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EDA與制造相關(guān)文章

北極雄芯宣布兩顆芯粒成功交付流片

8月14日消息，北極雄芯(Polar Bear Tech)官方宣布，歷經(jīng)近2年的設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)，自主研發(fā)的啟明935系列芯粒(Chiplet)已經(jīng)成功交付流片，而且一次性投出兩顆，一是通用型HUB Chiplet“啟明935”，二是原生支持Transformer全系算子的AI Chiplet“大熊星座”。

發(fā)表于：8/15/2024

英國(guó)監(jiān)管機(jī)構(gòu)啟動(dòng)對(duì)Synopsys以350億美元收購(gòu)Ansys的交易調(diào)查

8月14日據(jù)外媒報(bào)道，針對(duì)美國(guó)電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化軟件供應(yīng)商Synopsys（新思科技）此前宣布以350億美元收購(gòu)工程模擬和3D設(shè)計(jì)軟件公司Ansys的交易，英國(guó)競(jìng)爭(zhēng)與市場(chǎng)管理局(CMA)日前已展開(kāi)調(diào)查。作為英國(guó)競(jìng)爭(zhēng)監(jiān)管機(jī)構(gòu)，CMA正在考慮該交易是否會(huì)根據(jù)《2002年企業(yè)法》的合并條款造成相關(guān)合并的情況，即這筆擬議的交易是否會(huì)導(dǎo)致英國(guó)任何服務(wù)或商品市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)大幅減少。為了幫助評(píng)估，CMA正在征求有關(guān)各方對(duì)此次擬議收購(gòu)交易的意見(jiàn)。提交意見(jiàn)的最后日期將由英國(guó)反壟斷監(jiān)管機(jī)構(gòu)確認(rèn)。第一階段決定和啟動(dòng)合并調(diào)查的截止日期尚未得到反壟斷監(jiān)管機(jī)構(gòu)的確認(rèn)。

發(fā)表于：8/14/2024

SK海力士將轉(zhuǎn)向4F2結(jié)構(gòu)的3D DRAM

為降低EUV光刻成本，SK海力士將轉(zhuǎn)向“4F2”結(jié)構(gòu)的3D DRAM

發(fā)表于：8/14/2024

SK海力士DDR5被曝漲價(jià)15~20%

8 月 13 日消息，華爾街見(jiàn)聞報(bào)道稱(chēng)，SK 海力士已將其 DDR5 DRAM 芯片提價(jià) 15%-20%。供應(yīng)鏈人士稱(chēng)，海力士 DDR5 漲價(jià)主要是因?yàn)?HBM3/3E 產(chǎn)能擠占。今年 6 月就有消息稱(chēng) DDR5 價(jià)格在今年有著 10%-20% 上漲空間：各大廠商已為 2024 年 DDR5 芯片分配產(chǎn)能，這表明價(jià)格已經(jīng)不太可能下降；再加上下半年是傳統(tǒng)旺季，預(yù)計(jì)價(jià)格會(huì)有所上漲。

發(fā)表于：8/14/2024

HBM帶動(dòng)三大內(nèi)存原廠均躋身2024Q1半導(dǎo)體IDM企業(yè)營(yíng)收前四

8 月 13 日消息，據(jù) IDC 北京時(shí)間本月 7 日?qǐng)?bào)告，三大內(nèi)存原廠三星電子、SK 海力士、美光分列 2024 年一季度半導(dǎo)體 IDM（注：整合組件制造）企業(yè)營(yíng)收榜單第 1、3、4 位，第二位則是英特爾。

發(fā)表于：8/14/2024

把兩塊芯片壓成一塊：EUV以來(lái)半導(dǎo)體制造的最大創(chuàng)新

把兩塊芯片壓成一塊：EUV以來(lái)半導(dǎo)體制造的最大創(chuàng)新

發(fā)表于：8/13/2024

傳臺(tái)積電將在高雄建設(shè)1.4nm晶圓廠

因應(yīng)全球芯片訂單及AI快速發(fā)展，臺(tái)積電持續(xù)尋覓可用廠區(qū)土地，將最先進(jìn)制程技術(shù)留在臺(tái)灣發(fā)展。高雄楠梓園區(qū)除3座2納米技術(shù)晶圓廠外，還有基地可容納2納米以下技術(shù)設(shè)廠需求。據(jù)悉，高雄市府已超前部署，鎖定A14（14埃米）制程，盤(pán)點(diǎn)次世代先進(jìn)技術(shù)生產(chǎn)土地及水電供給，作為臺(tái)積電堅(jiān)強(qiáng)后盾。針對(duì)臺(tái)積電將于高雄擴(kuò)大埃米制程布局，公司低調(diào)表示不回應(yīng)市場(chǎng)傳言。

發(fā)表于：8/13/2024

消息稱(chēng)三星電子確認(rèn)平澤P4工廠1c nm DRAM內(nèi)存產(chǎn)線(xiàn)投資

8 月 12 日消息，韓媒 ETNews 報(bào)道稱(chēng)，三星電子內(nèi)部已確認(rèn)在平澤 P4 工廠建設(shè) 1c nm DRAM 內(nèi)存產(chǎn)線(xiàn)的投資計(jì)劃，該產(chǎn)線(xiàn)目標(biāo)明年 6 月投入運(yùn)營(yíng)。平澤 P4 是一座綜合性半導(dǎo)體生產(chǎn)中心，分為四期。在早前規(guī)劃中，一期為 NAND 閃存，二期為邏輯代工，三期、四期為 DRAM 內(nèi)存。三星已在 P4 一期導(dǎo)入 DRAM 生產(chǎn)設(shè)備，但擱置了二期建設(shè)。而 1c nm DRAM 是第六代 20~10 nm 級(jí)內(nèi)存工藝，各家的 1c nm（或?qū)?yīng)的 1γ nm）產(chǎn)品目前均尚未正式發(fā)布。韓媒在報(bào)道中稱(chēng)，三星電子計(jì)劃在今年底啟動(dòng) 1c nm 內(nèi)存生產(chǎn)。

發(fā)表于：8/13/2024

美光加碼投資臺(tái)灣建立第二研發(fā)中心

美光總裁暨CEO Sanjay Mehrotra今年7月訪(fǎng)問(wèn)中國(guó)臺(tái)灣，將帶來(lái)更進(jìn)一步合作，例如在人工智能（AI）應(yīng)用扮演重要角色的高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）。據(jù)悉，美光將加碼在中國(guó)臺(tái)灣投資，除制造HBM先進(jìn)制程外，不排除有機(jī)會(huì)在中國(guó)臺(tái)灣創(chuàng)建第二個(gè)研發(fā)中心。

發(fā)表于：8/13/2024

日本研究團(tuán)隊(duì)提出EUV光刻新方案

日本提出EUV光刻新方案：光源功率可降低10倍，成本將大幅降低！

發(fā)表于：8/13/2024

夏普考慮將半導(dǎo)體和相機(jī)模組事業(yè)出售給鴻海

8 月 12 日消息，夏普于 8 月 9 日宣布，正在考慮在本財(cái)年內(nèi)將半導(dǎo)體業(yè)務(wù)和智能手機(jī)用相機(jī)模組業(yè)務(wù)出售給鴻海。對(duì)于出售金額，夏普社長(zhǎng)沖津雅浩稱(chēng)由于談判剛剛開(kāi)始，更多細(xì)節(jié)目前不便透露。

發(fā)表于：8/13/2024

美國(guó)芯片法案簽署兩周年記

美國(guó)芯片法案簽署兩周年：已吸引3950億美元投資，創(chuàng)造115000個(gè)工作崗位！

發(fā)表于：8/13/2024

日本十大半導(dǎo)體設(shè)備廠商二季度獲利同比暴漲80%

日本十大半導(dǎo)體設(shè)備廠商二季度獲利同比暴漲80%！

發(fā)表于：8/13/2024

數(shù)字芯片設(shè)計(jì)驗(yàn)證經(jīng)驗(yàn)分享：將ASIC IP核移植到FPGA上

　　本系列文章從數(shù)字芯片設(shè)計(jì)項(xiàng)目技術(shù)總監(jiān)的角度出發(fā)，介紹了如何將芯片的產(chǎn)品定義與設(shè)計(jì)和驗(yàn)證規(guī)劃進(jìn)行結(jié)合，詳細(xì)講述了在FPGA上使用IP核來(lái)開(kāi)發(fā)ASIC原型項(xiàng)目時(shí)，必須認(rèn)真考慮的一些問(wèn)題。文章從介紹使用預(yù)先定制功能即IP核的必要性開(kāi)始，通過(guò)闡述開(kāi)發(fā)ASIC原型設(shè)計(jì)時(shí)需要考慮到的IP核相關(guān)因素，用八個(gè)重要主題詳細(xì)分享了利用ASIC所用IP來(lái)在FPGA上開(kāi)發(fā)原型驗(yàn)證系統(tǒng)設(shè)計(jì)時(shí)需要考量的因素。

發(fā)表于：8/12/2024

Rapidus計(jì)劃打造全自動(dòng)化的2nm晶圓廠

8月12日消息，據(jù)日經(jīng)新聞報(bào)道，日本晶圓廠代工商 Rapidus 近日宣布，計(jì)劃使用機(jī)器人和人工智能（AI）在日本北部打造全自動(dòng)的2nm制程生產(chǎn)線(xiàn)。 2nm芯片原型制造將于明年開(kāi)始，最快將在2027年開(kāi)始量產(chǎn)。 Rapidus表示，自動(dòng)化生產(chǎn)將加快生產(chǎn)時(shí)間，使交貨芯片時(shí)間只有競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手1/3，其晶圓廠預(yù)計(jì)10月完成外部結(jié)構(gòu)建置，EUV光刻設(shè)備預(yù)計(jì)將于12月抵達(dá)。

發(fā)表于：8/12/2024