三星電子HBM3E內(nèi)存性能未滿足英偉達(dá)要求
發(fā)表于:12/12/2024
IBM與Rapidus展示多閾值電壓GAA晶體管合作研發(fā)成果
發(fā)表于:12/12/2024
傳美國將在圣誕節(jié)前推出對華AI芯片限制新規(guī)
發(fā)表于:12/12/2024
魏少軍建議應(yīng)大力發(fā)展不依賴先進(jìn)工藝的芯片設(shè)計(jì)技術(shù)
發(fā)表于:12/12/2024
消息稱三星電子啟動下代1c nm DRAM內(nèi)存量產(chǎn)設(shè)備訂購
發(fā)表于:12/11/2024
三星完成400層NAND Flash開發(fā)
發(fā)表于:12/10/2024