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影響電阻或電阻率測(cè)試的因素

影響電阻或電阻率測(cè)試的主要因素有環(huán)境溫濕度、測(cè)試電壓、測(cè)試時(shí)間、測(cè)試設(shè)備的泄露和外界干擾等。

發(fā)表于：2/16/2011

iPhone基帶軟件充滿漏洞缺陷將被曝光

蘋(píng)果iPhone無(wú)疑是世界上最受歡迎的智能手機(jī)之一，由于該產(chǎn)品極為受寵，很多瑕疵都被用戶所忽略，就像是iPhone 4(參數(shù) 報(bào)價(jià) 圖片論壇軟件)的新號(hào)問(wèn)題。實(shí)際上早在iPhone 4之前，美國(guó)AT&T的iPhone用戶就已經(jīng)頻頻抱怨手機(jī)頻繁掉線，只不過(guò)當(dāng)時(shí)用戶和蘋(píng)果都將矛頭指向了AT&T，然而，美國(guó)《紐約時(shí)報(bào)》媒體卻在近日聲稱，這并不能完全歸咎于AT&T，蘋(píng)果自身也存在一些設(shè)計(jì)問(wèn)題。如果真的是這樣，那么隨著Verizon開(kāi)始引入CDMA版 iPhone，這些缺陷就會(huì)隨之曝光。

發(fā)表于：2/16/2011

英飛凌面向硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用的新一代650V超結(jié)器件

隨著功率密度不斷提高，半橋和全橋等軟開(kāi)關(guān)拓?fù)涑蔀槔硐氲慕鉀Q方案。由于改善了功率器件上di/dt和dv/dt的動(dòng)態(tài)性能，采用這些拓?fù)淇山档拖到y(tǒng)的開(kāi)關(guān)損耗，提高可靠性。

發(fā)表于：2/16/2011

美光公司用ClearNAND閃存改善系統(tǒng)設(shè)計(jì)

自問(wèn)世以來(lái)，NAND閃存對(duì)ECC（糾錯(cuò)碼）糾錯(cuò)能力的要求越來(lái)越高。雖然這不是一個(gè)新問(wèn)題，但是支持最新的多層單元（MLC）架構(gòu)和每單元存儲(chǔ)三位數(shù)據(jù)技術(shù)所需的ECC糾錯(cuò)能力讓系統(tǒng)人員越來(lái)越難以應(yīng)付。

發(fā)表于：2/16/2011

Ramtron在IIC China 2011展會(huì)上展示MaxArias無(wú)線存儲(chǔ)器

世界頂尖的低功率鐵電存儲(chǔ)器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開(kāi)發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation將在今年2月24至26日于深圳會(huì)展中心舉行的IIC China 展會(huì)上展示F-RAM技術(shù)的諸多優(yōu)勢(shì) (展臺(tái)號(hào)：2L19)。Ramtron專家將在展臺(tái)進(jìn)行現(xiàn)場(chǎng)演示，并回答有關(guān)獲獎(jiǎng)的MaxArias?無(wú)線存儲(chǔ)器等半導(dǎo)體解決方案的各種問(wèn)題。

發(fā)表于：2/15/2011

IR 推出新型DirectFETplus功率MOSFET系列，可將DC-DC開(kāi)關(guān)應(yīng)用效率提升2%

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出DirectFETplus功率MOSFET系列，采用了IR的新一代硅技術(shù)，可為 12V輸入同步降壓應(yīng)用提供最佳效率，這些應(yīng)用包括新一代服務(wù)器、臺(tái)式電腦和筆記本電腦。

發(fā)表于：2/15/2011

CSA集團(tuán)任命MAGALI DEPRAS 女士為歐洲區(qū)副總裁及廣東加華美認(rèn)證公司董事會(huì)成員

CSA集團(tuán)總裁兼首席執(zhí)行官Ash Sahi先生今日宣布，任命Magali Depras女士為CSA集團(tuán)歐洲區(qū)副總裁，即日生效。Depras女士將在德國(guó)法蘭克福辦公，主要負(fù)責(zé)加速CSA服務(wù)和產(chǎn)品在歐洲地區(qū)的增長(zhǎng)，并為所有歐洲客戶帶來(lái)CSA的全球服務(wù)。

發(fā)表于：2/15/2011

表面貼裝 3A LDO 非常容易并聯(lián)，在不產(chǎn)生任何熱點(diǎn)的情況下提供大的 IOUT

凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 3A LDO LT3083，該器件可并聯(lián)以分散熱量，并提供更大的輸出電流，它還可用單個(gè)電阻器調(diào)節(jié)。LT3083 與先于其推出的 1.1A 同類器件 LT3080 基于相同的創(chuàng)新型架構(gòu)，它采用了一個(gè)電流源基準(zhǔn)以利用單個(gè)電阻器來(lái)設(shè)定輸出電壓。當(dāng) SET 引腳連在一起時(shí)，用一小段 PC 走線作為鎮(zhèn)流器，就可在多個(gè)穩(wěn)壓器之間均流并分散熱量，從而在所有表面貼裝系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)數(shù)安培的線性調(diào)節(jié)，而無(wú)需散熱器。

發(fā)表于：2/14/2011

泰科電子雙向硅ESD保護(hù)器件幫助減少組裝挑戰(zhàn)　泰科電子推出標(biāo)準(zhǔn)0201和0402封裝的ChipSESD保護(hù)器件

泰科電子(TE)日前宣布推出比傳統(tǒng)半導(dǎo)體封裝更易安裝和返修的0201和0402尺寸的靜電放電(ESD)器件，以擴(kuò)展其硅ESD保護(hù)產(chǎn)品系列。該ChipSESD封裝將一個(gè)硅器件和一個(gè)傳統(tǒng)表面貼裝技術(shù)(SMT)被動(dòng)封裝配置的各種優(yōu)勢(shì)結(jié)合在一起。

發(fā)表于：2/14/2011

英飛凌推出集成快速體二極管的650V MOSFET，第35億顆高壓MOSFET順利下線，全面致力于提升能效

2011年1月19日，英飛凌位于奧地利菲拉赫工廠生產(chǎn)的第35億顆CoolMOS? 高壓MOSFET順利下線。這使英飛凌成為全球最成功的500V至900V晶體管供應(yīng)商。通過(guò)不斷改進(jìn)芯片架構(gòu)，使得CoolMOS? 晶體管技術(shù)不斷優(yōu)化，這為取得成功奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

發(fā)表于：2/14/2011

NAND Flash下半年需求急增價(jià)格陷拔河賽

農(nóng)歷春節(jié)前這一波DRAM價(jià)格漲的又急又猛，記憶體業(yè)者表示，其實(shí)DRAM終端需求并沒(méi)這么強(qiáng)，但過(guò)去DRAM急漲現(xiàn)象常發(fā)生，應(yīng)以平常心看待，反觀NANDFlash市場(chǎng)未來(lái)在傳統(tǒng)記憶卡和隨身碟市場(chǎng)要再成長(zhǎng)并不容易。

發(fā)表于：2/14/2011

2011年DRAM市場(chǎng)五項(xiàng)發(fā)展趨勢(shì)

Muse表示，2011年NAND市場(chǎng)前景不錯(cuò)，但DRAM市場(chǎng)可能相反；主要是因?yàn)槠桨咫娔X開(kāi)始蠶食低階筆記本電腦與迷你筆電(netbook)市場(chǎng)，在這種情況下，原本較小尺寸筆記本電腦所搭載的DRAM量，平均每臺(tái)約2GB，卻被代換成平板電腦每臺(tái)僅256Mb、也就是只有1/8的平均搭載量，意味著DRAM將供應(yīng)過(guò)剩。

發(fā)表于：2/14/2011

芯片熱阻計(jì)算及散熱器/片的選擇

任何器件在工作時(shí)都有一定的損耗，大部分的損耗變成熱量。小功率器件損耗小，無(wú)需散熱裝置。而大功率器件損耗大，若不采取散熱措施，則管芯的溫度可達(dá)到或超過(guò)允許的結(jié)溫，器件將受到損壞。

發(fā)表于：2/13/2011

Spansion公司針對(duì)手機(jī)和機(jī)對(duì)機(jī)（M2M）應(yīng)用市場(chǎng)推出全新VS-R系列產(chǎn)品

2011年2月11日，中國(guó)上?！猄pansion公司（NYSE: CODE）今日宣布推出Spansion® VS-R系列產(chǎn)品，幫助無(wú)線手機(jī)制造商針對(duì)如中國(guó)、印度、東南亞、非洲和拉丁美洲等新興市場(chǎng)，提供經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的入門(mén)級(jí)手機(jī)。同時(shí)，該系列產(chǎn)品也非常適用于蜂窩型機(jī)對(duì)機(jī)（M2M）應(yīng)用，如遠(yuǎn)程醫(yī)療監(jiān)控設(shè)備、車隊(duì)通訊管理和自動(dòng)販賣機(jī)。

發(fā)表于：2/11/2011

電弧傳感器焊縫跟蹤系統(tǒng)

本文對(duì)國(guó)內(nèi)外焊縫跟蹤系統(tǒng)電弧傳感技術(shù)、信號(hào)處理技術(shù)和控制技術(shù)的研究現(xiàn)狀分別做一介紹，在此基礎(chǔ)上總結(jié)出一套較為先進(jìn)的焊縫跟蹤系統(tǒng)的實(shí)施方案，為焊縫跟蹤系統(tǒng)研制提供依據(jù)。

發(fā)表于：2/11/2011