微波射頻相關(guān)文章 聯(lián)華電子第四季度凈利潤增46% 聯(lián)華電子(UnitedMicroelectronicsCorp.,UMC)日前公布，受晶圓發(fā)貨量強(qiáng)勁增長提振，去年第四季度凈利潤增長46%。但該公司表示，美國和新興市場經(jīng)濟(jì)的不確定性可能令今年芯片需求受到抑制。 發(fā)表于：1/27/2011 芯片封裝技術(shù)詳解 自從美國Intel公司1971年設(shè)計(jì)制造出4位微處a理器芯片以來，在20多年時間內(nèi)，CPU從Intel4004、80286、80386、80486發(fā)展到Pentium和PentiumⅡ，數(shù)位從4位、8位、16位、32位發(fā)展到64位;主頻從幾兆到今天的400MHz以上... 發(fā)表于：1/27/2011 Vishay Siliconix的TrenchFET®功率MOSFET具有業(yè)內(nèi)P溝道器件的最低導(dǎo)通電阻 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款8V P溝道TrenchFET® 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強(qiáng)型PowerPAK® SC-70封裝，具有迄今為止P溝道器件所能達(dá)到的最低導(dǎo)通電阻。 發(fā)表于：1/26/2011 下一代無源光網(wǎng)絡(luò)技術(shù) PON技術(shù)是一種典型的電到多點(diǎn)接入技術(shù)，由局側(cè)光線路終端（OLT）、用戶側(cè)光網(wǎng)絡(luò)單元（ONU）以及光分配網(wǎng)絡(luò)（ODN）組成?！盁o源”是指ODN中不含有任何有源電子器件及電源，全部由光纖和光分/合路器（Splitter）等無源光器件組成。 發(fā)表于：1/26/2011 光纖位移傳感器的工作原理與仿真 加拿大Roctest公司生產(chǎn)了一種商業(yè)用途的光纖位移傳感器（Fiber-Optic Linear Position & Displacement Sensor, FO－LPDS），這種傳感器使用了Fizeau干涉儀解調(diào)專利技術(shù)（US patent #5202939/#5392117），具有結(jié)構(gòu)簡單、精度高和響應(yīng)快的優(yōu)點(diǎn)，目前已經(jīng)在土木工程領(lǐng)域得到了成功的應(yīng)用。本文將詳細(xì)介紹該種傳感器的原理和用途。 發(fā)表于：1/25/2011 MEMS硅膜電容式氣象壓力傳感器的研制 利用硅膜的良好機(jī)械特性，采用接觸式的結(jié)構(gòu)，通過簡單標(biāo)準(zhǔn)的工藝制造出了電容式壓力傳感器樣片。經(jīng)過對傳感器的測試和分析，證明這種傳感器可應(yīng)用于氣象壓力的測量。如何改進(jìn)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和工藝制造，提高傳感器的測量精度是下一步研究工作的重點(diǎn)。 發(fā)表于：1/24/2011 Maxim推出帶有LDD接口的SFP+控制器 Maxim推出帶有數(shù)字激光二極管驅(qū)動器(LDD)接口的小外形可插拔(SFP+)控制器DS1878。DS1878基于狀態(tài)機(jī)，無需進(jìn)行枯燥的軟件開發(fā)工作。器件能夠輕松滿足SFF-8472標(biāo)準(zhǔn)的要求，大大縮短產(chǎn)品上市時間。此外，作為光收發(fā)器設(shè)計(jì)人員理想的高可靠性I²C控制器選擇，DS1878可有效提高SFP+光收發(fā)器模塊的可靠性。 發(fā)表于：1/24/2011 Vishay Siliconix的TrenchFET®功率MOSFET具有業(yè)內(nèi)P溝道器件的最低導(dǎo)通電阻 賓夕法尼亞、MALVERN— 2011 年1 月24 日— 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款8V P溝道TrenchFET® 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mmx 2mm占位面積的熱增強(qiáng)型PowerPAK® SC-70封裝，具有迄今為止P溝道器件所能達(dá)到的最低導(dǎo)通電阻。 發(fā)表于：1/24/2011 MEMS增長動力在消費(fèi)電子和手機(jī) 微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)市場2010年強(qiáng)勁增長，營業(yè)收入同比增長18.3%。但據(jù)IHSiSuppli公司的最新研究，這只是MEMS和傳感器市場新一輪兩位數(shù)增長周期的開始，其增長趨勢將持續(xù)到2014年。 發(fā)表于：1/24/2011 起因于RTN的SRAM誤操作進(jìn)行觀測并模擬的方法 瑞薩電子開發(fā)出了對起因于隨機(jī)電報(bào)噪聲（RTN：RandomTelegraphNoise）的SRAM誤操作進(jìn)行觀測并實(shí)施模擬的方法。利用該方法可高精度地估計(jì)22nm以后尖端LSI中的RTN影響，適當(dāng)設(shè)定針對RTN的設(shè)計(jì)余度。 發(fā)表于：1/24/2011 延長導(dǎo)通時間可減小輸入電容容量 基于微處理器的器件需要使用穩(wěn)壓電源(PSU)以檢測輸入功率損耗和繼續(xù)在完成內(nèi)存?zhèn)浞?即將關(guān)鍵數(shù)據(jù)寫入非易失性存儲器)的時間內(nèi)進(jìn)行供電。 發(fā)表于：1/24/2011 2011年存儲產(chǎn)業(yè)將保持增長 據(jù)IHSiSuppli公司，由于企業(yè)需求強(qiáng)勁，包括硬盤(HDD)在內(nèi)的全球存儲產(chǎn)品出貨量2011年預(yù)計(jì)增長10%以上。HDD與固態(tài)硬盤(SSD)的合計(jì)出貨量2011年將增長到5.472億個，比2010年的4.93億增長10.9%。隨著全球經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇，對于存儲產(chǎn)品的需求上升，HDD和SSD都將從中受益。 發(fā)表于：1/24/2011 ClearNAND閃存改善系統(tǒng)設(shè)計(jì) 美光公司的增強(qiáng)型ClearNAND閃存為系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員提供更高的性能和更多的功能，同時緩解了NAND閃存對ECC糾錯能力的日益嚴(yán)格的要求。增強(qiáng)型ClearNAND閃存支持與標(biāo)準(zhǔn)100-Ball BGA NAND閃存相似的焊球排列，用戶可以設(shè)計(jì)出同時支持這兩種封裝的產(chǎn)品。例如，該產(chǎn)品將使SSD主控制器擁有充足的ECC糾錯能力來直接支持SLC NAND閃存，選擇增強(qiáng)型ClearNAND閃存還能滿足ECC面臨更大挑戰(zhàn)的多級單元需求。 發(fā)表于：1/22/2011 MEMS開始新的兩位數(shù)增長階段 微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)市場2010年強(qiáng)勁增長，營業(yè)收入同比增長18.3%。但據(jù)IHS iSuppli公司的最新研究，這只是MEMS和傳感器市場新一輪兩位數(shù)增長周期的開始，其增長趨勢將持續(xù)到2014年。 發(fā)表于：1/21/2011 e絡(luò)盟引進(jìn)Helieon®可持續(xù)照明模塊 e絡(luò)盟（前身為派睿電子）母公司element14今天宣布，Molex高效、易用的Helieon?可持續(xù)照明模塊，正式加入element14及其子公司e絡(luò)盟的產(chǎn)品庫存目錄中。Molex是連接器和互連元件及解決方案的全球領(lǐng)先制造商和供應(yīng)商。 發(fā)表于：1/21/2011 ?…131132133134135136137138139140…?
