EDA與制造相關(guān)文章 2nm以下節(jié)點裝備競賽打響 臺積電魏哲家密訪ASML總部 2nm 以下節(jié)點裝備競賽打響，臺積電魏哲家密訪 ASML 總部 發(fā)表于：5/29/2024 消息稱全球晶圓廠整體產(chǎn)能利用率已達七成左右 半導(dǎo)體行業(yè)復(fù)蘇，消息稱全球晶圓廠整體產(chǎn)能利用率已達七成左右 發(fā)表于：5/29/2024 NAND Flash開始邁向300層 NAND Flash開始邁向300層 在NAND技術(shù)進展方面，在2022年下半年美光、長江存儲宣布量產(chǎn)232層NAND之后，SK海力士和三星也分別量產(chǎn)了238層和236層的NAND。相比之下鎧俠和西部數(shù)據(jù)的進展則慢一些，但也達到了218層NAND的量產(chǎn)。目前各家廠商都在積極的邁向300層NAND。 發(fā)表于：5/29/2024 臺積電或?qū)⑤^原計劃提前采用High NA EUV光刻機 5月28日消息，根據(jù)wccftech的報道，雖然此前臺積電公開表示其路線圖上的最尖端制程A16仍將不會采用High NA EUV光刻機，但是最新的消息顯示，臺積電有可能會修正其既定計劃，提前導(dǎo)入High NA EUV光刻機進行試驗和學(xué)習(xí)。 發(fā)表于：5/29/2024 SK海力士HBM4芯片2026年將帶來6-15億美元以上營收 SK海力士HBM4芯片2026年將帶來6-15億美元以上營收 發(fā)表于：5/29/2024 艾邁斯歐司朗擬對奧地利施泰爾馬克州產(chǎn)能及芯片技術(shù)升級 中國 上海，2024年5月28日——全球領(lǐng)先的光學(xué)解決方案供應(yīng)商艾邁斯歐司朗（瑞士證券交易所股票代碼：AMS）今日宣布，艾邁斯歐司朗正不斷加大對Premst?tten研發(fā)與生產(chǎn)基地的投入力度。艾邁斯歐司朗集團首席執(zhí)行官兼董事會主席Aldo Kamper與奧地利聯(lián)邦部長Martin Kocher、施泰爾馬克州州長Christopher Drexler共同宣布，至2030年，計劃向Premstätten研發(fā)與生產(chǎn)基地投資高達5.88億歐元。同時，依據(jù)《歐洲芯片法案》，艾邁斯歐司朗已申請最高2億歐元的資金支持，該申請目前已處于預(yù)通知階段，并已提交歐盟委員會審批。此次投資旨在進一步增強奧地利半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)軍地位，預(yù)計在未來幾年內(nèi)創(chuàng)造250個就業(yè)崗位。 發(fā)表于：5/28/2024 美光計劃投資逾50億美元在日建廠 美光計劃投資逾50億美元在日建廠 最快2027年投入運營 發(fā)表于：5/28/2024 被蘋果踢出蘋果供應(yīng)鏈：超30年歷史晶圓廠面臨出售關(guān)閉 被蘋果踢出蘋果供應(yīng)鏈：超30年歷史晶圓廠面臨出售關(guān)閉 發(fā)表于：5/28/2024 英偉達將提前導(dǎo)入FOPLP封裝技術(shù) 英偉達將提前導(dǎo)入FOPLP封裝技術(shù)：2025年應(yīng)用于GB200 發(fā)表于：5/27/2024 三星否認(rèn)自家HBM內(nèi)存芯片未通過英偉達測試 三星否認(rèn)自家 HBM 內(nèi)存芯片未通過英偉達測試，“正改善質(zhì)量” 發(fā)表于：5/27/2024 美光科技或向HBM專利持有者支付94億元賠償金 美光科技或向HBM專利持有者支付94億元賠償金 發(fā)表于：5/27/2024 俄羅斯成功制造出首臺350nm光刻機 歐美封堵無效！俄羅斯光刻機亮相：可生產(chǎn)350nm芯片 7nm也會拿下 發(fā)表于：5/27/2024 消息稱谷歌與臺積電合作開發(fā)首款完全定制芯片Tensor G5 消息稱谷歌正與臺積電合作開發(fā)“首款完全定制芯片”Tensor G5，將用于 Pixel 10 手機 發(fā)表于：5/27/2024 消息稱英偉達首款Windows on Arm處理器將采用英特爾3nm工藝 消息稱英偉達首款 Windows on Arm 處理器將采用英特爾 3nm 工藝 發(fā)表于：5/27/2024 玻璃基板企業(yè)Absolics將獲美芯片法案至多7500萬美元補貼 材料領(lǐng)域首家，玻璃基板企業(yè) Absolics 將獲美《芯片法案》至多 7500 萬美元補貼 發(fā)表于：5/27/2024 ?…82838485868788899091…?
