三星將LPDDR5速率提高到12.7Gb/s

2月22日消息，三星電子近日在國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議 （ISSCC） 上引入了 LPDDR5 規(guī)范的另一項(xiàng)擴(kuò)展，將數(shù)據(jù)傳輸速率提高到 12,700 Mb/s （12.7 Gb/s），成為了全球速度最快的 LPDDR5 DRAM。為了提高速度，三星在其 DRAM 芯片（稱為 LPDDR5-Ultra-Pro DRAM）中添加四相自校準(zhǔn)和交流耦合收發(fā)器均衡等技術(shù)。

發(fā)表于：2/24/2025

Silicon Labs獲得德克薩斯州2300萬美元補(bǔ)貼

當(dāng)?shù)貢r(shí)間2025年2月19日，互聯(lián)安全及智能無線技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)廠商Silicon Labs宣布，其已獲得由《德克薩斯州芯片法案》設(shè)立的德克薩斯半導(dǎo)體創(chuàng)新基金 （TSIF） 提供的 2300 萬美元補(bǔ)貼，將支持其在奧斯汀建立新的研發(fā) （R?&D） 實(shí)驗(yàn)室，幫助創(chuàng)造和維持當(dāng)?shù)鼐蜆I(yè)機(jī)會(huì)，并加強(qiáng) Silicon Labs 對(duì)維護(hù)德克薩斯州中部作為首屈一指的技術(shù)中心地位的決心。

發(fā)表于：2/24/2025

消息稱三星電子4nm良率已近80%

2 月 21 日消息，韓媒 Newdaily 當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日?qǐng)?bào)道稱，三星電子的 4nm 先進(jìn)制程良率已升至接近 80%（未指定芯片尺寸），并在近期陸續(xù)獲得了來自中國(guó)企業(yè)的 ASIC 代工訂單。 報(bào)道指出，在先進(jìn)制程連續(xù)遭遇商業(yè)困境后三星電子的新管理層調(diào)整了先進(jìn)制程戰(zhàn)略，不再一味地同臺(tái)積電展開“納米競(jìng)賽”，而是將工作重心放在以可靠良率贏得客戶信任上，保障能從非最前沿節(jié)點(diǎn)獲得穩(wěn)定收益，使代工業(yè)務(wù)在經(jīng)濟(jì)上可持續(xù)。 韓媒認(rèn)為 DeepSeek 近期的火爆也提升中國(guó)科技企業(yè)開發(fā) AI ASIC 的熱情，而三星電子先進(jìn)制程的價(jià)格、產(chǎn)能優(yōu)勢(shì)在這波行情下成為吸引下單的重要?jiǎng)恿Α?/a>

消息稱臺(tái)積電對(duì)獨(dú)立經(jīng)營(yíng)或參股英特爾晶圓廠毫無興趣

2月21日消息，據(jù)美國(guó)財(cái)經(jīng)網(wǎng)站Quartz報(bào)導(dǎo)，針對(duì)臺(tái)積電將控制或參股英特爾晶圓廠的傳聞，長(zhǎng)期關(guān)注臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的新聞平臺(tái)Culpium創(chuàng)辦人高燦鳴（Tim Culpa）表示，臺(tái)積電并未有意愿入股英特爾，因?yàn)闊o論是獨(dú)立經(jīng)營(yíng)或合資英特爾晶圓廠，都毫無吸引力。

發(fā)表于：2/21/2025

應(yīng)用材料發(fā)布SEMVision H20 AI助力檢測(cè)速度提升3倍

2 月 21 日消息，應(yīng)用材料（Applied Materials）公司于 2 月 19 日發(fā)布博文，宣布推出新型芯片檢測(cè)設(shè)備 SEMVision H20，速度提升三倍，助力提升先進(jìn)制程芯片良率。

發(fā)表于：2/21/2025

WSTS稱芯片公司Q1營(yíng)收或?qū)h(huán)比下滑9%

WSTS（世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)協(xié)會(huì)）報(bào)告稱，2024年第四季度全球半導(dǎo)體市場(chǎng)為1709億美元，同比增長(zhǎng)17%，較2024年第三季度環(huán)比增長(zhǎng)3%。2024年全年市場(chǎng)為6280億美元，比2023年增長(zhǎng)19.1%。

發(fā)表于：2/21/2025

英飛凌比利時(shí)晶圓廠9.2億歐元補(bǔ)貼獲批

2 月 21 日消息，歐盟委員會(huì)比利時(shí)布魯塞爾當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日宣布，批準(zhǔn)德國(guó)政府?dāng)M對(duì)英飛凌位于德國(guó)德累斯頓的新晶圓廠授予的 9.2 億歐元《歐洲芯片法案》補(bǔ)貼。這筆補(bǔ)貼尚待德國(guó)聯(lián)邦經(jīng)濟(jì)與氣候部的最終核準(zhǔn)與發(fā)放。 英飛凌的德累斯頓新晶圓廠將制造分立功率器件和模擬 / 混合 IC，向工業(yè)、汽車、消費(fèi)等領(lǐng)域供應(yīng)。該項(xiàng)目整體投資規(guī)模達(dá) 50 億歐元，其建設(shè)已于 2023 年 3 月啟動(dòng)，目標(biāo) 2026 年投入使用，2031 年達(dá)到滿負(fù)荷生產(chǎn)。

發(fā)表于：2/21/2025

泛林集團(tuán)推出全球首個(gè)金屬鉬原子層沉積設(shè)備ALTUS Halo

2月19日，泛林集團(tuán)宣布推出全球首個(gè)利用金屬鉬的能力生產(chǎn)尖端半導(dǎo)體的工具ALTUS Halo，可以為先進(jìn)半導(dǎo)體器件提供卓越的特征填充和低電阻率、無空隙鉬金屬化的高精度沉積。

發(fā)表于：2/21/2025

英偉達(dá)狂占2024年AI芯片晶圓產(chǎn)量51％

2月20日消息，無論是GPU游戲/專業(yè)顯卡，還是GPU AI加速器，NVIDIA現(xiàn)階段都處于完全無敵的狀態(tài)，而要想生產(chǎn)這么多芯片，對(duì)于晶圓的消耗也是海量的。 根據(jù)摩根斯坦利的最新分析報(bào)告，2024年全球生產(chǎn)的AI芯片晶圓中，NVIDIA自己就占到了51％，而這一比例將在2025年達(dá)到更驚人的77％！

發(fā)表于：2/20/2025

7大AI服務(wù)器代工廠擬擴(kuò)大在美投資

2月19日消息，據(jù)臺(tái)媒《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，電電公會(huì)理事長(zhǎng)李詩(shī)欽近日以“電電公會(huì)對(duì)特朗普2.0的應(yīng)對(duì)策略”為題發(fā)表演講時(shí)，提到中國(guó)臺(tái)灣七大AI服務(wù)器代工廠鴻海、廣達(dá)、緯創(chuàng)、緯穎、英業(yè)達(dá)、仁寶與和碩陸續(xù)前往美國(guó)德克薩斯州考察，預(yù)計(jì)川普就職百日之際將宣布加碼投資美國(guó)計(jì)劃。

發(fā)表于：2/20/2025

特朗普：將對(duì)半導(dǎo)體加征25%關(guān)稅

據(jù)彭博社報(bào)道，當(dāng)?shù)貢r(shí)間2月18日，美國(guó)總統(tǒng)唐納德·特朗普在佛羅里達(dá)州的私人俱樂部海湖莊園宣布，他可能會(huì)對(duì)汽車、半導(dǎo)體和藥品進(jìn)口征收約 25% 的關(guān)稅，并可能會(huì)最早于 4 月 2 日宣布這一消息。 在今年1月下旬的美國(guó)共和黨籍國(guó)會(huì)議員的一場(chǎng)會(huì)議上，特朗普就曾公開表示，他打算對(duì)輸入美國(guó)的鋼、鋁、銅及電腦芯片、半導(dǎo)體、藥品等貨物全面加征關(guān)稅，同時(shí)表示芯片制造業(yè)都跑去了中國(guó)臺(tái)灣，他希望這些產(chǎn)業(yè)回到美國(guó)。

發(fā)表于：2/20/2025

Intel高層認(rèn)為晶圓廠控制權(quán)交給臺(tái)積電是個(gè)可怕的錯(cuò)誤

2月18日消息，近期關(guān)于英特爾的傳聞不斷，有說英特爾將與臺(tái)積電成立合資制造企業(yè)的，也有稱英特爾將被博通和臺(tái)積電“瓜分”的，基本都是各種唱衰英特爾聲音。對(duì)此英特爾公司硅光子集團(tuán)首席項(xiàng)目經(jīng)理Joseph Bonetti 感到非常不爽，并在LinkedIn上發(fā)文稱，英特爾將憑借Intel 18A與High-NA EUV重新奪回工藝技術(shù)領(lǐng)先地位，其晶圓代工業(yè)務(wù)也將贏得大客戶，而如果將英特爾晶圓代工廠的控制權(quán)交給臺(tái)積電，將會(huì)是一個(gè)可怕的、令人沮喪的錯(cuò)誤。

發(fā)表于：2/20/2025

三星前高管因涉嫌向中企泄露18nm DRAM工藝被判刑7年

2月19日，韓國(guó)首爾中央地方法院第25刑事部（主審法官池貴淵）以違反《防止信息泄漏及保護(hù)產(chǎn)業(yè)技術(shù)相關(guān)法律》為由，對(duì)因涉嫌向中國(guó)企業(yè)泄露韓國(guó)核心半導(dǎo)體技術(shù)的三星電子前高管金某一審判處有期徒刑7年。同時(shí)被起訴的原分包商員工方先生和金先生也分別被判處2年6個(gè)月有期徒刑和1年6個(gè)月有期徒刑。

發(fā)表于：2/20/2025

SEMI：2024年全球半導(dǎo)體硅片營(yíng)收115億美元

2月19日消息，國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（SEMI）統(tǒng)計(jì)，2024年全球半導(dǎo)體硅晶圓（半導(dǎo)體硅片）出貨量達(dá)1.2266億平方英寸（million square inch，MSI），同比下滑減2.7%，整體銷售額達(dá)115億美元，同比減少6.5%，創(chuàng)4年來新低。

發(fā)表于：2/20/2025

英特爾攜手聯(lián)電和聯(lián)發(fā)科打造二線廠商聯(lián)盟

2 月 18 日消息，供應(yīng)鏈消息源 DigiTimes 今天（2 月 18 日）發(fā)布博文，報(bào)道稱英特爾正積極“自救”，通過和聯(lián)發(fā)科、聯(lián)華電子（UMC，下文簡(jiǎn)稱聯(lián)電）合作，為其代工業(yè)務(wù)探索一條新的發(fā)展路徑。

發(fā)表于：2/19/2025