EDA與制造相關(guān)文章 三星計(jì)劃2024Q3量產(chǎn)8層HBM3E產(chǎn)品 8 月 1 日消息，韓媒 Business Korea 昨日（7 月 31 日）報(bào)道，在 2024 年第 2 季度財(cái)報(bào)電話會(huì)議上，三星公司高管公布：“第五代 8 層 HBM3E 產(chǎn)品目前已交付客戶評(píng)估，計(jì)劃 2024 年第 3 季度開始量產(chǎn)”。 發(fā)表于：8/1/2024 消息稱美國(guó)8月將升級(jí)對(duì)華半導(dǎo)體限制 傳美國(guó)將升級(jí)對(duì)華半導(dǎo)體限制：120個(gè)中國(guó)實(shí)體將被禁，涉及晶圓廠、設(shè)備商、EDA廠商！ 發(fā)表于：8/1/2024 美國(guó)推遲對(duì)中國(guó)電動(dòng)汽車等產(chǎn)品加征關(guān)稅 8 月 1 日消息，美國(guó)計(jì)劃對(duì)中國(guó)進(jìn)口電動(dòng)汽車征收 100% 關(guān)稅的政策不僅澆滅了極氪、比亞迪等中國(guó)車企進(jìn)軍美國(guó)市場(chǎng)的熱情，也給美國(guó)本土汽車制造商帶來了不小的麻煩，原本計(jì)劃于 2025 年和 2026 年進(jìn)入美國(guó)市場(chǎng)的別克 Electra E5 和 E4 車型因關(guān)稅問題被迫擱置。 發(fā)表于：8/1/2024 美光宣布量產(chǎn)第九代TLC NAND閃存技術(shù) 美光宣布量產(chǎn)第九代TLC NAND閃存技術(shù)：寫入速度比競(jìng)品快99%！ 發(fā)表于：8/1/2024 二季度開始Intel每月為NVIDIA生產(chǎn)5000塊晶圓 Intel從二季度開始，每月可為NVIDIA生產(chǎn)5000塊晶圓 發(fā)表于：8/1/2024 消息稱三星電子V9 QLC NAND閃存尚未獲量產(chǎn)就緒許可 7 月 31 日消息，韓媒 ZDNet Korea 報(bào)道稱，三星電子 V9 NAND 閃存的 QLC 版本尚未獲得量產(chǎn)許可，對(duì)平澤 P4 工廠的產(chǎn)線建設(shè)規(guī)劃造成了影響。 三星電子今年 4 月宣布其 V9 NAND 閃存的 1Tb 容量 TLC 版本實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，對(duì)應(yīng)的 QLC 版本則將于今年下半年進(jìn)入量產(chǎn)階段。 然而直到現(xiàn)在，三星電子并未對(duì) V9 QLC NAND 閃存下達(dá) PRA（IT之家注：應(yīng)指 Production Readiness Approval）量產(chǎn)就緒許可。而容量更高、成本更低的 QLC 閃存目前正是 AI 推理服務(wù)器存儲(chǔ)需求的熱點(diǎn)。 明星產(chǎn)品前景不明，使得三星電子內(nèi)部對(duì)是否將平澤 P4 工廠第一階段完全用于 NAND 生產(chǎn)存在不同聲音。 發(fā)表于：8/1/2024 消息指SK海力士400+層閃存明年末量產(chǎn)就緒 消息指 SK 海力士加速 NAND 研發(fā)，400+ 層閃存明年末量產(chǎn)就緒 發(fā)表于：8/1/2024 消息稱英特爾挖角臺(tái)積電工程師 消息稱英特爾挖角臺(tái)積電工程師，芯片代工競(jìng)爭(zhēng)加劇 發(fā)表于：7/31/2024 英特爾俄亥俄州兩座晶圓廠投資額提升至280億美元 英特爾宣布將俄亥俄州兩座晶圓廠投資額提升至280億美元！ 發(fā)表于：7/31/2024 工信部發(fā)布2024新版工業(yè)機(jī)器人行業(yè)規(guī)范條件和管理實(shí)施辦法 工信部發(fā)布 2024 新版工業(yè)機(jī)器人行業(yè)規(guī)范條件和管理實(shí)施辦法，8 月起實(shí)施 發(fā)表于：7/31/2024 傳美光GDDR6X模塊質(zhì)量問題影響英偉達(dá)RTX 40出貨 傳美光GDDR6X模塊質(zhì)量問題影響英偉達(dá)RTX 40出貨 發(fā)表于：7/31/2024 Alphawave推出業(yè)界首款支持臺(tái)積電CoWoS封裝的3nm UCIe IP Alphawave推出業(yè)界首款支持臺(tái)積電CoWoS封裝的3nm UCIe IP 發(fā)表于：7/31/2024 消息指臺(tái)積電最快2028年A14P制程引入High NA EUV光刻技術(shù) 消息指臺(tái)積電最快 2028 年 A14P 制程引入 High NA EUV 光刻技術(shù) 發(fā)表于：7/30/2024 SK海力士推出全球最高性能GDDR7 SK 海力士推出全球最高性能 GDDR7，相比上代運(yùn)行速度提升 60% 發(fā)表于：7/30/2024 歐盟建晶圓廠補(bǔ)貼進(jìn)展緩慢 英特爾和臺(tái)積電已經(jīng)根據(jù)美國(guó)《芯片與科學(xué)法案》分別獲得85億美元和66億美元的巨額補(bǔ)貼，用于在美國(guó)國(guó)內(nèi)建晶圓廠。與此同時(shí)，旨在支持歐洲半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的《歐洲芯片法案》卻動(dòng)作遲緩，至今英特爾和臺(tái)積電的歐洲建廠補(bǔ)貼均未獲批。 邀請(qǐng)英特爾和臺(tái)積電投資的德國(guó)因歐盟委員會(huì)的猶豫不決而面臨延誤。盡管德國(guó)已為英特爾撥款100億歐元，為臺(tái)積電撥款50億歐元，但仍有待歐盟最終批準(zhǔn)。德國(guó)官員警告稱，如果得不到及時(shí)批準(zhǔn)，英特爾2024年底開工的計(jì)劃可能會(huì)受到威脅。 歐盟緩慢的審批程序與美國(guó)《芯片法案》形成鮮明對(duì)比，后者自2024年初以來迅速撥付補(bǔ)貼。這種歐洲官僚主義的拖延招致批評(píng)，德國(guó)智庫Interface的專家認(rèn)為，由于建設(shè)延誤和挫折，歐盟在2030年前實(shí)現(xiàn)其半導(dǎo)體市場(chǎng)份額20%的目標(biāo)已經(jīng)越來越難以實(shí)現(xiàn)。 發(fā)表于：7/30/2024 ?…64656667686970717273…?
