MOSFET的驅(qū)動保護(hù)電路的設(shè)計
所屬分類：技術(shù)論文
上傳者：serena
標(biāo)簽： MOSFET 驅(qū)動保護(hù)電路 場效應(yīng)晶體管
所需積分：1分積分不夠怎么辦？
文檔介紹： 功率場效應(yīng)晶體管由于具有諸多優(yōu)點而得到廣泛的應(yīng)用；但它承受短時過載的能力較弱，使其應(yīng)用受到一定的限制。分析了MOSFET器件驅(qū)動與保護(hù)電路的設(shè)計要求；計算了MOSFET驅(qū)動器的功耗及MOSFET驅(qū)動器與MOSFET的匹配；設(shè)計了基于IR2130驅(qū)動模塊的MOSFET驅(qū)動保護(hù)電路。該電路具有結(jié)構(gòu)簡單，實用性強，響應(yīng)速度快等特點。在驅(qū)動無刷直流電機的應(yīng)用中證明，該電路驅(qū)動能力及保護(hù)功能效果良好。
現(xiàn)在下載
VIP會員，AET專家下載不扣分；重復(fù)下載不扣分，本人上傳資源不扣分。