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消費(fèi)電子最新文章

英諾賽科今日上市：氮化鎵龍頭成長(zhǎng)動(dòng)力充足

　　香港， 2024年12月31日 - （亞太商訊） - 2024年下半年以來(lái)，香港資本市場(chǎng)掀起一波上市熱潮。從科技新貴到行業(yè)巨頭，眾多內(nèi)地企業(yè)將目光投向香港資本市場(chǎng)。臨近歲末，又一細(xì)分領(lǐng)域行業(yè)龍頭登陸港股資本市場(chǎng)。12月30日，英諾賽科（2577.HK）在港上市，掀開(kāi)國(guó)際化發(fā)展新篇章。根據(jù)弗若斯特沙利文的資料，按2023年收入計(jì)，英諾賽科在全球所有氮化鎵功率半導(dǎo)體公司中排名第一。

發(fā)表于：1/4/2025

港股市場(chǎng)迎GaN芯片獨(dú)角獸英諾賽科掀起新一輪投資盛宴

　　香港， 2024年12月31日 - （亞太商訊） - 在經(jīng)歷近三個(gè)季度的放緩后，2024年下半年以來(lái)港股IPO重返活躍，投資者信心日益增強(qiáng)，內(nèi)地企業(yè)來(lái)港上市步伐加快。經(jīng)統(tǒng)計(jì)，截至12月30日，全年共有70家新股登陸港交所，內(nèi)地企業(yè)62家占比88%，其余9家來(lái)自本港、新加坡及美國(guó)。

發(fā)表于：1/4/2025

ST1VAFE3BX：意法半導(dǎo)體推出首款超低功耗生物傳感器

　　ST 最新推出的生物傳感器ST1VAFE3BX 將生物電位輸入與意法半導(dǎo)體的加速度計(jì)以及機(jī)器學(xué)習(xí)核心相結(jié)合并實(shí)現(xiàn)同步，從而為下一代需要控制能耗的可穿戴醫(yī)療設(shè)備開(kāi)辟了道路。此外，其小巧的封裝（2 mm x 2 mm x 0.74 mm）有助于降低制造成本和 PCB電路板尺寸。整體設(shè)計(jì)對(duì)電能的需求也更低，系統(tǒng)架構(gòu)需求的復(fù)雜程度也隨之降低。不過(guò)，ST1VAFE3BX 保留了先前推出的ST1VAFE6AX 的有限狀態(tài)機(jī)和機(jī)器學(xué)習(xí)核心，確保了能夠在邊緣端提供人工智能。

發(fā)表于：1/4/2025

REDMI Turbo 4重新定義同級(jí)標(biāo)桿

近日，REDMI 推出了全新一代潮流性能小旗艦——REDMI Turbo 4。憑借全新的極簡(jiǎn)設(shè)計(jì)、同級(jí)領(lǐng)先的硬件配置、超大電池和全面升級(jí)的防水能力，Turbo 4 實(shí)現(xiàn)了顏值與實(shí)力的全面進(jìn)階。在硬件配置方面，Turbo 4首發(fā)搭載了天璣8400-Ultra 芯片，以其同檔無(wú)敵、體驗(yàn)越級(jí)的超強(qiáng)實(shí)力，為年輕用戶帶來(lái)好看又能打的爽玩體驗(yàn)。

發(fā)表于：1/3/2025

Solidigm宣布退出消費(fèi)市場(chǎng) Intel SSD完全消失

SSD剛剛興起的時(shí)候，Intel還是一股很重要的力量，X-18M、X-25M都備受好評(píng)，后來(lái)又發(fā)展出了大名鼎鼎的Optane傲騰技術(shù)和產(chǎn)品，但是隨著戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型，Intel已經(jīng)放棄了閃存和SSD業(yè)務(wù)。

發(fā)表于：1/3/2025

臺(tái)積電2nm的高成本及初期產(chǎn)能問(wèn)題導(dǎo)致蘋(píng)果推遲采用

2025年1月3日消息，由于臺(tái)積電2nm成本高于預(yù)期且初期產(chǎn)能有限，蘋(píng)果公司的今年將推出的 iPhone 17系列所搭載的A19系列處理器將采用臺(tái)積電N3P制程。

發(fā)表于：1/3/2025

Syntiant1.5億美元完成樓氏電子消費(fèi)類(lèi)MEMS麥克風(fēng)業(yè)務(wù)收購(gòu)

Syntiant1.5億美元完成樓氏電子消費(fèi)類(lèi)MEMS麥克風(fēng)業(yè)務(wù)收購(gòu)

發(fā)表于：1/3/2025

2025年一季度NAND Flash價(jià)格將下跌超10%

12月31日消息，根據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢最新公布的調(diào)查報(bào)告顯示，2025年第一季NAND Flash供貨商將面臨庫(kù)存持續(xù)上升，訂單需求下降等挑戰(zhàn)，平均合約價(jià)恐環(huán)比下跌10%至15%。其中，NAND Flash晶圓（Wafer）跌幅將收窄，模組產(chǎn)品部分，由于Enterprise SSD訂單穩(wěn)定，預(yù)期可緩沖合約價(jià)跌勢(shì)；Client SSD及UFS則因消費(fèi)性終端產(chǎn)品需求疲軟，買(mǎi)家采購(gòu)意愿保守，價(jià)格將持續(xù)下探。

發(fā)表于：1/2/2025

消息稱索尼正深度參與AMD技術(shù)研發(fā)

消息稱索尼正深度參與AMD技術(shù)研發(fā)：PS5 Pro 推動(dòng) FSR 4 及 UDNA 架構(gòu)發(fā)展

發(fā)表于：1/2/2025

消息稱三星正為蘋(píng)果iPhone開(kāi)發(fā)三層堆疊式相機(jī)傳感器

1 月 2 日消息，長(zhǎng)期以來(lái)，蘋(píng)果公司在相機(jī)傳感器方面幾乎完全依賴索尼供貨，最新的 iPhone 16 系列也不例外。然而，這一局面或?qū)⒂瓉?lái)改變。有消息稱，為蘋(píng)果提供 OLED 面板的三星公司，可能也將進(jìn)入蘋(píng)果的相機(jī)傳感器供應(yīng)鏈。據(jù)爆料人士透露，三星正在研發(fā)一種三層堆疊式傳感器，據(jù)稱性能優(yōu)于索尼的 Exmor RS 系列。

發(fā)表于：1/2/2025

瑞薩推出全新Type-C端口控制器和升降壓電池充電器

　　2024 年 12 月 10 日，中國(guó)北京訊 - 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布推出RAA489118升降壓電池充電器和RAA489400 Type-C?端口控制器。這兩款全新IC結(jié)合使用，共同打造出卓越的擴(kuò)展功率范圍（EPR）USB電力傳輸（PD）解決方案。

發(fā)表于：12/31/2024

艾邁斯歐司朗光子創(chuàng)新：利用多光譜傳感技術(shù)減少食物浪費(fèi)

　　中國(guó) 上海，2024年12月4日——全球領(lǐng)先的光學(xué)解決方案供應(yīng)商艾邁斯歐司朗（SIX：AMS）今日宣布，艾邁斯歐司朗基于AS7341多光譜傳感器開(kāi)發(fā)的創(chuàng)新應(yīng)用來(lái)解決食物浪費(fèi)這一全球性難題。其多光譜傳感解決方案為農(nóng)業(yè)與食品行業(yè)帶來(lái)深遠(yuǎn)變革，該技術(shù)通過(guò)精確判定最佳收獲時(shí)機(jī)，提升質(zhì)量控制水平，并在整個(gè)供應(yīng)鏈中有效減少浪費(fèi)。

發(fā)表于：12/31/2024

貿(mào)澤電子與Analog Devices和Bourns聯(lián)手發(fā)布全新電子書(shū)

　　2024年12月3日 - 專(zhuān)注于推動(dòng)行業(yè)創(chuàng)新的知名新品引入（NPI）代理商?貿(mào)澤電子（Mouser Electronics）宣布與Analog Devices, Inc. （ADI）和Bourns合作推出全新電子書(shū)，探討氮化鎵（GaN）在效率、性能和可持續(xù)性方面的優(yōu)勢(shì)，以及發(fā)揮這些優(yōu)勢(shì)所面臨的挑戰(zhàn)。

發(fā)表于：12/31/2024

貿(mào)澤推出RISC-V技術(shù)資源中心探索開(kāi)源的未來(lái)

　　2024年12月2日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入（NPI）代理商貿(mào)澤電子（Mouser Electronics）推出內(nèi)容豐富的RISC-V資源中心，為設(shè)計(jì)工程師提供新技術(shù)和新應(yīng)用的相關(guān)知識(shí)。隨著開(kāi)源架構(gòu)日益普及，RISC-V從眾多選項(xiàng)中脫穎而出，成為開(kāi)發(fā)未來(lái)先進(jìn)軟硬件的新途徑。從智能手機(jī)和IoT設(shè)備，再到高性能計(jì)算，RISC-V正在各行各業(yè)中發(fā)展成為更主流的指令集架構(gòu) （ISA）。

發(fā)表于：12/31/2024

CCPAK1212封裝將再次提升Nexperia功率MOSFET的性能表現(xiàn)

　　奈梅亨，2024年12月12日：Nexperia今日宣布推出16款新80 V和100 V功率MOSFET。這些產(chǎn)品均采用創(chuàng)新型銅夾片CCPAK1212封裝，具有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的功率密度和優(yōu)越性能。創(chuàng)新型銅夾片設(shè)計(jì)能夠承載高電流、寄生電感更低且熱性能出色，因此這些器件非常適合電機(jī)控制、電源、可再生能源系統(tǒng)和其他耗電應(yīng)用。該系列還包括專(zhuān)為AI服務(wù)器熱插拔功能設(shè)計(jì)的特定應(yīng)用MOSFET （ASFET）。采用CCPAK封裝的MOSFET提供頂部和底部散熱選項(xiàng)，可實(shí)現(xiàn)高功率密度和可靠的解決方案。所有器件封裝均已在JEDEC注冊(cè)，并配備N(xiāo)experia交互式數(shù)據(jù)手冊(cè)，便于無(wú)縫集成。

發(fā)表于：12/31/2024