臺積電因連續(xù)在14/16nmFinFET、10nm工藝上落后于三星，其急于在7nm工藝上取得領先優(yōu)勢，宣布將在明年初量產7nm工藝，三星也在明年量產7nm工藝，不過后者明年就會引入EUV（極紫外光微影）技術，在事實上領先臺積電。

這一情形，其實在16nmFinFET工藝上出現(xiàn)過，當時臺積電率先于2014年三季度投產16nm工藝，然而因為該工藝的能效不如20nm，導致少有客戶采用，僅有的兩個客戶之一的華為海思也不過是用16nm工藝生產其對能效要求不高的網通處理器，其兩個大客戶高通和蘋果都采用20nm工藝生產驍龍810、A8處理器。

于是臺積電加緊為16nm引入FinFET工藝，直到2015年三季度才投產16nmFinFET工藝，而三星則在2015年一季度即投產14nmFinFET工藝。

由于三星的14nmFinFET工藝表現(xiàn)優(yōu)異，采用該工藝生產的Exynos7420處理器表現(xiàn)優(yōu)異；而采用臺積電20nm工藝生產的高通的驍龍810出現(xiàn)了發(fā)熱問題，驍龍810是高通首款采用ARM公版核心A57和A53的芯片，受驍龍810發(fā)熱的影響，華為海思和聯(lián)發(fā)科都放棄了采用ARM高性能公版核心A57推手機芯片的計劃，這讓三星的Exynos7420成為2015年Android手機芯片市場的性能之王。

三星于2016年四季度量產10nm工藝，臺積電則于今年初量產10nm工藝，兩家都出現(xiàn)了良率問題。似乎三星10nm工藝的良率提升較快，采用該工藝生產的驍龍835和Exynos8895芯片開始規(guī)模上市并用于它自家的Galaxy S8手機上，中國大陸的手機品牌小米也已采用驍龍835芯片推出小米6手機，再次領先臺積電一局。

為扳回局面，臺積電宣布將在明年初量產7nm工藝，有可能先于三星量產7nm工藝。不過消息指臺積電的7nm工藝并沒引入EUV（極紫外光微影）技術，其要到2019年才會推出采用EUV技術的7nm工藝，重演了16nmFinFET的歷史，三星的7nm工藝則會引入EUV技術。

三星率先引入EUV技術，將會幫助它在更先進的5nm等工藝上領先臺積電。EUV光刻被認為肩負著縮小晶體管尺寸的重任，是開發(fā)7nm、5nm等更先進工藝的關鍵，這與FinFET工藝幫助半導體制造工廠從20nm工藝提升至14/16nm相似。

當然三星方面似乎也擔心自己采用EUV技術的7nm工藝能否按時量產，將會推出10nm工藝的改良版8nm工藝，以與臺積電的7nm工藝競爭。

這就引發(fā)了一場爭論，高通的下一代高端芯片驍龍845會采用臺積電的7nm、三星的8nm或者采用EUV技術的7nm？考慮到臺積電的先進工藝產能難以滿足蘋果和高通兩大芯片企業(yè)的需求以及三星采用EUV技術的7nm工藝無法在明年初量產的問題，驍龍845很可能會采用三星的8nm工藝。