Diodes新型 MOSFET離板高度減半

Diodes Incorporated 推出一系列采用薄型DFN2020-6封裝的高效率N通道及P通道MOSFET。DFN2020H4封裝的DMP2039UFDE4，離板高度只有0.4毫米，占板面積只有四平方毫米，是一款額定電壓為-25V的P通道器件，體積較同類器件纖薄50%。同系列另一采用DFN2020E封裝的MOSFET則具有0.5毫米離板高度，較其他一般離板高度為0.6毫米的MOSFET纖薄20%。

發(fā)表于：5/2/2012

基于無(wú)線傳感網(wǎng)絡(luò)的智能溫室大棚監(jiān)控系統(tǒng)

針對(duì)傳統(tǒng)人工采集費(fèi)時(shí)費(fèi)力和有線監(jiān)控布線復(fù)雜、維護(hù)困難的局限性，將傳感器與ZigBee無(wú)線網(wǎng)絡(luò)技術(shù)相結(jié)合，提出了無(wú)線傳感網(wǎng)絡(luò)的智能溫室大棚監(jiān)控系統(tǒng)的設(shè)計(jì)方案。該系統(tǒng)利用ZigBee技術(shù)實(shí)現(xiàn)對(duì)采集數(shù)據(jù)及信息的無(wú)線收發(fā)，通過公共網(wǎng)關(guān)接口CGI將數(shù)據(jù)和控制信息傳送到互聯(lián)網(wǎng)。操作人員可從遠(yuǎn)距離的PC機(jī)上實(shí)時(shí)查看數(shù)據(jù)、實(shí)施控制，從而實(shí)現(xiàn)了真正意義的遠(yuǎn)程監(jiān)控。

發(fā)表于：4/27/2012

基于單片機(jī)的無(wú)線病房呼叫系統(tǒng)設(shè)計(jì)

在傳統(tǒng)病房呼叫系統(tǒng)的基礎(chǔ)上提出一種基于單片機(jī)實(shí)現(xiàn)的無(wú)線病房呼叫系統(tǒng)設(shè)計(jì)方法，給出了基于單片機(jī)和射頻通信芯片nRF401而設(shè)計(jì)的硬件原理圖，并對(duì)影響無(wú)線通信性能的通信協(xié)議的設(shè)計(jì)、數(shù)據(jù)幀和防信息碰撞方法的實(shí)現(xiàn)及混合信號(hào)PCB板設(shè)計(jì)等做了較詳細(xì)的探討。

發(fā)表于：4/25/2012

瑞薩電子推出低功耗，超小型功率MOSFET，為便攜式裝置提供更高的功效和更小的封裝尺寸

全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體和解決方案的主要供應(yīng)商瑞薩電子株式會(huì)社（TSE：6723，以下簡(jiǎn)稱“瑞薩電子”）今天宣布推出八款低功耗P通道和N通道功率金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管（MOSFET）產(chǎn)品，理想用于包括智能手機(jī)和筆記本在內(nèi)的便攜式電子產(chǎn)品。具有業(yè)界領(lǐng)先的低功耗（低導(dǎo)通電阻），新器件包括20 V (VDSS) µPA2600和30 V µPA2601，配置了超緊湊型2 mm× 2 mm封裝，從而具有提升的功率效率并實(shí)現(xiàn)了小型移動(dòng)器件封裝尺寸的小型化。

發(fā)表于：4/19/2012

能源計(jì)量的多傳感器信息系統(tǒng)解決方案

節(jié)能減排以能源計(jì)量技術(shù)為基礎(chǔ)，作為分支計(jì)量學(xué)科的能源計(jì)量是技術(shù)與管理結(jié)合體的、復(fù)雜的、邊沿性的重要社會(huì)活動(dòng)。以量、質(zhì)、損、殘、存等的能源計(jì)量系統(tǒng)是能源量及使用程度的計(jì)量系統(tǒng)。

發(fā)表于：4/12/2012

存儲(chǔ)技術(shù)變局為中國(guó)制造帶來(lái)了什么機(jī)遇？

縱觀半導(dǎo)體發(fā)展歷史，一種新興技術(shù)的出現(xiàn)，影響的不只是個(gè)別公司的興衰，更是推動(dòng)了某個(gè)產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)型，新技術(shù)是變革者趕超傳統(tǒng)技術(shù)列強(qiáng)的利器，也是產(chǎn)業(yè)升級(jí)的動(dòng)力源，當(dāng)年的光盤存儲(chǔ)技術(shù)興起，就帶動(dòng)了中國(guó)整體光盤機(jī)產(chǎn)業(yè)，現(xiàn)在，我們又將迎來(lái)新一輪的存儲(chǔ)技術(shù)變局---以NAND FLASH為代表的半導(dǎo)體存儲(chǔ)技術(shù)會(huì)給我們的本土企業(yè)帶來(lái)了什么機(jī)遇？這里結(jié)合自己的體會(huì)聊做分析。

發(fā)表于：3/29/2012

進(jìn)化論讓MEMS產(chǎn)業(yè)在震后變得更加強(qiáng)大

進(jìn)化論認(rèn)為適者生存，這有時(shí)是一個(gè)殘酷的自然選擇過程，幸存的都是比較強(qiáng)壯和適應(yīng)能力較強(qiáng)的生物體。對(duì)于MEMS市場(chǎng)來(lái)說(shuō)，日本地震就相當(dāng)于一個(gè)進(jìn)化論事件，災(zāi)后供應(yīng)鏈變得更加豐富、更加多樣化，也更適應(yīng)成長(zhǎng)。

發(fā)表于：3/27/2012

新日本無(wú)線開發(fā)了壓電式蜂鳴器驅(qū)動(dòng)IC，最適合于醫(yī)療保健器械、安防監(jiān)控設(shè)備等

新日本無(wú)線株式會(huì)社成功開發(fā)了內(nèi)置電荷泵的壓電式蜂鳴器驅(qū)動(dòng)IC NJU72501，并已經(jīng)開始投入生產(chǎn)了。此驅(qū)動(dòng)IC最適合于驅(qū)動(dòng)醫(yī)療保健器械及安防監(jiān)控設(shè)備上裝置的壓電式蜂鳴器或壓電式報(bào)警器。

發(fā)表于：3/19/2012

爾必達(dá)破產(chǎn)勢(shì)必推升DRAM價(jià)格和營(yíng)業(yè)收入

據(jù)IHS iSuppli公司的內(nèi)存與存儲(chǔ)研究報(bào)告，日本爾必達(dá)本周申請(qǐng)破產(chǎn)保護(hù)，將有利于DRAM市場(chǎng)中剩余的其它廠商，因?yàn)榇伺e將導(dǎo)致今年下半年供應(yīng)減少、提振價(jià)格和營(yíng)業(yè)收入。

發(fā)表于：3/14/2012

大容量NANDFlash在多媒體手機(jī)中的應(yīng)用

在多媒體手機(jī)中NANDFlash主要用來(lái)存儲(chǔ)多媒體數(shù)據(jù)（圖片、語(yǔ)音文件等）。在實(shí)際應(yīng)用中不會(huì)對(duì)NANDFlash進(jìn)行頻繁的寫入和擦除操作，而且多媒體數(shù)據(jù)對(duì)數(shù)據(jù)的完整性要求也不是很高，但是多媒體數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)量較大。這些特征決定了使用NANDFlash來(lái)存儲(chǔ)多媒體數(shù)據(jù)是十分恰當(dāng)?shù)?，這也正是業(yè)界的通行做法。

發(fā)表于：3/9/2012

意法半導(dǎo)體（ST）傳感器大幅提升室內(nèi)導(dǎo)航精度

意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）在剛剛結(jié)束的巴塞羅那移動(dòng)通信世界大會(huì)上展示了世界上最精確的手機(jī)室內(nèi)定位應(yīng)用。作演示的智能手機(jī)包含了CSR公司的最前沿的SiRFusionTM 定位技術(shù)和意法半導(dǎo)體的優(yōu)化的MEMS (微機(jī)電系統(tǒng))慣性測(cè)量單元。這個(gè)演示證明，即使在沒有全球?qū)Ш叫l(wèi)星系統(tǒng)（GNSS）衛(wèi)星信號(hào)的情況下，定位精度也能達(dá)到幾米的范圍內(nèi)。

發(fā)表于：3/9/2012

新日本無(wú)線開發(fā)了針對(duì)智能手機(jī)的低插入損耗、小型大功率開關(guān)

新日本無(wú)線株式會(huì)社(總部:東京都中央?yún)^(qū)　代表取締役社長(zhǎng)　小倉(cāng)　良)成功開發(fā)了最適合于智能手機(jī)頻段切換并具有低插入損耗、小型等特點(diǎn)的大功率開關(guān)NJG1681MD7/NJG1682MD7，現(xiàn)已經(jīng)開始投入生產(chǎn)。

發(fā)表于：3/2/2012

瑞薩電子強(qiáng)化全球采購(gòu)體系 新設(shè)全球采購(gòu)?fù)七M(jìn)室

發(fā)表于：2/29/2012

ADI戰(zhàn)術(shù)級(jí)MEMS產(chǎn)品 挑戰(zhàn)高端應(yīng)用

據(jù)IHS iSuppli公司預(yù)測(cè)，2011年中國(guó)MEMS消費(fèi)增長(zhǎng)約10%，銷售額將達(dá)到16億美元，至2015年則將達(dá)到26億美元，復(fù)合年度增長(zhǎng)率為12.1%，市場(chǎng)前景極為可觀。而且汽車與工業(yè)MEMS市場(chǎng)增長(zhǎng)速度將僅次于消費(fèi)電子市場(chǎng)。

發(fā)表于：2/27/2012

瑞薩電子宣布推出低功耗P通道MOSFET，可提高筆記本電池的功率效率

全球領(lǐng)先的高級(jí)半導(dǎo)體和解決方案的供應(yīng)商瑞薩電子株式會(huì)社宣布推出包含五款低功耗P通道功率金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）系列產(chǎn)品，包括用于筆記本電腦中鋰離子（Li-ion）二級(jí)電池的充電控制開關(guān)和與AC適配器進(jìn)行電源轉(zhuǎn)換的電源管理開關(guān)等用途進(jìn)行最佳化的µPA2812T1L。

發(fā)表于：2/27/2012