的轉(zhuǎn)子是由30到40塊釹鐵硼磁鋼構(gòu)成。由于釹鐵硼磁鋼的表面磁場強度超過500mT，電動自行車用的直流無刷電機里的位置傳感器特別適合采用硅霍耳傳感器。硅霍耳傳感器的制造工藝可以與集成電路芯片工藝流程完全兼容，這樣，硅霍耳傳感器后續(xù)的信號處理電路，包括前置放大器，施密特觸發(fā)器和集電極開路輸出級可以方便地集成在同一個硅片上，形成霍耳集成電路芯片。

發(fā)表于：8/3/2010

分析師認為閃存熱但是供應(yīng)鏈不配套

按Web-Feet剛公布的全球閃存的季度報告，NOR及NAND市場都很熱。NOR市場由2009年的47億美元，上升到2010年的57億美元。而NAND市場與2009年相比增長33.4%，達215億美元。

發(fā)表于：8/2/2010

LSI 推出全新高端口數(shù)存儲適配器，進一步擴展6Gb/s SAS 系列

全新 MegaRAID、3ware 以及 HBA 產(chǎn)品使單個卡能夠直接連接服務(wù)器內(nèi)多達 24 個驅(qū)動器，或外部連接多達 512 個器件，從而實現(xiàn)簡單高效的存儲擴展

發(fā)表于：8/2/2010

美光推出新型內(nèi)存支持基于英特爾處理器的平板電腦和上網(wǎng)本

2010年7月29日，北京訊美光科技 (Micron Technology, Inc.) 今日宣布推出新型2Gb 50納米的DDR2內(nèi)存，支持英特爾即將對平板電腦和上網(wǎng)本推出基于Intel® 凌動? 的Oak Trail平臺。尺寸和電池壽命對于平板電腦市場十分重要，因此，小尺寸、高容量、低功耗的50納米的2Gb DDR2內(nèi)存將成為該市場的理想存儲解決方案。

發(fā)表于：7/30/2010

先進制程轉(zhuǎn)換 Q4全球DRAM市場趨向供過于求

Digitimes Research分析師柴煥欣分析，2008年下半受金融海嘯沖擊，除三星電子(Samsung Electronics)外，全球主要DRAM廠商皆發(fā)生巨額虧損，為保有手中資金，各DRAM廠商先后采取減產(chǎn)、裁員、關(guān)閉不具效益廠房等策略，此舉亦讓自2006年以來全球DRAM產(chǎn)業(yè)擴廠競賽劃下句點。

發(fā)表于：7/30/2010

Vishay推出符合IPC/JEDEC J-STD-020標(biāo)準(zhǔn)的新款器件

賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 7 月 30 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出滿足嚴(yán)格的IPC/JEDEC J-STD-020焊接指導(dǎo)的新款器件，擴充了高溫140 CRH器件和低阻抗150 CRZ系列表面貼裝鋁電容器。

發(fā)表于：7/30/2010

Vishay Siliconix推出業(yè)界面積最小、厚度最薄的N溝道芯片級功率MOSFET

賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 7 月 29 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業(yè)界最小和最薄的N溝道芯片級功率MOSFET —— Si8800EDB，該器件也是面積低于1mm2的首款產(chǎn)品。20V MICRO FOOT® Si8800EDB具有0.8mmx0.8mm的超小外形和0.357mm的厚度，可減少在便攜式電子產(chǎn)品中占用的空間。

發(fā)表于：7/29/2010

Vishay推出業(yè)內(nèi)最耐熱的薄膜貼片電阻

賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 7 月 26 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，為其用于極高溫度環(huán)境的無源器件產(chǎn)品組合中增添新系列SMD卷包式薄膜貼片電阻 --- Sfernice PHT，這些電阻針對用在鉆井勘探和航天應(yīng)用的多芯片模塊進行了優(yōu)化。

發(fā)表于：7/27/2010

Spansion、爾必達（Elpida）宣布建立更廣泛閃存合作聯(lián)盟

　2010年7月26日，中國上?！獱柋剡_（Elpida）存儲器公司（TOKYO: 6665）和Spansion公司(NYSE: CODE)今天宣布將擴展在NAND工藝技術(shù)和產(chǎn)品基礎(chǔ)上更深入的NAND閃存合作聯(lián)盟。此外，爾必達公司也獲得基于MirrorBit®電荷捕獲技術(shù)的Spansion® NAND IP非專屬性授權(quán)。爾必達公司將在其位于廣島的尖端300mm晶圓生產(chǎn)廠生產(chǎn)全新NAND產(chǎn)品。雙方將分開經(jīng)營產(chǎn)品銷售。

發(fā)表于：7/27/2010

基于無線傳感器網(wǎng)絡(luò)的遠程智能抄表系統(tǒng)設(shè)計

智能遠程抄表系統(tǒng)節(jié)省時間、人力、物力、提高工作效率，降低物業(yè)成本，準(zhǔn)確及時地將住戶所使用的電表數(shù)據(jù)顯示出來，為實現(xiàn)小區(qū)科學(xué)、系統(tǒng)的物業(yè)管理提供了有效的解決方法。智能遠程抄表系統(tǒng)的核心是提供了一個控制信號采集和數(shù)據(jù)傳輸?shù)钠脚_，可遠程對電表進行參數(shù)設(shè)置、實時監(jiān)控和故障判斷。該系統(tǒng)可用于對水表、氣表等其他儀表的遠程監(jiān)控。

發(fā)表于：7/26/2010