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基于快速余差查表法的脈沖多普勒雷達(dá)解距離模糊算法

解距離模糊是中頻脈沖重復(fù)頻率的脈沖多普勒雷達(dá)關(guān)鍵技術(shù)之一。提出了采用快速余差查表法有效解決PD雷達(dá)距離模糊問(wèn)題的算法。該算法的運(yùn)算量較少，實(shí)時(shí)處理能力強(qiáng)。以3重CPI進(jìn)行仿真實(shí)驗(yàn)，表明該算法能夠保證低虛警概率和較高的解模糊的正確性，并能夠滿足PD雷達(dá)信號(hào)處理的實(shí)時(shí)處理要求。

發(fā)表于：3/5/2017

基于FPGA的流水線單精度浮點(diǎn)數(shù)乘法器設(shè)計(jì)

針對(duì)現(xiàn)有的采用Booth算法與華萊士（Wallace）樹(shù)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的浮點(diǎn)乘法器運(yùn)算速度慢、布局布線復(fù)雜等問(wèn)題，設(shè)計(jì)了基于FPGA的流水線精度浮點(diǎn)數(shù)乘法器。該乘法器采用規(guī)則的Vedic算法結(jié)構(gòu)，解決了布局布線復(fù)雜的問(wèn)題；使用超前進(jìn)位加法器（Carry Lookahead Adder，CLA）將部分積并行相加，以減少路徑延遲；并通過(guò)優(yōu)化的4級(jí)流水線結(jié)構(gòu)處理，在Xilinx ISE 14.7軟件開(kāi)發(fā)平臺(tái)上通過(guò)了編譯、綜合及仿真驗(yàn)證。結(jié)果證明，在相同的硬件條件下，本文所設(shè)計(jì)的浮點(diǎn)乘法器與基4-Booth算法浮點(diǎn)乘法器消耗時(shí)鐘數(shù)的比值約為兩者消耗硬件資源比值的1.56倍。

發(fā)表于：3/5/2017

多核DSP間基于SRIO數(shù)據(jù)傳輸?shù)脑O(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

在使用Digital Signal Processor (DSP)芯片進(jìn)行數(shù)字信號(hào)處理時(shí)，由于數(shù)據(jù)量大，線程較多，通常采用多片DSP協(xié)同處理。本文旨在研究DSP間數(shù)據(jù)和信息傳輸?shù)膶?shí)現(xiàn)，并以三片TI的 TMS320C6474芯片為例，基于SRIO協(xié)議，設(shè)計(jì)一種傳輸架構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了DSP間的數(shù)據(jù)傳輸。最終實(shí)現(xiàn)DSP間2.520 Gb/s的數(shù)據(jù)傳輸速率，為理論值的50.40%，但如果除去線程調(diào)度和DSP間同步所用時(shí)間，其SRIO接口的數(shù)據(jù)傳輸速率可達(dá)到3.886 Gb/s，為理論值的77.72%。該設(shè)計(jì)具有較大的通用性，對(duì)其他同類型的芯片間的數(shù)據(jù)傳輸設(shè)計(jì)具有極大的參考性。

發(fā)表于：3/5/2017

基于歷史數(shù)據(jù)的軟件測(cè)試數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)分析研究

從大數(shù)據(jù)的角度，利用軟件測(cè)試歷史數(shù)據(jù)，分析和研究軟件開(kāi)發(fā)及測(cè)試過(guò)程，為軟件質(zhì)量保證和項(xiàng)目管理及組織能力建設(shè)提供了新的思路。在組織內(nèi)部建立測(cè)試數(shù)據(jù)收集機(jī)制，對(duì)軟件測(cè)試相關(guān)數(shù)據(jù)進(jìn)行收集，建立數(shù)據(jù)分析模型，從軟件開(kāi)發(fā)過(guò)程、軟件測(cè)試過(guò)程、軟件缺陷數(shù)據(jù)等方面對(duì)測(cè)試數(shù)據(jù)進(jìn)行分析，獲得多個(gè)具有實(shí)際意義的量化指標(biāo)，將此指標(biāo)反饋到軟件開(kāi)發(fā)和軟件測(cè)試及項(xiàng)目管理等過(guò)程中，顯著提高了軟件產(chǎn)品質(zhì)量及工作效率，降低了過(guò)程風(fēng)險(xiǎn)，提高了組織市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)能力。

發(fā)表于：3/4/2017

基于LVS的數(shù)據(jù)庫(kù)集群負(fù)載均衡性能測(cè)試與分析

Linux虛擬服務(wù)器（Linux Virtual Server，LVS）技術(shù)是一種廣泛應(yīng)用于企業(yè)集群中的負(fù)載均衡技術(shù)，目前關(guān)于LVS的研究主要是基于Web服務(wù)器集群負(fù)載均衡性能方面。在一些實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景中，LVS可以直接與數(shù)據(jù)庫(kù)集群相結(jié)合。將LVS與數(shù)據(jù)庫(kù)集群結(jié)合，提出一種對(duì)LVS架構(gòu)下數(shù)據(jù)庫(kù)集群性能進(jìn)行測(cè)試的方案，并利用HP LoadRunner對(duì)負(fù)載均衡算法的數(shù)據(jù)庫(kù)集群進(jìn)行負(fù)載測(cè)試實(shí)驗(yàn)，通過(guò)數(shù)據(jù)分析比較，得出LVS提供的算法中較適合數(shù)據(jù)庫(kù)集群的調(diào)度算法。

發(fā)表于：3/4/2017

三星18nm PC存儲(chǔ)器良率出問(wèn)題緊急召回

三星近來(lái)狀況頻傳，在 Galaxy Note 7 電池出包與管理層級(jí)涉及行賄被起訴后，近日業(yè)界又傳出其產(chǎn)業(yè)重心記憶體模組產(chǎn)品良率出問(wèn)題需緊急召回，由于三星于 PC DRAM 市占過(guò)半，這次良率出問(wèn)題除了可能讓三星集團(tuán)的處境雪上加霜外，也會(huì)讓價(jià)格已上揚(yáng)的PC DRAM價(jià)格再度飆高。

發(fā)表于：3/3/2017

基于數(shù)據(jù)倉(cāng)庫(kù)的科學(xué)儀器設(shè)備數(shù)據(jù)分析系統(tǒng)

：如何節(jié)省在科學(xué)儀器設(shè)備管理工作中對(duì)數(shù)據(jù)分析投入的人力物力并提高管理效率是科技管理部門十分關(guān)注的問(wèn)題。利用數(shù)據(jù)倉(cāng)庫(kù)技術(shù)可以對(duì)現(xiàn)有的科學(xué)儀器設(shè)備數(shù)據(jù)進(jìn)行多維分析，以便有效利用分析數(shù)據(jù)輔助管理者決策。文章?lián)朔治隽丝茖W(xué)儀器設(shè)備數(shù)據(jù)源，提出了分析主題，通過(guò)模型設(shè)計(jì)、ETL功能以及OLAP功能的設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了一個(gè)基于數(shù)據(jù)倉(cāng)庫(kù)的科學(xué)儀器設(shè)備數(shù)據(jù)分析系統(tǒng)。系統(tǒng)的開(kāi)發(fā)研究證明了數(shù)據(jù)倉(cāng)庫(kù)技術(shù)在科學(xué)儀器設(shè)備管理上應(yīng)用的可行性，并為進(jìn)一步建立基于數(shù)據(jù)倉(cāng)庫(kù)的科技數(shù)據(jù)決策支持系統(tǒng)打下了基礎(chǔ)。

發(fā)表于：3/2/2017

基于高維數(shù)據(jù)聚類的制造過(guò)程數(shù)據(jù)分析平臺(tái)

隨著制造業(yè)領(lǐng)域工藝技術(shù)的不斷進(jìn)步，大量感知設(shè)備如同人體器官一樣，被部署到制造過(guò)程中的各個(gè)重要節(jié)點(diǎn)，產(chǎn)生著海量制造過(guò)程數(shù)據(jù)。針對(duì)這些海量制造過(guò)程數(shù)據(jù)，制造業(yè)領(lǐng)域越來(lái)越需要科學(xué)、敏捷、高效的數(shù)據(jù)分析平臺(tái)，為制造過(guò)程數(shù)據(jù)的分析提供智力支持和決策支持。針對(duì)這種需求，文章采用高維數(shù)據(jù)聚類技術(shù)結(jié)合Spring、Mybatis等成熟的敏捷開(kāi)發(fā)框架，開(kāi)發(fā)了制造過(guò)程數(shù)據(jù)分析平臺(tái)。該設(shè)計(jì)不僅可以針對(duì)歷史數(shù)據(jù)進(jìn)行分析，還可以實(shí)時(shí)監(jiān)控生產(chǎn)線上的動(dòng)態(tài)流程數(shù)據(jù)，提高數(shù)據(jù)分析和決策效率。

發(fā)表于：3/2/2017

英特爾 10 納米良率傳偏低量產(chǎn)延后

10 納米先進(jìn)制程良率低，英特爾、臺(tái)積電全球兩大晶圓廠先后都傳出有類似問(wèn)題待克服。

發(fā)表于：3/2/2017

聯(lián)電14納米FinFET開(kāi)始量產(chǎn)

臺(tái)灣晶圓代工大廠聯(lián)華電子(UMC，以下簡(jiǎn)稱聯(lián)電)宣布，該公司自主研發(fā)的14納米鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)制程技術(shù)，已成功進(jìn)入客戶晶片量產(chǎn)階段。出貨給主要客戶的14納米量產(chǎn)晶圓，良率已達(dá)先進(jìn)制程的業(yè)界競(jìng)爭(zhēng)水準(zhǔn)，此制程將幫助客戶開(kāi)拓嶄新的應(yīng)用于電子產(chǎn)品。

發(fā)表于：3/2/2017

比NAND快千倍中芯國(guó)際瞄準(zhǔn)ReRAM？

比NAND閃存更快千倍 40納米R(shí)eRAM在中芯國(guó)際投產(chǎn)引起業(yè)界關(guān)注!曾經(jīng)一度大舉退出內(nèi)存生產(chǎn)的中芯國(guó)際，為何鎖定瞄準(zhǔn)ReRAM?主要原因在于ReRAM應(yīng)用在物聯(lián)網(wǎng)(IoT)裝置擁有愈長(zhǎng)的電池續(xù)航力，一來(lái)可節(jié)省維護(hù)成本、二來(lái)有助提高物聯(lián)網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施可持續(xù)性。

發(fā)表于：3/1/2017

芯片競(jìng)爭(zhēng)激烈促成美國(guó)制造商抱團(tuán)

猶他州李海的IM Flash工廠座落于瓦薩奇山脈腳下，堪稱美國(guó)高科技制造業(yè)的典范。在這家工廠，裝載著餐盤般大小硅片的機(jī)器人在天花板上穿梭，往來(lái)于巨大的機(jī)器之間。這些機(jī)器從顯微層面對(duì)原材料進(jìn)行蝕刻與沉積，制造世界上最先進(jìn)的存儲(chǔ)芯片。

發(fā)表于：3/1/2017

半導(dǎo)體制造增速首超設(shè)計(jì) 呼喚IDM龍頭

近日，國(guó)內(nèi)兩家最主要的半導(dǎo)體制造上市公司中芯國(guó)際和華虹半導(dǎo)體前后發(fā)布2016年財(cái)報(bào)，業(yè)績(jī)均創(chuàng)新高，其中中芯國(guó)際2016 年銷售總額為29 億美元，收入同比上升 30.3%;華虹半導(dǎo)體銷售收入7.214億美元，同比增長(zhǎng)11.0%。

發(fā)表于：3/1/2017

低開(kāi)銷片上網(wǎng)絡(luò)容錯(cuò)傳輸機(jī)制

隨著工藝的不斷進(jìn)步，片上網(wǎng)絡(luò)可靠性問(wèn)題越發(fā)嚴(yán)峻。為了平衡性能和功耗，研究者們提出了許多針對(duì)鏈路比特錯(cuò)誤的傳輸機(jī)制，提出了一種基于糾錯(cuò)編碼和重傳方案的傳輸機(jī)制，在此機(jī)制中，路由器只提供對(duì)包頭進(jìn)行檢驗(yàn)的檢錯(cuò)器，并重用網(wǎng)絡(luò)接口中的譯碼器對(duì)整個(gè)數(shù)據(jù)包進(jìn)行糾錯(cuò)。通過(guò)使用輕量級(jí)的檢錯(cuò)電路減少了硬件和功耗開(kāi)銷，并且保證時(shí)延開(kāi)銷與端到端和點(diǎn)到點(diǎn)的糾錯(cuò)方案相同。

發(fā)表于：2/28/2017

為先進(jìn)制程臺(tái)積電研發(fā)支出將增加15%

臺(tái)積電持續(xù)提升先進(jìn)制程技術(shù)，7納米制程預(yù)計(jì)第1季試產(chǎn)，明年開(kāi)始量產(chǎn)，今年資本支出將維持100億美元新高規(guī)模，尤其今年研發(fā)支出將增加15%。

發(fā)表于：2/27/2017