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如何通過實(shí)時(shí)可變柵極驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度更大限度地提高 SiC 牽引逆變器的效率

　　在本文中，我們將重點(diǎn)介紹實(shí)時(shí)可變柵極驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，這項(xiàng)新功能可讓設(shè)計(jì)人員優(yōu)化系統(tǒng)參數(shù)，例如效率（影響電動(dòng)汽車行駛里程）和 SiC 過沖（影響可靠性）。

發(fā)表于：6/4/2023

X-FAB率先向市場(chǎng)推出110納米BCD-on-SOI代工解決方案

　　中國(guó)北京，2023年6月2日——全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，X-FAB成為業(yè)界首家推出110納米BCD-on-SOI解決方案的代工廠，由此加強(qiáng)了其在BCD-on-SOI技術(shù)領(lǐng)域的突出地位。全新XT011 BCD-on-SOI平臺(tái)反映了模擬應(yīng)用中對(duì)更高數(shù)字集成和處理能力日益增長(zhǎng)的需求。其將SOI和DTI極具吸引力的特性結(jié)合在一起，因此與傳統(tǒng)Bulk BCD工藝相比，高密度數(shù)字邏輯和模擬功能可以更容易地集成至單個(gè)芯片。

發(fā)表于：6/2/2023

是德科技攜手幾何伙伴簽署合作備忘錄，共同推動(dòng)汽車感知平臺(tái)發(fā)展

　　2023年 05 月 23 日，北京——是德科技（Keysight Technologies, Inc.）日前宣布，是德科技與幾何伙伴簽署合作備忘錄，致力于攜手推動(dòng)汽車感知與自動(dòng)駕駛技術(shù)的發(fā)展。是德科技是一家領(lǐng)先的技術(shù)公司，致力于幫助企業(yè)、服務(wù)提供商和政府客戶加速創(chuàng)新，創(chuàng)造一個(gè)安全互聯(lián)的世界。

發(fā)表于：6/1/2023

索爾維推出新型KetaSpire® PEEK用于電機(jī)單層電磁線絕緣層

　　2023年5月23日，美國(guó)喬治亞州阿爾法雷塔　　全球特種材料市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)者索爾維公司宣布推出KetaSpire® KT-857，這是一種新型聚醚醚酮（PEEK）擠出化合物，專門為電機(jī)的銅磁線絕緣而設(shè)計(jì)。開發(fā)這種定制工程絕緣材料的動(dòng)力來自于OEM為解決消費(fèi)者的續(xù)航焦慮而向更高能量密度的電池和800V及以上電壓的電動(dòng)動(dòng)力系統(tǒng)邁進(jìn)。

發(fā)表于：6/1/2023

TI 推出增強(qiáng)型柵極驅(qū)動(dòng)器UCC5880-Q1，電動(dòng)汽車再“續(xù)航”

在電動(dòng)汽車高電壓電源轉(zhuǎn)換以及電驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)中，設(shè)計(jì)者常常面臨四大挑戰(zhàn)：第一，設(shè)計(jì)更高效的牽引逆變器；第二，提高功率密度；第三，設(shè)計(jì)高可靠性的系統(tǒng)；第四，降低系統(tǒng)復(fù)雜度。

發(fā)表于：6/1/2023

泰克推出基于示波器的雙脈沖測(cè)試解決方案，加快SiC和GaN技術(shù)驗(yàn)證速度

　　中國(guó)北京，2023年5月31日—— 全球領(lǐng)先的測(cè)試測(cè)量解決方案提供商泰克科技公司日前宣布，推出最新雙脈沖測(cè)試解決方案（WBG-DPT解決方案）。各種新型寬禁帶開關(guān)器件正推動(dòng)電動(dòng)汽車、太陽能、工控等領(lǐng)域快速發(fā)展，泰克WBG-DPT解決方案能夠?qū)捊麕骷ㄈ鏢iC和GaN MOSFETs）提供自動(dòng)可重復(fù)的、高精度測(cè)量功能。

發(fā)表于：6/1/2023

Transphorm發(fā)布業(yè)界首款1200伏GaN-on-Sapphire器件的仿真模型

　　加州戈利塔--（2023年5月31日）-- 高可靠性、高性能氮化鎵（GaN）電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先鋒企業(yè)和全球供應(yīng)商Transphorm, Inc. （Nasdaq: TGAN）宣布推出其1200伏功率管仿真模型及初始規(guī)格書。TP120H070WS功率管是迄今為止推出的唯一一款1200伏GaN-on-Sapphire功率半導(dǎo)體，領(lǐng)先同類產(chǎn)品。這款產(chǎn)品的發(fā)布展現(xiàn)Transphorm有能力支持未來的汽車電力系統(tǒng)，以及已普遍用于工業(yè)、數(shù)據(jù)通信和可再生能源市場(chǎng)的三相電力系統(tǒng)。與替代技術(shù)相比，這些應(yīng)用可受益于1200伏氮化鎵器件更高的功率密度及更優(yōu)異的可靠性、同等或更優(yōu)越的性能，以及更為合理的成本。Transphorm近期已驗(yàn)證了氮化鎵器件在100kHz開關(guān)頻率的5kW 900伏降壓轉(zhuǎn)換器中更高的性能。1200伏氮化鎵器件實(shí)現(xiàn)了98.7%的效率，超過了具有類似額定值的量產(chǎn)SiC MOSFET。

發(fā)表于：6/1/2023

Vishay推出厚膜功率電阻器

　　美國(guó) 賓夕法尼亞 MALVERN、中國(guó) 上海 — 2023年5月31日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出一款通過AEC-Q200認(rèn)證，采用SOT-227小型封裝，可直接安裝在散熱器上的全新厚膜功率電阻---ISOA。Vishay MCB ISOA具有高脈沖處理能力，在85 °C底殼溫度下，功率耗散達(dá)120 W，可選配NTC熱敏電阻用于內(nèi)部溫度監(jiān)控，預(yù)涂相變熱界面材料（PC-TIM）提高貼裝效率。

發(fā)表于：6/1/2023

基于隊(duì)列行駛的車聯(lián)網(wǎng)安全通信研究

基于隊(duì)列的駕駛模式能夠有效提高道路的通行能力和能源效率，在此基礎(chǔ)上，研究了基于隊(duì)列的車輛網(wǎng)絡(luò)在有竊聽者存在下的無線連接性能，推導(dǎo)出隊(duì)列內(nèi)、隊(duì)列外和整個(gè)網(wǎng)絡(luò)的安全連通概率，以分別描述單個(gè)隊(duì)列、兩個(gè)隊(duì)列和所有隊(duì)列組成的網(wǎng)絡(luò)。仿真結(jié)果表明，影響連接性能的系統(tǒng)參數(shù)包括傳輸范圍、竊聽者數(shù)量和車輛密度，且存在最優(yōu)車輛密度使安全連接性能達(dá)到最佳。

發(fā)表于：5/31/2023

應(yīng)對(duì)實(shí)際工程挑戰(zhàn)，如何為嵌入式軟件開發(fā)選擇編譯器

　　在過去數(shù)十年，摩爾定律一直支配著半導(dǎo)體的發(fā)展。隨著MCU的性能越來越強(qiáng)，嵌入式產(chǎn)品也越來越智能，嵌入式軟件也變得越來越復(fù)雜。編譯器作為嵌入式軟件開發(fā)的基礎(chǔ)工具，將程序員編寫的源代碼轉(zhuǎn)換為底層硬件可以執(zhí)行的機(jī)器指令。一款優(yōu)秀的編譯器既需要對(duì)程序進(jìn)行優(yōu)化，確保程序可以高效地運(yùn)行，同時(shí)又需要保證轉(zhuǎn)換的一致性。

發(fā)表于：5/29/2023

恩智浦S32G3處理器加速開發(fā)軟件定義汽車和安全處理

　　隨著S32G3系列量產(chǎn)，S32G系列汽車網(wǎng)絡(luò)處理器的規(guī)模翻了一番，其性能、內(nèi)存和網(wǎng)絡(luò)帶寬均為S32G2系列的2.5倍。新的S32G3處理器與S32G2處理器兼容封裝引腳和軟件，允許客戶設(shè)計(jì)性能擴(kuò)展約10倍，以支持多個(gè)產(chǎn)品層或隨著時(shí)間的推移提高產(chǎn)品性能。S32G系列現(xiàn)在從三個(gè)雙核鎖步微控制器擴(kuò)展到四個(gè)雙核鎖步微控制器+八路高性能微計(jì)算機(jī)，提供3.9k到36k DMIPS的處理范圍。

發(fā)表于：5/29/2023

貿(mào)澤電子第九次榮獲TE Connectivity年度全球卓越服務(wù)代理商獎(jiǎng)

　　2023年5月19日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入（NPI）代理商貿(mào)澤電子（Mouser Electronics）宣布第九次榮獲全球連接器和傳感器知名供應(yīng)商TE Connectivity （TE）頒發(fā)的年度全球卓越服務(wù)代理商獎(jiǎng)。此項(xiàng)大獎(jiǎng)肯定了貿(mào)澤電子2022年在銷量增長(zhǎng)、市場(chǎng)份額增長(zhǎng)、客戶增長(zhǎng)以及在商業(yè)推廣計(jì)劃方面的杰出表現(xiàn)。

發(fā)表于：5/24/2023

恩智浦?jǐn)y手臺(tái)積電推出行業(yè)首創(chuàng)汽車級(jí)16納米FinFET嵌入式MRAM

　　荷蘭埃因霍溫——2023年5月22日——恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors N.V.，納斯達(dá)克股票代碼：NXPI）近日宣布與臺(tái)積電合作交付行業(yè)首創(chuàng)的采用16納米FinFET技術(shù)的汽車嵌入式MRAM（磁隨機(jī)存儲(chǔ)器）。在向軟件定義汽車（SDV）的過渡中，汽車廠商需要在單個(gè)硬件平臺(tái)上支持多代軟件升級(jí)。利用16納米FinFET技術(shù)將恩智浦的高性能S32汽車處理器和快速且高度可靠的新一代非易失性存儲(chǔ)器MRAM相結(jié)合，為向軟件定義汽車演進(jìn)打造理想的硬件平臺(tái)。

發(fā)表于：5/23/2023

納芯微的十年“芯”路歷程

2013年05月17日，年輕的王升楊和盛云創(chuàng)辦了蘇州納芯微電子股份有限公司，隨著王一峰加盟成為共同創(chuàng)始人，管理、技術(shù)和市場(chǎng)三架馬車?yán){芯微駛?cè)肓税l(fā)展的快車道。日前，在“納芯微十周年暨2023媒體溝通會(huì)”上，納芯微CEO王升楊、CTO盛云和CTO王一峰講述了納芯微的十年創(chuàng)業(yè)史。納芯微“一帆風(fēng)順”發(fā)展的十年可以歸結(jié)為兩個(gè)關(guān)鍵詞，“兩次抉擇”和“兩次機(jī)遇”。

發(fā)表于：5/23/2023

ADI宣布投資6.3億歐元在利默里克建造下一代半導(dǎo)體研發(fā)與制造設(shè)施

　　中國(guó)，北京 — 2023年5月17日 — 全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司（Nasdaq: ADI）宣布將在其位于愛爾蘭利默里克Raheen商業(yè)園的歐洲區(qū)域總部投資6.3億歐元，計(jì)劃新建一座占地4.5萬平方英尺的先進(jìn)研發(fā)與制造設(shè)施。

發(fā)表于：5/22/2023