頭條 Gartner：2024年全球半導體收入增長21% 根據(jù)Gartner的最終統(tǒng)計結(jié)果，2024年全球半導體總收入為6559億美元，較2023年的5421億美元增長了21%。同時，英偉達超越了三星電子和英特爾，首次躍居首位。 Gartner研究副總裁Gaurav Gupta表示：“前十大半導體廠商收入排名變動的主要原因在于強勁的AI基礎設施需求以及73.4%的內(nèi)存收入增長。英偉達之所以能夠躍至首位，主要在于其獨立圖形處理單元（GPU）需求顯著增長，GPU已成為數(shù)據(jù)中心AI工作負載的首選?！? Gupta表示：“供需失衡引起價格大幅反彈，三星電子的DRAM和閃存收入增長，得以繼續(xù)保持在第二位。英特爾2024年的半導體收入僅增長了0.8%，原因在于其主要產(chǎn)品線面臨的競爭威脅正在加劇，而且英特爾未能把握AI處理需求強勁增長這一機遇?！?023-2024年全球排名前十半導體廠商收入（單位：百萬美元） 最新資訊 海思有望在本月推出 LCoS 激光投影技術方案 洛圖科技今天發(fā)布 2024 年中國智能投影線上市場分析報告，其中提到今年投影機技術和供應鏈將發(fā)生變化，隨著國產(chǎn)芯片商海思開始向 LCoS 激光投影技術發(fā)力，今年投影儀市場許多廠商會推出搭載相關技術的產(chǎn)品。 發(fā)表于：3/4/2024 三星：考慮將MUF技術應用于服務器 DRAM 內(nèi)存 據(jù) TheElec，三星正在考慮在其下一代 DRAM 中應用模壓填充（MUF）技術。三星最近測試了一種用于 3D 堆棧 (3DS) 內(nèi)存的 MR MUF 工藝，與 TC NCF 相其吞吐量有所提升，但物理特性卻出現(xiàn)了一定惡化。 經(jīng)過測試，該公司得出結(jié)論，MUF 不適用于高帶寬內(nèi)存 (HBM)，但非常適合 3DS RDIMM，而目前 3DS RDIMM 使用硅通孔 (TSV) 技術制造，主要用于服務器。 MUF 是一種在半導體上打上數(shù)千個微小的孔，然后將上下層半導體連接的 TSV 工藝后，注入到半導體之間的材料，它的作用是將垂直堆疊的多個半導體牢固地固定并連接起來。 發(fā)表于：3/4/2024 AMD：無法兼容Intel Wi-Fi 7網(wǎng)卡 Intel 近日發(fā)布了新版 Wi-Fi 7 無線網(wǎng)卡驅(qū)動，增加新功能，修復已知 Bug，但遺憾的是，依然和 AMD 系統(tǒng)不對付。 新驅(qū)動在 Windows 10/11 64 位下版本號為 23.30.0，Windows 10 32 位下版本號為 22.160.0。 發(fā)表于：3/4/2024 三星SDI敲定匈牙利第三工廠計劃 據(jù) TheElec，三星 SDI 已最終敲定了在匈牙利建造第三座電池工廠的投資計劃。三星 SDI 正在擴建現(xiàn)有的匈牙利第二工廠，預計將在 9 月竣工。 消息人士稱，該公司預計今年將在整體設施擴建上花費超過 6 萬億韓元（當前約 324 億元人民幣），其中超過 1 萬億韓元（當前約 54 億元人民幣）將用于建設第三工廠。據(jù)稱，三星 SDI 還將從菲律賓招募工人到匈牙利工作。 發(fā)表于：3/4/2024 多通道優(yōu)先級放大器的設計與應用 圖1所示的模擬優(yōu)先級放大器最初是作為多輸出電源的一部分進行設計，其中穩(wěn)壓操作基于最高優(yōu)先級通道的電壓。該放大器的另一個應用是帶電子節(jié)氣門控制的引擎控制系統(tǒng)，其中引擎需要對多個輸入命令中優(yōu)先級最高的一個作出響應。 發(fā)表于：3/1/2024 貿(mào)澤聯(lián)手Würth Elektronik推出全新電子書 2024年2月26日 – 專注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動化產(chǎn)品授權(quán)代理商貿(mào)澤電子 （Mouser Electronics） 與Würth Elektronik聯(lián)手推出全新電子書，匯聚了八位專家針對物聯(lián)網(wǎng) （IoT） 技術與設備相關應用的討論。 發(fā)表于：2/29/2024 全球首款“彈性”rSIM助力物聯(lián)網(wǎng)設備“永遠在線” 助力物聯(lián)網(wǎng)設備“永遠在線”——全球首款“彈性”rSIM如何實現(xiàn)？ 全球首款可自動切換網(wǎng)絡的“彈性”rSIM問世！再也不怕物聯(lián)網(wǎng)設備掉線！ 發(fā)表于：2/29/2024 消息稱三星背面供電芯片測試結(jié)果良好 據(jù)韓媒 Chosunbiz 報道，三星電子近日在背面供電網(wǎng)絡（BSPDN）芯片測試中獲得了好于預期的成果，有望提前導入未來制程節(jié)點。 傳統(tǒng)芯片采用自下而上的制造方式，先制造晶體管再建立用于互連和供電的線路層。但隨著制程工藝的收縮，傳統(tǒng)供電模式的線路層越來越混亂，對設計與制造形成干擾。 BSPDN 技術將芯片供電網(wǎng)絡轉(zhuǎn)移至晶圓背面，可簡化供電路徑，解決互連瓶頸，減少供電對信號的干擾，最終可降低平臺整體電壓與功耗。對于三星而言，還特別有助于移動端 SoC 的小型化。 發(fā)表于：2/29/2024 美光推出緊湊封裝型UFS 4.0 美光宣布開始送樣增強版通用閃存（UFS） 4.0 移動解決方案，該方案具有突破性專有固件功能并采用業(yè)界領先的緊湊型 UFS 封裝 ( 9 x 13mm ) 。 新款內(nèi)存基于先進的 232 層 3D NAND 技術， 美光 UFS 4.0 解決方案可實現(xiàn)高達 1TB 容量，其卓越性能和端到端技術創(chuàng)新將助力旗艦智能手機實現(xiàn)更快的響應速度和更靈敏的使用體驗。 發(fā)表于：2/29/2024 淺談因電遷移引發(fā)的半導體失效 淺談因電遷移引發(fā)的半導體失效 發(fā)表于：2/28/2024 ?…150151152153154155156157158159…?
