EDA與制造相關(guān)文章 美國芯片業(yè)面臨重大人才缺口 7月2日消息，據(jù)媒體報道，美國芯片產(chǎn)業(yè)正面臨嚴(yán)重的人才短缺問題，為此政府迅速啟動一項(xiàng)計(jì)劃，旨在培養(yǎng)國內(nèi)芯片勞動力，以避免勞動力短缺對半導(dǎo)體生產(chǎn)造成威脅。 這一計(jì)劃被稱為勞動力伙伴聯(lián)盟，將動用新成立的國家半導(dǎo)體技術(shù)中心（NSTC）50億美元聯(lián)邦資金的一部分。 NSTC計(jì)劃資助多達(dá)10個勞動力發(fā)展項(xiàng)目，每個項(xiàng)目預(yù)算在50萬美元至200萬美元之間，此外，該中心將在未來幾個月啟動額外的申請程序，以確定總體支出水平。 發(fā)表于：7/3/2024 傳下半年旗艦手機(jī)SoC全面采用N3E制程 傳下半年旗艦手機(jī)SoC全面采用N3E制程 發(fā)表于：7/3/2024 消息稱臺積電海外晶圓廠僅貢獻(xiàn)10%產(chǎn)能 消息稱臺積電海外晶圓廠僅貢獻(xiàn)10%產(chǎn)能，無需擔(dān)憂中國臺灣產(chǎn)業(yè)外遷 發(fā)表于：7/2/2024 信通院發(fā)布《中國工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)發(fā)展成效評估報告（2024年）》 中國信通院發(fā)布《中國工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)發(fā)展成效評估報告（2024年）》 發(fā)表于：7/2/2024 美光2025年欲搶下25%的HBM市場 美光2025年欲搶下25%的HBM市場，SK海力士嚴(yán)陣以待 發(fā)表于：7/2/2024 沒有EUV光刻機(jī)，怎么做5nm芯片？ 沒有EUV光刻機(jī)，怎么做5nm芯片？ 發(fā)表于：7/2/2024 HBM旺盛需求帶動半導(dǎo)體硅片需求倍增 HBM需求旺盛，帶動半導(dǎo)體硅片需求倍增 發(fā)表于：7/2/2024 臺積電2025年資本支出有望達(dá)320億美元至360億美元 7月1日消息，據(jù)臺媒《經(jīng)濟(jì)日報》報道稱，近期業(yè)內(nèi)傳聞，臺積電因持續(xù)加碼2nm等尖端制程研發(fā)并擴(kuò)大產(chǎn)能，2025年的資本支出有望同比增長12.5%至14.3%至320億美元至360億美元，達(dá)到歷年次高。 傳聞指出，臺積電2nm客戶群需求超乎預(yù)期的強(qiáng)勁，相關(guān)擴(kuò)充產(chǎn)能計(jì)劃也傳將導(dǎo)入南科廠區(qū)，以制程升級挪出空間。除了蘋果先前率先包下臺積電2nm首批產(chǎn)能，其他客戶也因AI蓬勃發(fā)展而積極規(guī)劃采用。 對此，臺積電2nm產(chǎn)能建置估計(jì)將進(jìn)一步擴(kuò)大，竹科寶山可蓋四期、高雄二期，此外還有南科廠區(qū)相關(guān)規(guī)劃若成真，估將有助于臺積電2nm家族沖刺達(dá)至少八期八個廠的產(chǎn)能。 發(fā)表于：7/2/2024 消息稱臺積電今明兩年將接收超60臺EUV光刻機(jī) 消息稱臺積電今明兩年將接收超 60 臺 EUV 光刻機(jī)，相關(guān)投資超四千億新臺幣 發(fā)表于：7/1/2024 SK海力士公布近750億美元投資計(jì)劃 SK海力士公布近750億美元投資計(jì)劃，80%將用于發(fā)展HBM 發(fā)表于：7/1/2024 東京電子豪擲1.5萬億日元目標(biāo)全球第一半導(dǎo)體設(shè)備制造商 7月1日消息，據(jù)媒體報道，日本東京電子（TEL）近日宣布將在2025至2029財(cái)年期間投資1.5萬億日元（約合679.83億元人民幣），并計(jì)劃招募一萬名新員工。 這一投資額是上個五年周期的1.8倍，目標(biāo)就是成為全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備制造商。 東京電子目前是世界第四大半導(dǎo)體設(shè)備制造商，僅次于荷蘭的阿斯麥（ASML）、美國的應(yīng)用材料公司和泛林集團(tuán)。 發(fā)表于：7/1/2024 索尼將對其可寫入光盤制造工廠裁員250人 索尼將對其可寫入光盤制造工廠裁員250人 發(fā)表于：7/1/2024 美光已在廣島工廠利用EUV試產(chǎn)1γ DRAM 美光已在廣島工廠利用EUV試產(chǎn)1γ DRAM，計(jì)劃2025年大規(guī)模量產(chǎn) 發(fā)表于：6/28/2024 鎧俠目標(biāo)2027年3D NAND閃存實(shí)現(xiàn)1000層堆疊 鎧俠雄心壯志，目標(biāo) 2027 年 3D NAND 閃存實(shí)現(xiàn) 1000 層堆疊 發(fā)表于：6/28/2024 ASMPT與美光聯(lián)合開發(fā)下一代HBM4鍵合設(shè)備 ASMPT與美光聯(lián)合開發(fā)下一代HBM4鍵合設(shè)備 發(fā)表于：6/28/2024 ?…99100101102103104105106107108…?
