EDA與制造相關(guān)文章 韓國專利管理企業(yè)Mimir IP起訴美光索賠34.92億元人民幣 6 月 17 日消息，據(jù)韓媒 Businesskorea 報(bào)道，韓國專利管理企業(yè) Mimir IP 于 6 月 3 日在美向存儲(chǔ)巨頭美光發(fā)起訴訟，索賠 4.8 億美元（ 發(fā)表于：6/18/2024 淺析HBM五大關(guān)鍵門檻 6月17日消息，在當(dāng)前人工智能（AI）芯片中扮演不可或缺地位的高帶寬內(nèi)存（HBM），其生產(chǎn)困難點(diǎn)有哪些，為什么迄今全球只有SK海力士、美光和三星這三家DRAM大廠有能力跨入該市場(chǎng)，外媒對(duì)此做了一個(gè)綜合性的分析。 報(bào)道表示，HBM通過使用3D堆疊技術(shù)，將多個(gè)DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存）芯片堆疊在一起，并通過硅穿孔技術(shù)（TSV，Through-Silicon Via）進(jìn)行連接，進(jìn)一步達(dá)到高帶寬和低功耗的特點(diǎn)。HBM的應(yīng)用中，CowoS（Chip on Wafer on Substrate）封裝技術(shù)是其中一個(gè)關(guān)鍵的生產(chǎn)手段。 CowoS封裝中的HBM技術(shù)困難度目前歸納了幾項(xiàng)要點(diǎn)： 發(fā)表于：6/18/2024 ASML公布Hyper NA EUV光刻機(jī) 可量產(chǎn)0.2nm工藝！ASML公布Hyper NA EUV光刻機(jī)：死胡同不遠(yuǎn)了 發(fā)表于：6/17/2024 英特爾因涉嫌隱瞞晶圓代工部門巨額虧損遭集體訴訟 英特爾因涉嫌隱瞞晶圓代工部門巨額虧損遭集體訴訟 發(fā)表于：6/17/2024 芯聯(lián)集成登頂中國最大車規(guī)芯片代工廠 僅5年就登頂中國最大車規(guī)芯片代工廠！芯聯(lián)集成已供貨國內(nèi)90%以上車企 發(fā)表于：6/17/2024 消息稱鎧俠結(jié)束NAND閃存減產(chǎn) 消息稱鎧俠結(jié)束 NAND 閃存減產(chǎn)，現(xiàn)有工廠開工率均已恢復(fù)至 100% 發(fā)表于：6/17/2024 SK 海力士將提升1b nm DRAM 產(chǎn)能以滿足HBM3E內(nèi)存需求 提升 1b nm DRAM 產(chǎn)能以滿足 HBM3E 內(nèi)存需求，消息稱 SK 海力士正升級(jí) M16 晶圓廠 發(fā)表于：6/17/2024 傳vivo印度子公司將被迫出售 印度又耍流氓，傳vivo子公司將被迫出售！ 發(fā)表于：6/17/2024 沒有撤離荷蘭 ASML總部擴(kuò)建計(jì)劃獲批 6月17日消息，近日，荷蘭埃因霍溫市議會(huì)多數(shù)成員以 34 比 6 的投票結(jié)果通過了ASML在Brainport Industries Campus園區(qū)的擴(kuò)張計(jì)劃，這也為這家半導(dǎo)體巨頭繼續(xù)在當(dāng)?shù)財(cái)U(kuò)張鋪平了道路。 發(fā)表于：6/17/2024 Intel 3工藝官方揭秘最新數(shù)據(jù) Intel 3工藝官方揭秘：面積縮小10％、能效飆升17％ 發(fā)表于：6/14/2024 三星公布引領(lǐng)AI時(shí)代半導(dǎo)體技術(shù)路線圖 三星公布引領(lǐng)AI時(shí)代半導(dǎo)體技術(shù)路線圖 效果大幅提升 發(fā)表于：6/14/2024 環(huán)球晶圓遭遇黑客攻擊 部分產(chǎn)線受影響 環(huán)球晶圓遭遇黑客攻擊，部分產(chǎn)線受影響 發(fā)表于：6/14/2024 諾獎(jiǎng)得主稱美國最多斷供中國10年芯片 華為等加油！諾獎(jiǎng)得主稱美國最多斷供中國10年芯片：中國能造出比美更好的 發(fā)表于：6/14/2024 美國發(fā)展半導(dǎo)體2024年建設(shè)支出超前28年總和 美國發(fā)展半導(dǎo)體有多瘋狂：2024年建設(shè)支出超前28年總和！ 發(fā)表于：6/14/2024 彌費(fèi)科技8吋&12吋晶圓廠AMHS系統(tǒng)驗(yàn)收 彌費(fèi)科技8吋&12吋晶圓廠AMHS系統(tǒng)驗(yàn)收，打破行業(yè)長(zhǎng)期海外壟斷 發(fā)表于：6/14/2024 ?…103104105106107108109110111112…?
