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Vishay的新款Power Metal Strip®儀表分流電阻在業(yè)內(nèi)首次實現(xiàn)直接PCB安裝

Vishay的新款Power Metal Strip®儀表分流電阻在業(yè)內(nèi)首次實現(xiàn)直接PCB安裝日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款Power Metal Strip®儀表分流電阻--- WSMS2908，在業(yè)內(nèi)首次采用可直接焊到PCB板上的傳感引線，無需昂貴的柔性引線。在2908尺寸的封裝內(nèi)，WSMS2908實現(xiàn)了3W功率和100 μΩ的極低阻值。

發(fā)表于：2/24/2011

三星再度在DRAM市場稱雄

據(jù)初步統(tǒng)計，韓國三星2010年第四季度的DRAM營業(yè)收入為36億美元，在這個87億美元的市場中占據(jù)41.7%的份額。盡管第四季度三星的營業(yè)收入像其它所有DRAM廠商一樣下降，但三星的市場份額比第三季度上升了1個百分點。第三季度總體DRAM市場營業(yè)收入為107億美元。

發(fā)表于：2/24/2011

基于光電雙向晶閘管的ACS交流開關(guān)觸發(fā)電路

今天市場上銷售的固態(tài)開關(guān)采用多種不同的技術(shù)和設(shè)計。標準雙向晶閘管和無緩沖器的雙向晶閘管以及90年代初推出的ACS系列產(chǎn)品是大家最熟悉的固態(tài)開關(guān)產(chǎn)品，這些開關(guān)的導(dǎo)通都是由柵電流觸發(fā)的。

發(fā)表于：2/24/2011

WXH-803光纖電流差動保護的研究

光纖電流差動保護是高壓超高壓線路主保護的發(fā)展方向，本文介紹了基于32位DSP所研制開發(fā)的WXH-803數(shù)字式光纖電流差動保護、在500kV系統(tǒng)動模情況及330kV掛網(wǎng)運行情況。該裝置采用96點高采樣率、快速短窗算法，采用故障分量差動、全電流差動、零序差動作為差動保護的判據(jù)，在500kV系統(tǒng)動模中典型動作時間16－18ms。

發(fā)表于：2/23/2011

飛兆半導(dǎo)體同步整流控制器兼容反激式和正激拓撲，兼具多種工作模式

為了滿足臺式PC、一體化(AIO) PC和筆記本電腦適配器對功效的更高要求，并達到相關(guān)標準規(guī)范，設(shè)計人員需要能夠提高功效并集成更多功能的次級端同步整流(SR)控制器。

發(fā)表于：2/22/2011

element14與松下集團合作伙伴關(guān)系拓展至亞太地區(qū)

element14 - Panasonic歐洲協(xié)議衍生的戰(zhàn)略合作關(guān)系，將為亞太地區(qū)的電子設(shè)計工程師提供6000余種松下被動元件。同時，element14擴充了亞太區(qū)庫存，納入了行業(yè)領(lǐng)先的松下ZNR瞬態(tài)電涌吸收器

發(fā)表于：2/22/2011

集成硅基光傳感器的選擇

光傳感器，也稱為光探測器，可以生長在各種不同的襯底上：鍺、砷化鎵銦、磷化鎵以及硅。所有這些光傳感器都具有可變的光譜和時間響應(yīng)及應(yīng)用功能，但是這類非硅基傳感器的應(yīng)用空間相對較窄，而硅基傳感器則廣泛適用于醫(yī)療、工業(yè)及商業(yè)等領(lǐng)域。

發(fā)表于：2/22/2011

DRAM/NAND芯片現(xiàn)貨均價上周再度下滑

市場調(diào)研公司inSpectrum近日發(fā)布的存儲芯片市場周統(tǒng)計報告顯示，上周DRAM和NAND芯片現(xiàn)貨市場上的平均價格再次有了比較明顯的下滑，相比1月份的穩(wěn)定價格此次的變化對整個市場有一定的影響。

發(fā)表于：2/22/2011

2011慕尼黑上海電子展新品擷英（四）：綠色制造之線束加工

2011年3月15-17日將迎來慕尼黑上海電子展的10周年慶典，全球近500家電子元器件、集成電路及電子生產(chǎn)設(shè)備的頂尖企業(yè)將共同為中國的電子行業(yè)帶來一場技術(shù)盛宴。第四集“慕尼黑上海電子展新品擷英”將為您帶來國內(nèi)外領(lǐng)先企業(yè)的創(chuàng)新線束加工產(chǎn)品，走向更精密。敬請先睹為快！

發(fā)表于：2/21/2011

用PLC高速計數(shù)器和電壓/頻率傳感器測量模擬電壓信號的方法

介紹了用PLC高速計數(shù)器和電壓/頻率傳感器累計測量脈沖的原理，闡明了應(yīng)用中需注意的事項，通過程序?qū)嵗攲嵔榻B了測量模擬電壓信號的方法。

發(fā)表于：2/21/2011

詳解數(shù)字電位器的原理與應(yīng)用

數(shù)字電位器一般帶有總線接口，可通過單片機或邏輯電路進行編程。它適合構(gòu)成各種可編程模擬器件，如可編程增益放大器、可編程濾波器、可編程線性穩(wěn)壓電源及音調(diào)／音量控制電路，真正實現(xiàn)了“把模擬器件放到總線上這一全新設(shè)計理念。

發(fā)表于：2/21/2011

100V 高速同步 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動器在 -40°C 至 150°C 的溫度范圍內(nèi)工作

凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 LTC4444/-5 的 H 級版本，該器件是一款高速、高輸入電源電壓 (100V)、同步 MOSFET 柵極驅(qū)動器，為在同步整流轉(zhuǎn)換器拓撲中驅(qū)動高端和低端 N 溝道功率 MOSFET 而設(shè)計。該驅(qū)動器與功率 MOSFET 以及凌力爾特公司很多 DC/DC 控制器之一相結(jié)合，可構(gòu)成完整的高效率同步穩(wěn)壓器。LTC4444H/-5 在 -40°C 至 150°C 的節(jié)溫范圍內(nèi)工作，而 I 級版本的工作溫度范圍為 -40°C 至 125°C。

發(fā)表于：2/18/2011

精密電阻分類及特性

本文詳細介紹了精密電阻的分類特性及基礎(chǔ)數(shù)據(jù)。

發(fā)表于：2/17/2011

存儲分析網(wǎng)絡(luò)存儲與備份十項關(guān)鍵技術(shù)

有效利用網(wǎng)絡(luò)存儲技術(shù)是任何數(shù)據(jù)存儲管理策略的重要組成部分，僅僅依靠硬盤、JBOD和其它類型的本地存儲是不足以保護關(guān)鍵業(yè)務(wù)數(shù)據(jù)的完整性的，網(wǎng)絡(luò)存儲在這個時候真正顯示出巨大的威力，它不僅可以容納由服務(wù)器產(chǎn)生的業(yè)務(wù)數(shù)據(jù)，還可以容納由PC端產(chǎn)生的數(shù)據(jù)，并為數(shù)據(jù)提供良好的保護。

發(fā)表于：2/17/2011

影響電阻或電阻率測試的因素

影響電阻或電阻率測試的主要因素有環(huán)境溫濕度、測試電壓、測試時間、測試設(shè)備的泄露和外界干擾等。

發(fā)表于：2/16/2011