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SK海力士面向數(shù)據(jù)中心發(fā)布PEB110 SSD

9 月 11 日消息，SK 海力士（SK hynix）昨日（9 月 10 日）宣布成功開(kāi)發(fā)適用于數(shù)據(jù)中心的高性能固態(tài)硬盤 PEB110 E1.S（以下簡(jiǎn)稱 PEB110）。 PEB110 簡(jiǎn)介 PEB110 采用第五代 PCIe，帶寬比現(xiàn)有第四代 (Gen4) 高一倍，數(shù)據(jù)傳輸速度達(dá)到了 32 GT/s（千兆傳輸 / 秒），由此性能較上一代產(chǎn)品提高 1 倍，能效提升 30% 以上。

發(fā)表于：9/11/2024

美光宣布單顆36GB HBM3E內(nèi)存

9月10日消息，美光官方宣布，已經(jīng)完成12-Hi堆棧的新一代HBM3E高帶寬內(nèi)存，單顆容量達(dá)36GB，比之前的8-Hi 24GB增大了足足一半。它將用于頂尖的AI、HPC計(jì)算產(chǎn)品，比如NVIDIA H200、B200等加速卡，單卡就能輕松運(yùn)行700億參數(shù)的Llama2等大模型，不再需要頻繁調(diào)用CPU，從而減少延遲、提高數(shù)據(jù)處理效率。美光12-Hi 36GB HBM3E內(nèi)存還有著9.2Gbps的超高速率，單顆就能提供超過(guò)1.2TB/s的驚人帶寬，而且功耗比8-Hi版本更低。臺(tái)積電CoWoS封裝技術(shù)制造，也就是NVIDIA H100、H200等普遍使用的技術(shù)，彼此可以輕松搭配。支持完全可編程的MBIST(內(nèi)存內(nèi)置自測(cè)試)，可以模擬全速下的系統(tǒng)負(fù)載，方便快速完成測(cè)試驗(yàn)證，加快上市。美光表示，12-Hi HBM3E已經(jīng)提供給關(guān)鍵伙伴進(jìn)行驗(yàn)證。

發(fā)表于：9/11/2024

合盛8英寸導(dǎo)電型4H-SiC襯底項(xiàng)目全線貫通

發(fā)表于：9/11/2024

歐盟計(jì)劃降低對(duì)自中國(guó)進(jìn)口電動(dòng)汽車擬議的加征關(guān)稅

9 月 10 日消息，據(jù)彭博社報(bào)道，歐盟計(jì)劃對(duì)從中國(guó)進(jìn)口的電動(dòng)汽車征收的附加關(guān)稅進(jìn)行小幅下調(diào)，特斯拉的擬議關(guān)稅率將從 9% 降至略低于 8%。知情人士稱，歐盟根據(jù)各公司提供的新信息做出上述調(diào)整。

發(fā)表于：9/11/2024

龍芯3B6600桌面處理器預(yù)計(jì)明年上半年流片

龍芯 3B6600 桌面處理器預(yù)計(jì)明年上半年流片，單核性能處于“世界領(lǐng)先行列”

發(fā)表于：9/10/2024

消息稱其臺(tái)積電首臺(tái)High NA EUV光刻機(jī)遠(yuǎn)低于ASML3.5億歐元報(bào)價(jià)

9月10日消息，繼英特爾搶先于2024年4月宣布完成業(yè)界首臺(tái)高數(shù)值孔徑極紫外（High NA EUV）光刻機(jī)組裝后，臺(tái)積電竹科園區(qū)將于 9 月底前引進(jìn)其首臺(tái)高數(shù)值孔徑極紫外光刻機(jī)，較外界所猜測(cè)的年底時(shí)間點(diǎn)提前一整個(gè)季度。 Digitimes 報(bào)道稱，臺(tái)積電首部 High NA EUV 設(shè)備的購(gòu)入價(jià)格遠(yuǎn)低于原定的 3.5 億歐元（注：當(dāng)前約 27.55 億元人民幣）報(bào)價(jià)。據(jù)稱，臺(tái)積電之所以可以享受折扣，主要是因?yàn)?ASML 給出了很大讓步（畢竟臺(tái)積電可是超級(jí) VIP），全力協(xié)助臺(tái)積電進(jìn)機(jī)、調(diào)校與技術(shù)支援等，加速上線時(shí)間點(diǎn)，也就是此臺(tái)主要目的為臺(tái)積電試用。ASML 對(duì)此則表示，不評(píng)論單一客戶。

發(fā)表于：9/10/2024

2024年二季度NAND Flash平均售價(jià)環(huán)比增長(zhǎng)15%

2024年二季度NAND Flash平均售價(jià)環(huán)比增長(zhǎng)15% 9月9日消息，市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce最新發(fā)布的報(bào)告顯示，隨著服務(wù)器終端庫(kù)存調(diào)整接近尾聲，加上AI刺激大容量存儲(chǔ)產(chǎn)品需求，今年第二季NAND Flash價(jià)格持續(xù)上漲，但因PC和智能手機(jī)買方庫(kù)存偏高，導(dǎo)致NAND Flash位元出貨量環(huán)比下滑1%，平均銷售單價(jià)環(huán)比增長(zhǎng)15%，推動(dòng)總營(yíng)收環(huán)比增長(zhǎng)14.2%至167.96億美元。隨著NAND Flash出貨量及價(jià)格的上漲，從第二季起所有NAND Flash供應(yīng)商也已經(jīng)回到了獲利狀態(tài)，在第三季產(chǎn)能擴(kuò)大，以應(yīng)對(duì)AI和服務(wù)器的強(qiáng)勁需求，不過(guò)PC和智能手機(jī)上半年銷售預(yù)計(jì)仍不如預(yù)期，可能難以進(jìn)一步推升NAND Flash出貨量。TrendForce預(yù)計(jì)，第三季NAND Flash全產(chǎn)品平均銷售單價(jià)將環(huán)比小幅增長(zhǎng)5%~10%，位元出貨量則因旺季不旺將至少環(huán)比下滑5%，整個(gè)NAND Flash產(chǎn)業(yè)營(yíng)收大致與上一季度持平。

發(fā)表于：9/10/2024

消息稱英特爾已將3nm以下制程全面交臺(tái)積電代工

消息稱英特爾已將 3 納米以下制程全面交由臺(tái)積電代工，全球裁員 15% 以求扭轉(zhuǎn)頹勢(shì)

發(fā)表于：9/9/2024

三星與臺(tái)積電合作開(kāi)發(fā)無(wú)緩沖HBM4 AI芯片

據(jù)報(bào)道，三星電子正與臺(tái)積電合作開(kāi)發(fā)下一代高帶寬存儲(chǔ)器HBM4人工智能（AI）芯片，以加強(qiáng)其在快速增長(zhǎng)的AI芯片市場(chǎng)的地位。在Semicon Taiwan 2024論壇上，臺(tái)積電生態(tài)系統(tǒng)和聯(lián)盟管理負(fù)責(zé)人Dan Kochpatcharin表示，兩家公司正在開(kāi)發(fā)無(wú)緩沖的HBM4芯片。 HBM對(duì)AI熱潮至關(guān)重要，它比傳統(tǒng)內(nèi)存芯片提供了更快的處理速度。 HBM4是第六代HBM芯片，三星、SK海力士和美光科技等主要存儲(chǔ)制造商計(jì)劃最早明年為包括英偉達(dá)在內(nèi)的AI芯片廠商大規(guī)模生產(chǎn)。分析人士表示，如果三星和臺(tái)積電合作開(kāi)發(fā)無(wú)緩沖HBM4芯片，這將是雙方在AI芯片領(lǐng)域的首次合作。在代工或合同芯片制造領(lǐng)域，三星是第二大廠商，與規(guī)模更大的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電激烈競(jìng)爭(zhēng)。

發(fā)表于：9/9/2024

商務(wù)部回應(yīng)荷蘭宣布擴(kuò)大光刻機(jī)管制

針對(duì)9月6日荷蘭宣布將擴(kuò)大光刻機(jī)的管制范圍一事，商務(wù)部近日在發(fā)布會(huì)上對(duì)此進(jìn)行了回應(yīng)。商務(wù)部發(fā)言人指出，近來(lái)，中荷雙方就半導(dǎo)體出口管制問(wèn)題開(kāi)展了多層級(jí)、多頻次的溝通磋商。荷方在2023年半導(dǎo)體出口管制措施的基礎(chǔ)上，進(jìn)一步擴(kuò)大對(duì)光刻機(jī)的管制范圍，中方對(duì)此表示不滿。近年來(lái)，美國(guó)為維護(hù)自身全球霸權(quán)，不斷泛化國(guó)家安全概念，脅迫個(gè)別國(guó)家加嚴(yán)半導(dǎo)體及設(shè)備出口管制措施，嚴(yán)重威脅全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈穩(wěn)定，嚴(yán)重?fù)p害相關(guān)國(guó)家和企業(yè)正當(dāng)權(quán)益，中方對(duì)此堅(jiān)決反對(duì)。

發(fā)表于：9/9/2024

夏普宣布進(jìn)軍電動(dòng)汽車市場(chǎng)

夏普宣布進(jìn)軍電動(dòng)汽車市場(chǎng)，將推出概念車 LDK+

發(fā)表于：9/9/2024

Tower與Adani投資100億美元在印度建晶圓廠計(jì)劃獲批

發(fā)表于：9/9/2024

傳臺(tái)積電亞利桑那州晶圓廠試產(chǎn)良率與南科廠相當(dāng)

傳臺(tái)積電亞利桑那州晶圓廠試產(chǎn)良率與南科廠相當(dāng)！ 9月8日消息，據(jù)彭博社引述消息人士的話報(bào)道稱，臺(tái)積電位于美國(guó)亞利桑那州的第一座晶圓廠在今年4月就已經(jīng)開(kāi)始基于4nm制程進(jìn)行工程測(cè)試晶圓的生產(chǎn)，其良率已經(jīng)與臺(tái)積電位于中國(guó)臺(tái)灣的南科廠良率相當(dāng)。臺(tái)積電表示，項(xiàng)目照計(jì)劃進(jìn)行，并且進(jìn)展良好。

發(fā)表于：9/9/2024

荷蘭政府從美國(guó)收回兩款A(yù)SML光刻機(jī)的出口管制權(quán)

9月6日，荷蘭政府今天發(fā)布了關(guān)于兩款浸沒(méi)式 DUV（深紫外光）光刻機(jī)出口的最新許可要求，該規(guī)定將于9月7日正式生效。根據(jù)更新后的許可要求，并根據(jù)美國(guó)出口管理?xiàng)l例 734.4.(a).(3)，ASML后續(xù)需要向荷蘭政府而非美國(guó)政府申請(qǐng)出口許可，才能出貨其 TWINSCAN NXT:1970i 和 1980i DUV 浸沒(méi)式光刻系統(tǒng)。此前，荷蘭的出口管制許可要求已適用于 TWINSCAN NXT:2000i 及后續(xù) DUV 浸沒(méi)式系統(tǒng)。ASML 的 EUV 系統(tǒng)的銷售也需遵守許可要求。 ASML官方表示，認(rèn)為這一新規(guī)主要是協(xié)調(diào)頒發(fā)出口許可證的方式，即由美國(guó)政府發(fā)放許可變更為由荷蘭政府發(fā)放許可。 ASML在聲明中指出，由于這是技術(shù)性調(diào)整，因此預(yù)計(jì)不會(huì)對(duì)公司2024年的財(cái)務(wù)前景，或在2022年11月投資者日傳達(dá)的長(zhǎng)期情景產(chǎn)生任何影響。

發(fā)表于：9/9/2024

信越化學(xué)宣布推出用于GaN器件的12英寸晶圓

發(fā)表于：9/9/2024