以技術(shù)貿(mào)易公司起家的東電電子，最初承擔(dān)為NEC、東芝、日立等日本半導(dǎo)體企業(yè)引進(jìn)美國先進(jìn)技術(shù)的任務(wù)。在伴隨著日本半導(dǎo)體企業(yè)的發(fā)展過程中，東電電子創(chuàng)始人感覺到了日本半導(dǎo)體時代的來臨。于是，決定進(jìn)軍半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域，立志成為一家獨立的半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商。

在芯思想研究院新推出的2018半導(dǎo)體設(shè)備公司營收排行榜中，東電電子（TEL）排名第二，營收達(dá)到116億美元，較2017年增長27%。

下面跟隨筆者了解一下東電電子的發(fā)展情況。

一、依靠代理貿(mào)易起家

1963年11月11日，久保徳雄（Tokuo Kubo）和小高敏夫（Toshio Kodaka）依靠東京廣播公司（Tokyo Broadcasting System，TBS）500萬日元的資助，在東京成立了東電電子研究所公司（Tokyo Electron Laboratories, Inc.）。

名為研究所，其實就是一家貿(mào)易公司，一方面從事IC檢測工具和半導(dǎo)體設(shè)備零部件的進(jìn)口；一方面出口日本制造的汽車收音機。

據(jù)悉，成立公司的初衷是不滿其就職的商社“只要商品賣出去了其他都不管了”的短視行為，覺得需要做好產(chǎn)品的售后服務(wù)，否則就難以實現(xiàn)長期的顧客滿意。

1965年，東電電子成為仙童半導(dǎo)體（Fairchild）測試設(shè)備在日本的代理商，包括口IC測試設(shè)備、測試插座以及各類連接器。

當(dāng)時日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)剛剛起步，加上公司注重售后服務(wù)，結(jié)果，IC測試設(shè)備賣得風(fēng)生水起，給公司帶來了良好的現(xiàn)金流。

二、逐步轉(zhuǎn)型設(shè)備制造商

1968年，東電電子與Thermco Products合資成立TEL-Thermco Engineering Co.，Ltd.，開始在日本本土生產(chǎn)半導(dǎo)體用擴散爐，這是日本第一家半導(dǎo)體設(shè)備制造商。1970年，合資公司在橫濱制造完成第一臺日本本土生產(chǎn)的擴散爐，開始走出日本半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化的第一步。

筆者認(rèn)為，讓東電電子從商社轉(zhuǎn)型為半導(dǎo)體設(shè)備制造商的緣由有二，一是1971年的尼克松沖擊（尼克松沖擊，指的是美國總統(tǒng)尼克松于1971年8月15日宣布實行“新經(jīng)濟政策”：放棄金本位，停止美元兌換黃金，征收10%的進(jìn)口附加稅。此舉導(dǎo)致二戰(zhàn)后的“布雷頓森林體系”崩潰，嚴(yán)重?fù)p害了許多國家的利益，加劇了國際經(jīng)濟、金融的動蕩）和1973年石油危機，日本經(jīng)濟受到沉重打擊。

促使東電電子轉(zhuǎn)型的第二個緣由更重要，那就是其看到了日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展和日本政府對半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化的重視。當(dāng)時，日本政府對一方面對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)實施了進(jìn)口保護措施，一方面加大扶持半導(dǎo)體的力度，如研發(fā)經(jīng)費的政府補助比例從1970年前的不足2%快速攀升至1973年的13%、1976年的26%。而同期，日本電子產(chǎn)業(yè)也開始導(dǎo)入半導(dǎo)體到電子產(chǎn)品中。

于是公司決定轉(zhuǎn)向高收益的半導(dǎo)體制造設(shè)備制造領(lǐng)域，徹底退出占據(jù)業(yè)務(wù)收入六成的汽車收音機等消費電子產(chǎn)品市場。據(jù)悉，此次轉(zhuǎn)型，經(jīng)歷了整整三年，直到1975年才扭轉(zhuǎn)虧損狀態(tài)。1976年營收增長14%，利潤增長了100%。

1978年，東電電子研究所公司更名為東電電子株式會社（Tokyo Electron Ltd.），成立日本首個IC測試中心成立。

三、通過合資獲取進(jìn)先進(jìn)技術(shù)

1976年，TEL-Thermco推出全球第一臺高壓氧化擴散爐，通過與Thermco公司的合資，東電電子品嘗到了獲取技術(shù)的快感。

進(jìn)入1980年代，東電電子進(jìn)一步積極推動半導(dǎo)體制造設(shè)備的國產(chǎn)化。通過和美國半導(dǎo)體設(shè)備公司進(jìn)行合資，從美國引進(jìn)先進(jìn)的技術(shù)，并與自身的制造技術(shù)融為一體。

1981年和GenRad成立合資公司，在日本本土生產(chǎn)在線測試儀；1982年和Varian Associates Inc.成立合資公司，在日本本土生產(chǎn)離子注入裝備；1983年和泛林半導(dǎo)體（Lam Research）成立合資公司，在日本本土生產(chǎn)刻蝕機。

到時1988年，東電電子將合作伙伴手中的股份全部收購，將合資公司變?yōu)楠氋Y公司。

1989年東電電子的半導(dǎo)體制造設(shè)備營收額突破6億美元，位居全球第一，并連續(xù)三年蟬聯(lián)冠軍。

1994年東電電子推出單片CVD系統(tǒng)。1998年12英寸設(shè)備研發(fā)中心成立。

時至今日，東電電子的產(chǎn)品幾乎覆蓋了半導(dǎo)體制造流程中的所有工序。六大類產(chǎn)品包括：涂膠/顯影設(shè)備、等離子刻蝕系統(tǒng)、熱處理設(shè)備、單晶圓沉積系統(tǒng)、晶圓加工中使用的清潔系統(tǒng)、晶圓測試設(shè)備。此外，還提供用于先進(jìn)封裝工藝的電化學(xué)沉積系統(tǒng)和晶圓鍵合機。東電電子還提供面板制造設(shè)備。

其中涂膠/顯影設(shè)備在全球占有率達(dá)到87%。而面板制造設(shè)備中，刻蝕機占有率達(dá)到七成。

四、東電電子海外拓展

1990年代前，東電電子只在美國設(shè)有銷售服務(wù)點。1994年東電電子邁出了走向海外的關(guān)鍵一步，開始在歐洲和韓國構(gòu)建銷售與服務(wù)網(wǎng)絡(luò)。此前，東電電子在海外銷售收入不足20%。1999財年（1998年4月至1999年3月）海外銷售收入超越日本本土營收，成為名副符實的全球企業(yè)。

在全球逐漸創(chuàng)立研發(fā)中心，整合各地的優(yōu)勢資源，加速研發(fā)進(jìn)度。1995年東電電子在美國設(shè)立首個海外研發(fā)中心，之后在韓國、中國臺灣設(shè)立三個海外研發(fā)中心。

截止2018年3月31日，東電電子在全球16個國家和地區(qū)有34家公司，76個業(yè)務(wù)據(jù)點。2018財年（2017年4月至2018年3月）東電電子的海外市場貢獻(xiàn)了85%以上的營收。

自2002年開始在中國上海設(shè)立公司以來，目前在中國大陸擁有三家子公司：東電電子（上海）有限公司，2002年成立，主要從事東電電子在中國的產(chǎn)品銷售和服務(wù)；東電半導(dǎo)體設(shè)備（上海）有限公司，2003年成立，主要從事中國大陸范圍內(nèi)東電電子的部品供給；東電光電半導(dǎo)體設(shè)備(昆山)有限公司，2011年成立，主要從事FPD制造設(shè)備的生產(chǎn)和維護。

2018財年，其半導(dǎo)體裝備在中國大陸營收約占其全球營收的10%，而在2000財年，中國大陸營收約占其全球營收不足2%。

五、設(shè)備國產(chǎn)化助力日本走向霸主位置

日本政府及企業(yè)在初級階段對今后如何研發(fā)半導(dǎo)體技術(shù)以及如何讓相關(guān)制造設(shè)備國產(chǎn)化，均有明確的方針。這是日本當(dāng)年迅速超越他國的重要原因。

首先，在技術(shù)方面，日本著重開發(fā)微細(xì)加工的制造設(shè)備，為了將容量從1K提升到1M，需要將半導(dǎo)體電路的間隔縮短，這需要擁有精密加工技術(shù)，也需要相關(guān)的設(shè)備。在日本通產(chǎn)省的協(xié)調(diào)下，相關(guān)裝備的研發(fā)推進(jìn)得相當(dāng)順利。1975年之前，日本的半導(dǎo)體制造裝備基本從國外進(jìn)口；但到了1980年代初，70%以上的半導(dǎo)體制造裝備日本已經(jīng)可以自己制造了。

日本的半導(dǎo)體企業(yè)，既有制造技術(shù)優(yōu)勢，又能在本土進(jìn)行更新設(shè)備，技術(shù)水平得以不斷提升，讓世界對日本刮目相看。

到1985年，日本半導(dǎo)體企業(yè)與美國半導(dǎo)體企業(yè)在市場占有率方面發(fā)生了角色的更換，日本第一，美國第二。當(dāng)年全球前十大半導(dǎo)體公司中，日本有五家，NEC（第一）、日立（第三）、東芝（第五）、富士通（第六）、松下（第九）；到1995年全球前十大中，日本依然有五家，NEC（第二）、東芝（第三）、日立（第四）、富士通（第八）、三菱（第九）。

六、中國國產(chǎn)設(shè)備崛起思考

總體來說，日本半導(dǎo)體設(shè)備發(fā)展經(jīng)歷了四個時期：一是進(jìn)口設(shè)備主導(dǎo)階段（1975年之前）；二是國產(chǎn)設(shè)備確立階段（1976年至1982年）；三是自給自足階段（1983-1994）；四是全面出口海外階段（1995-至今）。

事實上，2008 年之前我國半導(dǎo)體設(shè)備基本全靠進(jìn)口。2009年國家設(shè)立了國家科技重大專項“極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝科技項目（02專項）”研發(fā)國產(chǎn)化設(shè)備。

在02專項的統(tǒng)籌規(guī)劃下，國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠商分工合作，涵蓋了半導(dǎo)體的主要設(shè)備種類，如刻蝕機、薄膜設(shè)備、擴散離子注入設(shè)備、濕法設(shè)備、CMP。

但隨著物理極限趨近，技術(shù)進(jìn)步放緩，盡管國內(nèi)廠商仍處于技術(shù)追趕期，但與全球龍頭技術(shù)差距正在逐漸縮短。

但是，現(xiàn)在中國大陸大力發(fā)展集成電路制造，一方面要實現(xiàn)制造工藝提升，一方面要提升半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化率，這是一個矛盾體。量產(chǎn)中，制造設(shè)備一旦出問題，那整條產(chǎn)線上的晶圓都有可能報廢，而且需要停工檢查維修，對晶圓廠來說，代價非常大，無法給國產(chǎn)設(shè)備公司提供更多試錯的機會。而國產(chǎn)裝備研發(fā)出來，如果沒有試錯機會，何談改進(jìn)、迭代。

盡管日本依靠合資獲取技術(shù)成功，我們也無法照搬日本經(jīng)驗。畢竟12英寸設(shè)備不同于4英寸和6英寸設(shè)備。