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EDA與制造相關(guān)文章

據(jù)稱長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)正考慮提高DDR4產(chǎn)品價(jià)格

據(jù)稱長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)正考慮提高DDR4產(chǎn)4 月 6 日消息，近期多家廠商宣布對(duì) DRAM 內(nèi)存與 NAND 閃存產(chǎn)品價(jià)格進(jìn)行漲價(jià)，而逐漸淡出主流市場(chǎng)的 DDR4 產(chǎn)品也并不例外。據(jù)外媒 DigiTimes 報(bào)道，隨著市場(chǎng)形勢(shì)變化，國(guó)內(nèi) DRAM 制造商長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)（CXMT）正在考慮提高 DDR4 內(nèi)存的價(jià)格，但具體漲價(jià)幅度暫不知悉。

發(fā)表于：4/7/2025

消息稱Rapidus正與蘋果谷歌等業(yè)界主流公司展開(kāi)談判

4 月 5 日消息，據(jù)日經(jīng)亞洲報(bào)道，日本新興芯片制造商 Rapidus 最近正在和蘋果、谷歌、微軟、Meta 等業(yè)界主流科技公司進(jìn)行談判，尋求供應(yīng)合作可能性。盡管與臺(tái)積電（TSMC）相比，Rapidus 仍處于追趕階段，但該公司的 CEO 小池淳義相信，憑借更先進(jìn)的制造技術(shù)，Rapidus 能夠縮小差距。目前 Rapidus 計(jì)劃在 2027 年前實(shí)現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn) 2 納米芯片。

發(fā)表于：4/7/2025

傳三星電子考慮對(duì)DRAM內(nèi)存和NAND閃存產(chǎn)品提價(jià)3%~5%

4 月 7 日消息，韓媒《每日經(jīng)濟(jì)》（IT之家注：即 MK）當(dāng)?shù)貢r(shí)間 3 日?qǐng)?bào)道稱，三星電子正同全球主要客戶就對(duì) DRAM 內(nèi)存和 NAND 閃存的產(chǎn)品價(jià)格上調(diào) 3%~5% 進(jìn)行商討，部分新合同的談判已然啟動(dòng)。

發(fā)表于：4/7/2025

杜邦中國(guó)集團(tuán)涉嫌壟斷被立案調(diào)查

4月4日，中國(guó)市場(chǎng)監(jiān)管總局宣布，因杜邦中國(guó)集團(tuán)有限公司涉嫌違反《中華人民共和國(guó)反壟斷法》，市場(chǎng)監(jiān)管總局依法對(duì)杜邦中國(guó)集團(tuán)有限公司開(kāi)展立案調(diào)查。

發(fā)表于：4/7/2025

ASML前員工竊密案細(xì)節(jié)曝光

2024年12月，一位ASML前員工（A先生）因涉嫌竊取ASML和恩智浦的商業(yè)機(jī)密而被荷蘭政府拘留，荷蘭移民局還對(duì)其實(shí)施了20 年的入境禁令，引發(fā)了外界關(guān)注。近日荷蘭媒體NRC針對(duì)該案件披露了更多的細(xì)節(jié)，并表示該竊密之舉是為了協(xié)助俄羅斯在本土建造一座 28nm 晶圓廠。

發(fā)表于：4/7/2025

傳英特爾與臺(tái)積電將成立合資企業(yè)運(yùn)營(yíng)晶圓代工廠

4月4日消，據(jù)外媒《The information》報(bào)道，兩位參與相關(guān)討論的知情人士稱，英特爾與臺(tái)積電已經(jīng)達(dá)成了雙方成立合資企業(yè)的初步協(xié)議，雙方將共同運(yùn)營(yíng)英特爾在美國(guó)的晶圓廠。

發(fā)表于：4/7/2025

科美存儲(chǔ)發(fā)布首款100%國(guó)產(chǎn)DDR5 RDIMM內(nèi)存條

過(guò)去，在工業(yè)存儲(chǔ)領(lǐng)域，中國(guó)的發(fā)展可謂是凄風(fēng)苦雨、一波三折。存儲(chǔ)芯片，中國(guó)曾高度依賴進(jìn)口，進(jìn)口比例曾高達(dá)90%，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)份額一度下滑至不足4%。同時(shí)，工業(yè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)面臨成本、性能、安全、業(yè)務(wù)等多方面挑戰(zhàn)，如存儲(chǔ)成本高、實(shí)時(shí)性要求難以滿足、數(shù)據(jù)安全存在隱患、傳統(tǒng)接口無(wú)法滿足業(yè)務(wù)需求等。

發(fā)表于：4/3/2025

緯創(chuàng)宣布投資5000萬(wàn)美元在美國(guó)建廠

4月2日，中國(guó)臺(tái)灣電子代工大廠緯創(chuàng)發(fā)布公告，宣布計(jì)劃在美國(guó)投資新設(shè)子公司，注冊(cè)資本為4,500萬(wàn)美元，并擬于不超過(guò)5,000萬(wàn)美元額度內(nèi)，取得美國(guó)土地及廠房。緯創(chuàng)表示，在美國(guó)投資設(shè)立的子公司名為Wistron InfoComm（USA）Corporation（WIUS），此番投資是因業(yè)務(wù)發(fā)展及策略規(guī)劃需要。

發(fā)表于：4/3/2025

龍芯中科宣布2K3000暨龍芯3B6000M成功完成流片

4月3日消息，龍芯中科官方宣布，近日，龍芯2K3000暨龍芯3B6000M成功完成流片，目前已完成初步功能和性能摸底，各項(xiàng)指標(biāo)符合預(yù)期。龍芯2K3000、龍芯3B6000M是基于相同硅片的不同封裝版本，分別面向工控應(yīng)用領(lǐng)域、移動(dòng)終端領(lǐng)域。

發(fā)表于：4/3/2025

晶圓代工巨頭先進(jìn)工藝制程進(jìn)度一覽

4月3日消息，日前舉辦的Vision 2025大會(huì)上，Intel正式宣布18A工藝制程技術(shù)已進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)階段。預(yù)計(jì)今年下半年首發(fā)該工藝的Panther Lake處理器將進(jìn)行大批量生產(chǎn)。

發(fā)表于：4/3/2025

消息稱SK海力士封裝廠產(chǎn)線升級(jí) HBM月產(chǎn)能新增1萬(wàn)片晶圓

4 月 2 日消息，韓媒 ET News 當(dāng)?shù)貢r(shí)間本月 1 日?qǐng)?bào)道稱，SK 海力士已在 3 月末完成了其位于韓國(guó)京畿道利川市的 M10F 工廠的產(chǎn)線改造，該廠從此前負(fù)責(zé)一般 DRAM 產(chǎn)品的后端處理調(diào)整為封裝高附加值、高需求的 HBM 內(nèi)存。消息人士稱 SK 海力士為利川 M10F 工廠引進(jìn)和更換了新項(xiàng)目所需的工藝設(shè)備和原材料，并獲得了消防部門更新的安全許可，該工廠 HBM 封裝產(chǎn)線已于 3 月底開(kāi)始批量生產(chǎn)。

發(fā)表于：4/3/2025

Rapidus 2027年量產(chǎn)2nm芯片仍面臨三大挑戰(zhàn)

近日，日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省宣布，已決定向本土半導(dǎo)體制造商Rapidus再追加8025億日元投資，使得政府援助總額將達(dá)到1.7萬(wàn)億日元，以支持Rapidus實(shí)現(xiàn)2027年在日本量產(chǎn)2nm芯片的目標(biāo)。

發(fā)表于：4/3/2025

創(chuàng)意電子完成全球首款HBM4 IP于臺(tái)積電N3P制程投片

4月2日，先進(jìn)ASIC廠商創(chuàng)意電子宣布成功完成HBM4控制器與實(shí)體層（PHY）半導(dǎo)體IP的投片。該芯片采用臺(tái)積電最先進(jìn)的N3P制程技術(shù)，并結(jié)合CoWoS-R先進(jìn)封裝技術(shù)實(shí)現(xiàn)。

發(fā)表于：4/3/2025

英特爾18A先進(jìn)制程已進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)階段

4 月 2 日消息，英特爾高級(jí)副總裁、英特爾代工部門負(fù)責(zé)人 Kevin O'Buckley 在英特爾 Vision 2025 活動(dòng)上宣布，根據(jù)已向客戶交付的硬件，英特爾代工目前最為先進(jìn)的 Intel 18A 邏輯制程已進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)（IT之家注：Risk Production）階段。

發(fā)表于：4/2/2025

日本芯片制造商Rapidus計(jì)劃2025財(cái)年內(nèi)發(fā)布2nm制程PDK

4 月 1 日消息，日本芯片制造商 Rapidus 今日表示，該企業(yè)計(jì)劃在本月內(nèi)基于已安裝的前端設(shè)備啟動(dòng)中試線，實(shí)現(xiàn) EUV 機(jī)臺(tái)的啟用并繼續(xù)引入其它設(shè)備，推進(jìn) 2nm GAA 先進(jìn)制程技術(shù)的開(kāi)發(fā)。

發(fā)表于：4/2/2025