EDA與制造相關(guān)文章 蘇姿豐暗示AMD將采用三星3nm制程 臺積電3nm產(chǎn)能被蘋果等包圓 蘇姿豐暗示：AMD將采用三星3nm制程 發(fā)表于：5/31/2024 日本宣布嚴格管控半導體和機床等領(lǐng)域 日本宣布嚴格管控半導體和機床等領(lǐng)域：防止技術(shù)外漏 5月30日消息，據(jù)媒體報道，日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省近日宣布，將在半導體、先進電子零部件、蓄電池、機床及工業(yè)機器人、飛機零部件等五大關(guān)鍵產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域?qū)嵤└鼮閲栏竦谋O(jiān)管措施，以遏制技術(shù)外泄風險。 發(fā)表于：5/31/2024 三星1nm工藝量產(chǎn)計劃提前至2026年 三星沖刺1nm工藝！量產(chǎn)計劃提前至2026年 發(fā)表于：5/31/2024 三星兩名芯片工人遭受輻射：造成事故機器已停用 5月30日消息，韓國核安全部門對三星電子展開了一項重要調(diào)查，調(diào)查起因是該公司在其一家芯片工廠內(nèi)發(fā)生了一起輻射暴露事件，涉及兩名工人。 這兩名工人因手指出現(xiàn)“異?！钡妮椛浒Y狀被緊急送往醫(yī)院接受專業(yè)治療，目前他們已入院并正在接受更為細致的醫(yī)學檢查。盡管他們的手指呈現(xiàn)輻射暴露的跡象，但令人困惑的是，常規(guī)血液檢測結(jié)果顯示正常。 三星電子對此事件迅速作出反應，公開承認這兩名員工在位于韓國器興的半導體工廠中“手部意外受到X射線照射”。 發(fā)表于：5/31/2024 ASML High NA EUV光刻機晶圓制造速度提升150% ASML High NA EUV光刻機晶圓制造速度提升150%，可打印8nm線寬 發(fā)表于：5/31/2024 南亞科技首款1Cnm制程DRAM內(nèi)存產(chǎn)品明年初試產(chǎn) 南亞科技：首款 1C nm 制程 DRAM 內(nèi)存產(chǎn)品 16Gb DDR5 明年初試產(chǎn) 發(fā)表于：5/30/2024 消息稱SK海力士將在1c DRAM生產(chǎn)中采用新型光刻膠 5 月 30 日消息，隨著 DRAM 小型化的不斷推進，SK 海力士、三星電子等公司正在致力于新材料的開發(fā)和應用。 據(jù) TheElec，SK Hynix 計劃在第 6 代（1c 工藝，約 10nm）DRAM 的生產(chǎn)中使用 Inpria 下一代金屬氧化物光刻膠（MOR），這是 MOR 首次應用于 DRAM 量產(chǎn)工藝。 發(fā)表于：5/30/2024 十銓公布全球首款10GHz DDR5內(nèi)存 5月30日消息，十銓科技(TeamGroup)宣布將在臺北電腦展2024上展示一系列存儲產(chǎn)品，包括超高頻DDR5內(nèi)存、超緊湊CAMM2內(nèi)存、超高速PCIe 5.0 SSD，等等。 DDR5內(nèi)存標準誕生之初，就有廠商聲稱可以做到10GHz(10000MHz)以上的頻率，后來確實也能通過超頻達到。 十銓旗下電競品牌T-Force，通過獨家超頻技術(shù)，第一次將DDR5內(nèi)存實際產(chǎn)品的頻率做到了10000MHz！ 這款名為“Xtreem玄境”的DDR5內(nèi)存采用了2mm厚的鋁合金散熱馬甲，鰭片式設計，搭配專業(yè)導熱硅脂，將散熱片與內(nèi)存緊密結(jié)合。 外型設計則是使用兩片式設計的厚實金屬，并有噴砂表面處理，還配上了極具榮耀象征的T-Force LOGO。 有趣的是，十銓提供了粉色、白色兩種配色風格。對于如此強勁的產(chǎn)品，“猛男粉”著實有點出格了。 發(fā)表于：5/30/2024 依賴中國制造：歐洲所有進口PCB有65%來自中國 5月29日消息，根據(jù)IPC（國際電子工業(yè)聯(lián)接協(xié)會）的最新研究，歐洲在印刷電路板（PCB）行業(yè)的全球市場份額呈現(xiàn)顯著下滑趨勢。 盡管PCB行業(yè)對歐洲工業(yè)至關(guān)重要，但過去20年間，其產(chǎn)能、能力和全球市場份額均有明顯減少。 目前，歐盟的PCB產(chǎn)量僅占全球的2%，與其在20世紀 發(fā)表于：5/30/2024 再獲榮譽！大聯(lián)大榮獲第七屆藍點獎之國際影響力品牌獎 2024年5月29日，致力于亞太地區(qū)市場的國際領(lǐng)先半導體元器件分銷商---大聯(lián)大控股憑借著在全球市場中卓越的品牌效能和超高的行業(yè)認可度，榮獲第七屆藍點獎之國際影響力品牌獎。該獎項由深圳電子商會主辦，旨在表彰近年來在電子信息產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域中展現(xiàn)國際影響力的品牌。此次獲獎既是對大聯(lián)大深耕行業(yè)所作貢獻的充分肯定，也承載著對大聯(lián)大引領(lǐng)中國國內(nèi)市場邁向國際舞臺的重大期許。 發(fā)表于：5/29/2024 定制IP與驗證方案為高質(zhì)量芯片設計打開大門 中國集成電路設計業(yè)在最近十年取得了長足的發(fā)展，這不僅體現(xiàn)在行業(yè)中出現(xiàn)了一大批成功的芯片設計企業(yè)，他們不斷努力使其產(chǎn)品達到了世界一流的水平，而且還體現(xiàn)在這些領(lǐng)先的中國企業(yè)已經(jīng)非常善于建立完善的產(chǎn)業(yè)生態(tài)，產(chǎn)品進入了全球領(lǐng)先的、分布于各個行業(yè)的品牌廠商（OEM）和設計公司，同時還與各大晶圓代工企業(yè)、包括SmartDV Technologies?這樣的領(lǐng)先硅IP企業(yè)和EDA工具提供商建立了深入的合作關(guān)系。此外，中國本土的IP和EDA工具提供商也長足發(fā)展，開始和包括我們SmartDV這樣的領(lǐng)先廠商展開深度合作，共同支持中國和全球的客戶。 發(fā)表于：5/29/2024 多元化增長動能強勁 中微公司薄膜設備新品層出 多元化增長動能強勁，中微公司薄膜設備新品層出 發(fā)表于：5/29/2024 曝臺積電明年量產(chǎn)2nm工藝 5月29日消息，據(jù)媒體報道，臺積電將在明年量產(chǎn)2nm工藝，蘋果將率先使用這項先進工藝。 據(jù)爆料，臺積電2nm首次應用了GAA技術(shù)，GAA全稱Gate-All-Around，中文名為全環(huán)繞柵極晶體管，其本質(zhì)上是一種新型的晶體管設計，可以在更小的制程下提供更好的性能。 在GAA晶體管中，柵極材料包圍了晶體管的源和漏，從而提供了更好的電流控制。 這可以幫助減少量子隧道效應，從而使得在2nm甚至更小的制程下的芯片制造成為可能。 發(fā)表于：5/29/2024 英特爾三星正尋求玻璃芯片技術(shù)挑戰(zhàn)臺積電 英特爾和三星正尋求通過采用玻璃芯片技術(shù)來挑戰(zhàn)臺積電的市場地位。 發(fā)表于：5/29/2024 2nm以下節(jié)點裝備競賽打響 臺積電魏哲家密訪ASML總部 2nm 以下節(jié)點裝備競賽打響，臺積電魏哲家密訪 ASML 總部 發(fā)表于：5/29/2024 ?…81828384858687888990…?
