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漢高攜新品亮相SEMICON China 2024

2024年3月21日,漢高粘合劑電子事業(yè)部亮相一年一度的半導(dǎo)體和電子行業(yè)年度盛會(huì)SEMICON China,帶來(lái)眾多創(chuàng)新產(chǎn)品和解決方案,包括車(chē)規(guī)級(jí)高性能芯片粘接膠樂(lè)泰ABLESTIK ABP 6392TEA、毛細(xì)底部填充膠樂(lè)泰® Eccobond UF 9000AE,以及一系列先進(jìn)封裝材料、芯片粘接膠/膜解決方案等,從而以前沿材料科技助推半導(dǎo)體封裝行業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展。

發(fā)表于：3/22/2024

德國(guó)PVA TePla集團(tuán)展示"中國(guó)版“”碳化硅晶體生長(zhǎng)設(shè)備“SiCN”

024年3月20日，半導(dǎo)體行業(yè)盛會(huì) SEMICON China 2024啟幕，全球高端半導(dǎo)體設(shè)備制造商德國(guó)PVA TePla集團(tuán)再次亮相，并向行業(yè)展示其最新打造的國(guó)產(chǎn)碳化硅晶體生長(zhǎng)設(shè)備“SiCN”。

發(fā)表于：3/22/2024

中國(guó)第四代半導(dǎo)體新突破：6英寸氧化鎵單晶實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化

中國(guó)第四代半導(dǎo)體新突破：6英寸氧化鎵單晶實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化 3月21日消息，近日，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司宣布，公司聯(lián)合浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心先進(jìn)半導(dǎo)體研究院、硅及先進(jìn)半導(dǎo)體材料全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室。采用自主開(kāi)創(chuàng)的鑄造法，成功制備了高質(zhì)量6英寸非故意摻雜及導(dǎo)電型氧化鎵單晶，并加工獲得了6英寸氧化鎵襯底片。

發(fā)表于：3/22/2024

聯(lián)發(fā)科推出ASIC設(shè)計(jì)平臺(tái)進(jìn)軍共封裝光學(xué)領(lǐng)域

聯(lián)發(fā)科推出ASIC設(shè)計(jì)平臺(tái)進(jìn)軍共封裝光學(xué)領(lǐng)域 3 月 21 日消息，聯(lián)發(fā)科昨日宣布攜手光通信廠商 Ranovus 推出新一代共封裝光學(xué)（CPO）ASIC 設(shè)計(jì)平臺(tái)，提供異質(zhì)整合高速電子與光學(xué)型號(hào)的 I / O 解決方案。案。"

發(fā)表于：3/22/2024

三星電子確認(rèn)下半年推出第二代3nm制程工藝

3 月 21 日消息，三星電子 DS 部門(mén)下屬 Foundry 業(yè)務(wù)部負(fù)責(zé)人崔時(shí)榮在昨日舉行的三星電子年度股東大會(huì)上表示將于今年下半年推出第二代 3nm 制程工藝，回?fù)袅私盏?" 更名 " 傳聞。

發(fā)表于：3/22/2024

英特爾：到本十年末讓全球至少50%的先進(jìn)半導(dǎo)體在美歐生產(chǎn)

發(fā)表于：3/22/2024

美光：HBM內(nèi)存消耗3倍晶圓量

美光：HBM 內(nèi)存消耗 3 倍晶圓量，明年產(chǎn)能基本預(yù)定完畢

發(fā)表于：3/22/2024

意法半導(dǎo)體宣布聯(lián)手三星推出18nm FD-SOI工藝

意法半導(dǎo)體宣布聯(lián)手三星推出 18nm FD-SOI 工藝，支持嵌入式 PCM

發(fā)表于：3/22/2024

中國(guó)已連續(xù)8年成為世界最大工業(yè)機(jī)器人市場(chǎng) 遠(yuǎn)超預(yù)期

根據(jù)美國(guó)研究機(jī)構(gòu)ITIF 3月最新分析，雖然美國(guó)產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新享有盛譽(yù)，但在機(jī)器人創(chuàng)新方面，中國(guó)企業(yè)成為領(lǐng)先者只是時(shí)間問(wèn)題。近年來(lái)在推動(dòng)工廠數(shù)字化、智慧化之下，中國(guó)已連續(xù)8年成為全球最大的工業(yè)機(jī)器人市場(chǎng)。ITIF統(tǒng)計(jì)，中國(guó)目前機(jī)器人的應(yīng)用比例是此前業(yè)內(nèi)專(zhuān)家預(yù)測(cè)的12.5倍。 ITIF分析全球機(jī)器人創(chuàng)新數(shù)據(jù)，如科學(xué)論文和專(zhuān)利，并對(duì)四大中國(guó)機(jī)器人公司進(jìn)行研究，同時(shí)與中國(guó)機(jī)器人產(chǎn)業(yè)全球?qū)＜疫M(jìn)行訪談和會(huì)議。最終得出結(jié)論：中國(guó)當(dāng)前尚未成為機(jī)器人創(chuàng)新的領(lǐng)導(dǎo)者，但其在國(guó)內(nèi)生產(chǎn)和應(yīng)用正在快速增長(zhǎng)，中國(guó)政府也將發(fā)展機(jī)器人作為優(yōu)先事項(xiàng)。因此，中國(guó)機(jī)器人公司達(dá)到世界領(lǐng)先地位可能只是時(shí)間問(wèn)題。

發(fā)表于：3/22/2024

國(guó)產(chǎn)磁流體拋光機(jī)亮相，超精密光學(xué)加工不再被“卡脖子”

發(fā)表于：3/22/2024

新思科技攜手英偉達(dá)釋放下一代EDA潛能

加利福尼亞州桑尼維爾，2024年3月20日 – 新思科技（Synopsys, Inc.，納斯達(dá)克股票代碼：SNPS）近日宣布與英偉達(dá)（NVIDIA）強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，借助人工智能和加速計(jì)算技術(shù)大幅提升芯片設(shè)計(jì)效率，加速汽車(chē)原型創(chuàng)新。雙方已合作三十余載，此次合作在英偉達(dá)全球GTC人工智能大會(huì)上正式宣布。新思科技全球總裁兼首席執(zhí)行官Sassine Ghazi表示：“新思科技長(zhǎng)期致力于以全球領(lǐng)先的技術(shù)助力開(kāi)發(fā)團(tuán)隊(duì)攻克各種前所未有的技術(shù)挑戰(zhàn)。如今，我們將利用人工智能和加速計(jì)算等先進(jìn)技術(shù)，將這一目標(biāo)和承諾提升到一個(gè)全新高度。在英偉達(dá)GH200 Grace Hopper?超級(jí)芯片的加持下，新思科技EDA全套技術(shù)棧的性能顯著提升。與此同時(shí)，我們與英偉達(dá)的全新合作也將助力芯片到汽車(chē)系統(tǒng)技術(shù)研發(fā)團(tuán)隊(duì)大幅提升團(tuán)隊(duì)的創(chuàng)新潛力?！?

發(fā)表于：3/21/2024

格創(chuàng)東智完成AMHS收購(gòu)簽約

3月20日,格創(chuàng)東智AMHS業(yè)務(wù)啟動(dòng)暨產(chǎn)品發(fā)布會(huì)在SEMICON China 2024展會(huì)現(xiàn)場(chǎng)成功舉行。會(huì)上,格創(chuàng)東智完成對(duì)耘德有限公司、江蘇睿新庫(kù)智能科技有限公司的戰(zhàn)略收購(gòu)簽約。

發(fā)表于：3/21/2024

美國(guó)政府宣布計(jì)劃向英特爾提供近200億美元激勵(lì)

3 月 20 日消息，美國(guó)商務(wù)部 3 月 20 日宣布，美國(guó)政府與英特爾達(dá)成一份不具約束力的初步條款備忘錄（PMT），將根據(jù)美國(guó)《芯片與科學(xué)法案》向后者提供至多 85 億美元（當(dāng)前約 612 億元人民幣）直接資金和最高 110 億美元（當(dāng)前約 792 億元人民幣）貸款，以擴(kuò)大其高端芯片制造產(chǎn)能。英特爾正尋求在芯片領(lǐng)域重新確立在美國(guó)的領(lǐng)導(dǎo)地位，并與臺(tái)積電和三星等公司競(jìng)爭(zhēng)。

發(fā)表于：3/21/2024

三星：最快2年奪回全球芯片市場(chǎng)第一

3月20日消息，據(jù)媒體報(bào)道，三星電子在周三舉行的年度股東大會(huì)上放下豪言，表示目標(biāo)是在最快2-3年內(nèi)重新奪回全球芯片市場(chǎng)的第一位置。據(jù)悉，三星電子計(jì)劃在未來(lái)幾年內(nèi)通過(guò)一系列的戰(zhàn)略舉措來(lái)實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)。首先，三星預(yù)計(jì)公司的DS（Device Solutions）部門(mén)的銷(xiāo)售額將在2024年恢復(fù)到2022年水平，這將為公司重返全球芯片市場(chǎng)第一奠定基礎(chǔ)。除了恢復(fù)銷(xiāo)售額外，三星還宣布將在所有設(shè)備中廣泛采用人工智能技術(shù)，通過(guò)提升人工智能能力，他們積極尋求涉足汽車(chē)零部件、機(jī)器人和數(shù)字健康領(lǐng)域的新業(yè)務(wù)。一。

發(fā)表于：3/21/2024

SEMI：300mm晶圓廠設(shè)備支出明年將首次突破1000億美元

SEMI：300mm晶圓廠設(shè)備支出明年將首次突破1000億美元國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（SEMI）3月19日發(fā)布《2027年300mm晶圓廠展望報(bào)告》。報(bào)告顯示，由于存儲(chǔ)器市場(chǎng)的復(fù)蘇以及高性能計(jì)算、汽車(chē)應(yīng)用的強(qiáng)勁需求，全球應(yīng)用于前道工藝的300mm晶圓廠設(shè)備投資，預(yù)計(jì)將在2025年首次突破1000億美元，2027年將達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的1370億美元。 SEMI預(yù)測(cè)，2025年全球300mm晶圓廠設(shè)備投資將增長(zhǎng)20%至1165億美元，2026年增長(zhǎng)12%至1305億美元，2027年將將繼續(xù)增長(zhǎng)5%至1370億美元。

發(fā)表于：3/21/2024