EDA與制造相關文章 臺積電日本子公司第二晶圓廠調(diào)整為今年內(nèi)動工 2 月 24 日消息，據(jù)日本熊本縣當?shù)孛襟w《熊本日日新聞》當?shù)貢r間 21 日報道，臺積電日本子公司 JASM 位于熊本縣的第二晶圓廠動工建設時間已從 2025 年一季度調(diào)整為 2025 年內(nèi)，不過該晶圓廠 2027 年投產(chǎn)的計劃沒有發(fā)生改變。 發(fā)表于：2/25/2025 英特爾首批兩臺ASML高數(shù)值孔徑光刻機已投產(chǎn) 2 月 25 日消息，英特爾公司于當?shù)貢r間周一宣布，其工廠已開始使用 ASML 公司的首批兩臺先進光刻機進行生產(chǎn)。早期數(shù)據(jù)顯示，這些新型光刻機的可靠性優(yōu)于舊款機型。 發(fā)表于：2/25/2025 消息稱三星V10 NAND將使用長江存儲的混合鍵合專利 2 月 24 日消息，隨著存儲行業(yè)的激烈競爭，推動 NAND 技術不斷進步，一個令人驚訝的消息出現(xiàn)了： 據(jù)韓媒 ZDNet 今日報道，三星可能將使用中國長江存儲的混合鍵合專利，從其 V10（第 10 代）NAND 開始。 報道稱，三星計劃于 2025 年下半年開始大規(guī)模生產(chǎn)其 V10 NAND，該產(chǎn)品預計將具有約 420 至 430 層。 報道還提到，三星和 SK 海力士據(jù)說正在與長江存儲協(xié)商一項專利協(xié)議。 發(fā)表于：2/25/2025 三星電機已關停昆山工廠退出HDI業(yè)務 2 月 24 日消息，據(jù)韓聯(lián)社，三星電機今日發(fā)布的 2024 年審計報告顯示，三星已于去年底完成 15 年歷史的昆山三星電機有限公司清算工作，正式退出高密度互連（HDI）智能手機主板業(yè)務。 國家企業(yè)信用信息公示系統(tǒng)的記錄也證實了這一變化，顯示昆山三星電機有限公司的企業(yè)狀態(tài)在去年 10 月 24 日由存續(xù)變更為注銷，注銷原因為決議解散。 發(fā)表于：2/25/2025 合見工軟成功實現(xiàn)國產(chǎn)首個跨工藝UCIe IP互連 2025年2月24日——中國數(shù)字EDA龍頭企業(yè)上海合見工業(yè)軟件集團有限公司（簡稱“合見工軟”）今日宣布，實現(xiàn)國產(chǎn)首個跨工藝節(jié)點的UCIe IP互連技術驗證，在采用臺積電N6和三星SF5工藝制造的UCIe測試芯片之間成功完成互操作性測試，在Die-to-Die (D2D) 場景下支持高達24GT/s的數(shù)據(jù)傳輸，并進一步突破實現(xiàn)了Chip-to-Chip (C2C)互連應用，達到16GT/s的穩(wěn)定數(shù)據(jù)互操作測試。 發(fā)表于：2/25/2025 臺積電今年超70%先進封裝產(chǎn)能被英偉達包下 2月24日消息，據(jù)臺媒《經(jīng)濟日報》報道稱，近日業(yè)界傳出消息，英偉達（NVIDIA）最新Blackwell構(gòu)架GPU芯片需求強勁，已包下臺積電今年超過70%的CoWoS-L先進封裝產(chǎn)能，出貨量以每季環(huán)比增長20%以上逐季沖高，助力臺積電營運熱轉(zhuǎn)。 發(fā)表于：2/24/2025 臺積電強調(diào)2nm制程將如期在下半年量產(chǎn) 2 月 23 日消息，中國臺灣《經(jīng)濟日報》昨晚報道稱，業(yè)界消息稱臺積電 2nm 制程月產(chǎn)今年底前有望達到 5 萬片，甚至有機會邁上 8 萬片。 臺積電對此不予評論，僅強調(diào) 2nm 制程技術進展良好，將如期在今年下半年量產(chǎn)。 發(fā)表于：2/24/2025 Intel 18A工藝正式開放代工 2月23日消息，Intel官方網(wǎng)站悄然更新了對于18A(1.8nm級)工藝節(jié)點的描述，稱已經(jīng)做好了迎接客戶項目的準備，將在今年上半年開始流片，有需求的客戶可以隨時聯(lián)系。 Intel宣稱，這是在北美地區(qū)率先量產(chǎn)的2nm以下工藝節(jié)點，已經(jīng)有多達35家行業(yè)生態(tài)伙伴，涵蓋EDA芯片設計工具、IP知識產(chǎn)權、設計服務、云服務、航空國防等各個領域。 發(fā)表于：2/24/2025 三星量產(chǎn)Exynos 2500良率仍低于50% 2月22日消息，據(jù)外媒Thebell報道，三星電子已經(jīng)開始量產(chǎn)新一代旗艦移動處理器Exynos 2500，晶圓測試最早將于 3 月開始，可能將首發(fā)于三星今年下半年發(fā)布的入門級折疊屏新機Galaxy Z Flip FE。但由于3nm GAA 良率低的問題依然存在，因此目前無法擴大規(guī)模，初期的產(chǎn)能只有每月5000片。 發(fā)表于：2/24/2025 AMD擬40億美元出售服務器制造工廠 2月23日消息，根據(jù)彭博資訊引述知情人士說法報道稱，處理器大廠AMD有意出售此前收購的ZT Systems公司旗下的服務器制造工廠，目前正與一些臺系服務器代工廠洽談中，包括仁寶、英業(yè)達、和碩、緯創(chuàng)在內(nèi)，都已表達有收購意愿。 發(fā)表于：2/24/2025 三星將LPDDR5速率提高到12.7Gb/s 2月22日消息，三星電子近日在國際固態(tài)電路會議 （ISSCC） 上引入了 LPDDR5 規(guī)范的另一項擴展，將數(shù)據(jù)傳輸速率提高到 12,700 Mb/s （12.7 Gb/s），成為了全球速度最快的 LPDDR5 DRAM。為了提高速度，三星在其 DRAM 芯片（稱為 LPDDR5-Ultra-Pro DRAM）中添加四相自校準和交流耦合收發(fā)器均衡等技術。 發(fā)表于：2/24/2025 Silicon Labs獲得德克薩斯州2300萬美元補貼 當?shù)貢r間2025年2月19日，互聯(lián)安全及智能無線技術領導廠商Silicon Labs宣布，其已獲得由《德克薩斯州芯片法案》設立的德克薩斯半導體創(chuàng)新基金 （TSIF） 提供的 2300 萬美元補貼，將支持其在奧斯汀建立新的研發(fā) （R?&D） 實驗室，幫助創(chuàng)造和維持當?shù)鼐蜆I(yè)機會，并加強 Silicon Labs 對維護德克薩斯州中部作為首屈一指的技術中心地位的決心。 發(fā)表于：2/24/2025 消息稱三星電子4nm良率已近80% 2 月 21 日消息，韓媒 Newdaily 當?shù)貢r間昨日報道稱，三星電子的 4nm 先進制程良率已升至接近 80%（未指定芯片尺寸），并在近期陸續(xù)獲得了來自中國企業(yè)的 ASIC 代工訂單。 報道指出，在先進制程連續(xù)遭遇商業(yè)困境后三星電子的新管理層調(diào)整了先進制程戰(zhàn)略，不再一味地同臺積電展開“納米競賽”，而是將工作重心放在以可靠良率贏得客戶信任上，保障能從非最前沿節(jié)點獲得穩(wěn)定收益，使代工業(yè)務在經(jīng)濟上可持續(xù)。 韓媒認為 DeepSeek 近期的火爆也提升中國科技企業(yè)開發(fā) AI ASIC 的熱情，而三星電子先進制程的價格、產(chǎn)能優(yōu)勢在這波行情下成為吸引下單的重要動力。 發(fā)表于：2/21/2025 消息稱臺積電對獨立經(jīng)營或參股英特爾晶圓廠毫無興趣 2月21日消息，據(jù)美國財經(jīng)網(wǎng)站Quartz報導，針對臺積電將控制或參股英特爾晶圓廠的傳聞，長期關注臺灣半導體產(chǎn)業(yè)的新聞平臺Culpium創(chuàng)辦人高燦鳴（Tim Culpa）表示，臺積電并未有意愿入股英特爾，因為無論是獨立經(jīng)營或合資英特爾晶圓廠，都毫無吸引力。 發(fā)表于：2/21/2025 應用材料發(fā)布SEMVision H20 AI助力檢測速度提升3倍 2 月 21 日消息，應用材料（Applied Materials）公司于 2 月 19 日發(fā)布博文，宣布推出新型芯片檢測設備 SEMVision H20，速度提升三倍，助力提升先進制程芯片良率。 發(fā)表于：2/21/2025 ?…13141516171819202122…?
