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微波射頻相關(guān)文章

泰科電子新型POLYZEN器件滿足USB掛起模式下的功耗要求

美國加利福尼亞州MENLO PARK，2010年5月17日 —泰科電子（Tyco Electronics）今天宣布推出PolyZen? ZEN059V130A24LS 器件。這款集成器件可為帶有USB接口的電子產(chǎn)品提供全面電路保護(hù)，同時(shí)滿足USB3.0掛起模式下的功耗要求。

發(fā)表于：5/17/2010

5月DRAM合約價(jià)出爐　DDR2持平　DDR3小漲

原本進(jìn)入難產(chǎn)階段的5月DRAM合約價(jià)終于開出，一如市場預(yù)期，在PC大廠和DRAM大廠多日的拉鋸戰(zhàn)之下，DDR2合約價(jià)最后持平開出，而DDR3合約價(jià)則是小漲2~3%；DRAM業(yè)者認(rèn)為，在電子產(chǎn)業(yè)的傳統(tǒng)淡季還能維持此結(jié)果，算是滿意，至于第3季傳統(tǒng)淡季展望，DRAM廠都不敢把話說的太滿，對于能否有大幅漲價(jià)的空間？ DRAM廠僅客氣表示，在此高檔區(qū)間震蕩就算是合理價(jià)位。

發(fā)表于：5/17/2010

機(jī)臺(tái)遞延交貨 DRAM大廠40奈米戰(zhàn)局延后

全球DRAM產(chǎn)業(yè)40奈米大戰(zhàn)出現(xiàn)變量，由于浸潤式機(jī)臺(tái)(Immersion Scanner)遞延交貨之故，瑞晶已松口表示，原本計(jì)劃年底前旗下8萬片12吋晶圓產(chǎn)能要全轉(zhuǎn)進(jìn)45奈米制程的目標(biāo)，將正式遞延至2011年第1季，其第1臺(tái)浸潤式機(jī)臺(tái)本周才會(huì)正式到貨，比原訂時(shí)程晚了2~3個(gè)月，內(nèi)部已決定將8萬片產(chǎn)能全數(shù)轉(zhuǎn)進(jìn)63奈米制程作為應(yīng)變。DRAM業(yè)者皆認(rèn)為，全球DRAM 產(chǎn)業(yè)的40奈米正式對決時(shí)間點(diǎn)，會(huì)是在2011年！

發(fā)表于：5/12/2010

ADI公司的第四代高性能低功耗MEMS陀螺儀支持惡劣工業(yè)環(huán)境的應(yīng)用

ADI公司的 iMEMS® ADXRS450是極其穩(wěn)定、抗振動(dòng)、低功耗的MEMS陀螺儀，具有0.03°/sec/g的線性加速度靈敏度，功耗僅為6mA。

發(fā)表于：5/12/2010

Spansion完成破產(chǎn)法第十一章重整，成功脫離破產(chǎn)保護(hù)

2009年3月1日，Spansion申請第11章破產(chǎn)保護(hù)。2009年10月26日，公司第一次提交重組計(jì)劃，其修訂后的披露聲明于2009年12月22日獲得美國破產(chǎn)法院批準(zhǔn)。2010年4月16日，Spansion重組計(jì)劃獲得美國破產(chǎn)法院認(rèn)可并于2010年5月10日正式脫離第11章。隨著Spansion成功脫離第11章，Spansion以往的普通股將被取消，不再交易。一些破產(chǎn)前的債權(quán)和其他行政事項(xiàng)將繼續(xù)進(jìn)行直到最終解決。從今日起，Spansion將不再受美國特拉華州地區(qū)破產(chǎn)法庭管轄。

發(fā)表于：5/12/2010

iSuppli預(yù)測2010年NOR Flash市場收益將止跌回升

據(jù)iSuppli預(yù)估，由于受到整體經(jīng)濟(jì)環(huán)境好轉(zhuǎn)和需求回升的鼓舞，NOR Flash閃存市場的整體收益會(huì)在2010年止跌回升。

發(fā)表于：5/12/2010

可管理的存儲(chǔ)器：為存儲(chǔ)器系統(tǒng)增加智能的途徑

選用可管理的非易失性存儲(chǔ)器解決方案具有明顯優(yōu)勢和直接效果，體現(xiàn)在：NAND閃存技術(shù)變化不影響整個(gè)系統(tǒng)；閃存廠商獨(dú)立共存；移植性；互操作性；存儲(chǔ)控制器上軟件負(fù)荷降低；可擴(kuò)展性。

發(fā)表于：5/11/2010

NOR Flash持續(xù)缺貨　宜揚(yáng)4月營收受惠

NOR Flash缺貨熱浪從年初至今都尚未退燒，相關(guān)業(yè)者4月營收相對出色！旺宏自結(jié)營收為新臺(tái)幣22.94億元，較上月小幅增加2.1%，華邦4月營收則為34.61億元，較上月成長10.22%，其中宜揚(yáng)則以黑馬之姿竄出，4月營收較上月成長37%，達(dá)5.99億元，主要就是受惠NOR Flash和MCP缺貨漲價(jià)之賜。

發(fā)表于：5/11/2010

三星第一季度NAND Flash市占逼近40%大關(guān)

2010年第1季全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)市占率中，仍以三星電子(Samsung Electronics)位居龍頭，根據(jù)集邦統(tǒng)計(jì)，三星的市占率高達(dá)39.2%，東芝(Toshiba)以34.4%市占率緊追在后，第1季位元成長率較上季增加15%，但平均單價(jià)(ASP)小跌5%，全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值規(guī)模約43.63億美元，較上季39.1億元成長11.6%。

發(fā)表于：5/11/2010

美光12億美元并恒憶坐擁DRAM、NAND、NOR三大技術(shù)

美光科技(Micron Technology Inc.)7日宣布完成收購NOR Flash大廠恒憶(Numonyx B.V.)的所有程序。依據(jù)協(xié)議，美光已發(fā)行大約1.38億股普通股(大約相當(dāng)于12億美元)給恒憶股東(英特爾、意法半導(dǎo)體、私募股權(quán)基金Francisco Partners)。

發(fā)表于：5/11/2010

下世代內(nèi)存大戰(zhàn)起國際大廠攻勢凌厲

近期相變化內(nèi)存(PCMorPRAM)市場戰(zhàn)況火熱，繼三星電子(SamsungElectronics) 宣布將相變化內(nèi)存用在智能型手機(jī)(Smartphone)用的MCP(Multi-ChipPackage)芯片問世后，恒憶(Numonyx)也宣布推出針對PC、消費(fèi)性電子和通訊市場使用的相變化內(nèi)存新品牌Omneo，采用90奈米制程，容量達(dá)128Mb，隨著國際大廠接連發(fā)動(dòng)攻勢，讓原本冷門的相變化內(nèi)存市場一夕之間熱了起來！

發(fā)表于：5/11/2010

為存儲(chǔ)器測試開發(fā)低成本的解決方案

本文將探討存儲(chǔ)器測試解決方案的開發(fā)以及驗(yàn)證功能和物理連接所需的測試設(shè)備功能。并分析除了滿足存儲(chǔ)器基本功能測試之外，如何擴(kuò)展測試能力。

發(fā)表于：5/11/2010

德州儀器最新DualCoolTM NexFETTM功率MOSFET

隨著許多標(biāo)準(zhǔn)架構(gòu)(PCI、ATCA)，電信及服務(wù)器機(jī)柜的尺寸越來越小，功率密度會(huì)越來越大。在相同尺寸下，PCB板上集成的芯片越來越多，從而導(dǎo)致其電流不斷增加。所以，客戶需要具有更小體積和更高電流的DC/DC電源，以滿足各種基礎(chǔ)設(shè)施市場對處理器功能提出的更高要求。TI于近日推出了一款采用創(chuàng)新封裝手段的DualCoolTM NexFETTM功率MOSFET，它能夠以不變的幾何尺寸傳輸更多的電流，可充分滿足客戶需求。

發(fā)表于：5/10/2010

英飛凌推出適用于高壓功率MOSFET的新型ThinPAK 8x8無管腳SMD封裝，旨在實(shí)現(xiàn)更高功率密度解決方案

2010年5月10日，德國Neubiberg訊——英飛凌科技股份公司近日推出適用于高壓功率MOSFET的全新無管腳SMD封裝ThinPAK 8x8。新封裝的占板空間僅為64平方毫米（D2PAK的占板空間為150平方毫米），高度僅為1毫米（D2PAK的高度為4.4毫米）。大幅縮小的封裝尺寸結(jié)合低寄生電感，使設(shè)計(jì)者能以全新方式有效降低高功率密度應(yīng)用所需的系統(tǒng)解決方案尺寸。

發(fā)表于：5/10/2010

加強(qiáng)布局新興市場益登科技擴(kuò)增國內(nèi)及東南亞營銷據(jù)點(diǎn)

專業(yè)電子元器件代理商益登科技（TSE:3048）今日宣布，為了提供新興市場更實(shí)時(shí)而完整的服務(wù)，該公司近期相繼于西安、成都、青島以及印度設(shè)立營運(yùn)處，重點(diǎn)覆蓋當(dāng)?shù)貥I(yè)務(wù)，并輻射周邊市場，在國內(nèi)及東南亞地區(qū)構(gòu)建更綿密的分銷格局。

發(fā)表于：5/10/2010