賓夕法尼亞、MALVERN— 2010 年7 月29 日— 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業(yè)界最小和最薄的N溝道芯片級功率MOSFET --- Si8800EDB，該器件也是面積低于1mm²的首款產(chǎn)品。20V MICRO FOOT^®Si8800EDB具有0.8mmx0.8mm的超小外形和0.357mm的厚度，可減少在便攜式電子產(chǎn)品中占用的空間。

    隨著便攜式產(chǎn)品變得愈加小巧，器件的尺寸成為選擇器件的重要因素，因為按鍵和電池占用了大部分空間，使PCB的面積受到極大限制。Si8800EDB具有超小的外形和厚度，比同樣采用芯片級封裝的尺寸第二小的N溝道器件小36%，薄11%，能夠?qū)崿F(xiàn)更加小巧且功能更多的終端產(chǎn)品。

    由于采用無封裝技術(shù)且增大了管芯面積，Si8800EDB的芯片級封裝提供了單位面積上極低的導通電阻。MOSFET在4.5V、2.5V、1.8V和1.5V下的最大導通電阻分別為80mΩ、90mΩ、105mΩ和150mΩ。

    新器件的典型應用包括負載開關(guān)和手機、PDA、數(shù)碼相機、MP3播放器和智能手機等便攜式設備中的小信號切換。Si8800EDB的低導通電阻可延長這些產(chǎn)品中兩次充電之間的電池壽命。

    Si8800EDB的典型ESD保護為1500V，符合RoHS指令2002/95/EC，符合IEC 61249-2-21定義的無鹵素規(guī)范。

    新款功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品，將在2010年第二季度實現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十六周。

VISHAY簡介

    Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富1,000 強企業(yè)”，是全球分立半導體（二極管、MOSFET和紅外光電器件）（二極管、整流器、MOSFET、光電器件及某些精選IC）和無源電子元件（電阻器、電感器、電容器、傳感器及轉(zhuǎn)換器）的最大制造商之一。這些元器件可用于工業(yè)、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天、電源及醫(yī)療市場中幾乎所有類型的電子設備和裝備。(這些元件可用于工業(yè)、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天及醫(yī)療市場的各種類型的電子設備)。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略，以及“一站式”服務使Vishay成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。有關(guān)Vishay的詳細信息，敬請瀏覽網(wǎng)站www.vishay.com。