消費電子最新文章 消息稱蘋果繼AMD后成為臺積電SoIC半導體封裝大客戶 簡要介紹下 CoWoS 和 SoIC 的區(qū)別如下： CoWoS CoWoS（Chip On Wafer On Substrate）是一種 2.5D 的整合生產技術，由 CoW 和 oS 組合而來：先將芯片通過 Chip on Wafer（CoW）的封裝制程連接至硅晶圓，再把 CoW 芯片與基板（Substrate）連接，整合成 CoWoS。 SoIC SoIC 于 2018 年 4 月公開，是臺積電基于 CoWoS 與多晶圓堆疊 (WoW) 封裝技術，開發(fā)的新一代創(chuàng)新封裝技術，這標志著臺積電已具備直接為客戶生產 3D IC 的能力。 發(fā)表于：7/4/2024 AMD與英偉達AI GPU需求推動FOPLP發(fā)展 AMD與英偉達需求推動FOPLP發(fā)展，預估量產時間落在2027-2028年 發(fā)表于：7/4/2024 消息稱英偉達H200芯片2024Q3大量交付 7 月 3 日消息，臺媒《工商時報》消息，英偉達 H200 上游芯片端于二季度下旬起進入量產期，預計在三季度以后開始大規(guī)模交付。 據此前報道，OpenAI 近日在舊金山舉辦了一場研討會，英偉達首席執(zhí)行官黃仁勛親自出席，共同宣布交付第一臺 Nvidia DGX H200。 H200 作為 H100 的迭代升級產品，基于 Hopper 架構，首次采用了 HBM3e 高帶寬內存技術，實現了更快的數據傳輸速度和更大的內存容量，對大型語言模型應用表現出顯著優(yōu)勢。 發(fā)表于：7/4/2024 消息稱三星電子將為移動處理器引入HPB冷卻技術 消息稱三星電子將為移動處理器引入 HPB 冷卻技術，有望率先用于 Exynos 2500 7 月 3 日消息，韓媒 The Elec 報道稱，三星電子 AVP 先進封裝業(yè)務團隊目標在今年四季度完成一項名為 FOWLP-HPB 的移動處理器用封裝技術的開發(fā)和量產準備。 發(fā)表于：7/4/2024 （更新：三星否認）消息稱三星HBM內存芯片通過英偉達測試 消息稱三星 HBM 內存芯片通過英偉達測試，將開始大規(guī)模生產 發(fā)表于：7/4/2024 消息稱英特爾將為LGA1851平臺提供可選RL-ILM 消息稱英特爾將為 LGA1851 平臺提供可選 RL-ILM，解決 CPU 頂蓋彎曲問題 發(fā)表于：7/4/2024 消息稱中國公司開始大量訂購英偉達H20芯片 中國公司開始大量訂購英偉達H20芯片？ 發(fā)表于：7/4/2024 AMD 創(chuàng) STAC 基準測試最快電子交易執(zhí)行速度世界紀錄 AMD 與全球領先的高級交易和執(zhí)行系統(tǒng)提供商 Exegy 合作，取得了創(chuàng)世界紀錄的 STAC-T0 基準測試結果，實現了最低 13.9 納秒 ( ns ) 的交易執(zhí)行操作時延。相比此前的記錄，這一結果可令 tick-to-trade 時延至多降低 49%，是迄今為止發(fā)布的最快 STAC-T0 基準測試結果①。此前的最高速度記錄為 24.2 納秒，同樣來自采用 AMD 加速卡的參考設計①。 發(fā)表于：7/3/2024 三星與大唐移動專利糾紛達成和解 三星與大唐移動專利糾紛達成和解 發(fā)表于：7/3/2024 天津諾思與安華高纏斗9年后達成和解 纏斗9年，天津諾思與安華高達成和解！ 發(fā)表于：7/3/2024 Intel下代接口LGA1851完整布局曝光 Intel下代接口LGA1851完整布局曝光：PCIe、USB一覽無余 發(fā)表于：7/3/2024 消息稱三星電子正研發(fā)3.3D先進封裝技術 消息稱三星電子正研發(fā)“3.3D先進封裝技術，目標 2026 年二季度量產 發(fā)表于：7/3/2024 三星第9代V-NAND金屬布線量產工藝被曝首次使用鉬技術 三星第9代V-NAND金屬布線量產工藝被曝首次使用鉬技術 發(fā)表于：7/3/2024 Intel官宣放棄傲騰持久內存200系列 傲騰神話終結！Intel官宣放棄傲騰持久內存200系列 發(fā)表于：7/3/2024 傳下半年旗艦手機SoC全面采用N3E制程 傳下半年旗艦手機SoC全面采用N3E制程 發(fā)表于：7/3/2024 ?…49505152535455565758…?
