微芯(Microchip)透過其子公司Silicon Storage Technology(SST)與GLOBALFOUNDRIES宣布，基于GLOBALFOUNDRIES 55奈米(nm)低功耗強化型(LPx)/RF平臺的SST 55nm嵌入式SuperFlash非揮發(fā)性記憶體(NVM)產(chǎn)品已通過全面認證并開始投放市場。
GLOBALFOUNDRIES結合分離閘極單元設計的55nm SuperFlash技術的制程認證測試采用JEDEC標準。同時，這一制程技術也符合AEC-Q100 1級認證標準，環(huán)境溫度范圍為-40~125°C，耐用度達到100K燒寫/抹除次數(shù)，在150°C條件下可實現(xiàn)超過20年的資料保存年限。
根據(jù)IHS預測，2015年汽車半導體市場規(guī)模將達到310億美元，相較于2014年增幅可高達7.5%。而基于嵌入式快閃記憶體的半導體產(chǎn)品則在這一市場占有相當大的比重。
配備eNVM技術GLOBALFOUNDRIES 55nm LPx/RF平臺現(xiàn)已上市。該平臺技術備有一個自訂庫，包含針對特定微控制器(MCU)產(chǎn)品應用有現(xiàn)成且經(jīng)優(yōu)化的eNVM IP模組，是一款可縮短產(chǎn)品開發(fā)周期的解決方案。
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