EDA與制造相關(guān)文章 SK海力士宣布最早2026年推出HBM4E內(nèi)存 5月14日消息，HBM負責人Kim Gwi-wook近日在官方公告中聲稱當前業(yè)界HBM技術(shù)已經(jīng)到了新的水平，行業(yè)需求促使SK海力士將加速開發(fā)過程，最早在2026年推出他們的 HBM4E內(nèi)存，相關(guān)內(nèi)存帶寬將是HBM4的1.4倍。 發(fā)表于：5/14/2024 消息稱三星電子8層堆疊HBM3E內(nèi)存尚未正式通過英偉達驗證 消息稱三星電子 8 層堆疊 HBM3E 內(nèi)存尚未正式通過英偉達驗證 發(fā)表于：5/14/2024 消息稱SK海力士三星電子陸續(xù)停產(chǎn)DDR3內(nèi)存 消息稱 SK 海力士、三星電子陸續(xù)停產(chǎn) DDR3 內(nèi)存，帶動市場價格上行 發(fā)表于：5/13/2024 華為牽頭貢獻開源代碼的OGG 1.0正式發(fā)布 5月12日消息，數(shù)字化工業(yè)軟件聯(lián)盟（DISA）宣布，由其孵化的開源項目OGG 1.0開源幾何建模引擎已正式發(fā)布。 OGG旨在為全球工業(yè)軟件提供第二選擇，特別是在3D幾何建模領(lǐng)域。同時華為已將486項增強后的幾何內(nèi)核代碼全部開源到OGG社區(qū)。 DISA秘書長丘水平表示，OGG基于全球唯一具有工程價值的開源內(nèi)核OCCT，發(fā)展新一代工業(yè)軟件內(nèi)核，被視為確保工業(yè)軟件連續(xù)可控的戰(zhàn)略選擇。 發(fā)表于：5/13/2024 全球政府正在瘋狂補貼半導(dǎo)體 以美國和歐盟為首的超級大國已投入近 810 億美元用于生產(chǎn)下一代半導(dǎo)體，加劇了與中國爭奪芯片霸主地位的全球攤牌。 這是世界各國政府為英特爾公司和臺積電等公司撥出的第一批近 3800 億美元的資金，用于提高更強大的微處理器的生產(chǎn)。這一激增將華盛頓主導(dǎo)的與北京在尖端技術(shù)方面的競爭推向了一個關(guān)鍵轉(zhuǎn)折點，這將塑造全球經(jīng)濟的未來。 蘭德公司高級中國及戰(zhàn)略技術(shù)顧問吉米·古德里奇（Jimmy Goodrich）表示：“毫無疑問，我們在與中國的技術(shù)競爭方面已經(jīng)越過了盧比孔河，特別是在半導(dǎo)體領(lǐng)域?！?雙方基本上已將此作為國家首要戰(zhàn)略目標之一。 發(fā)表于：5/13/2024 新思科技面向臺積公司先進工藝加速下一代芯片創(chuàng)新 加利福尼亞州桑尼維爾，2024年5月11日 – 新思科技（Synopsys, Inc.，納斯達克股票代碼：SNPS）近日宣布，攜手臺積公司在先進工藝節(jié)點設(shè)計開展廣泛的EDA和IP合作，這些合作成果已應(yīng)用于一系列人工智能（AI）、高性能計算（HPC）和移動設(shè)計中。其中雙方的最新合作是共同優(yōu)化的光子集成電路（PIC）流程，使硅光子技術(shù)應(yīng)用賦能更高功率、性能和晶體管密度的需求。 發(fā)表于：5/11/2024 Intel 14A工藝至關(guān)重要 2025年之后穩(wěn)定領(lǐng)先 這幾年，Intel以空前的力度推進先進制程工藝，希望以最快的速度反超臺積電，重奪領(lǐng)先地位，現(xiàn)在又重申了這一路線，尤其是意欲通過未來的14A 1.4nm級工藝，在未來鞏固自己的領(lǐng)先地位。 目前，Intel正在按計劃實現(xiàn)其“四年五個制程節(jié)點”的目標，Intel 7工藝、采用EUV極紫外光刻技術(shù)的Intel 4和Intel 3均已實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。 發(fā)表于：5/11/2024 國內(nèi)首款2Tb/s 3D集成硅光芯粒成功出樣 國內(nèi)首款2Tb/s 3D集成硅光芯粒成功出樣！華為、英偉達等巨頭都在押注 發(fā)表于：5/10/2024 中芯國際營收超越聯(lián)電格芯成為全球第二 首次！中芯國際營收超越聯(lián)電、格芯成為全球第二 發(fā)表于：5/10/2024 SK海力士系統(tǒng)IC將出售無錫晶圓廠49.9%股權(quán) SK海力士系統(tǒng)IC將出售無錫晶圓廠49.9%股權(quán) 發(fā)表于：5/10/2024 消息稱三星電子已提前組建1dnm內(nèi)存技術(shù)開發(fā)團隊 消息稱三星電子已提前組建 1dnm 內(nèi)存技術(shù)開發(fā)團隊，目標重建優(yōu)勢 發(fā)表于：5/10/2024 SEMI：全球一季度硅晶圓出貨量28.34億平方英寸 SEMI：全球一季度硅晶圓出貨量 28.34 億平方英寸，環(huán)比下滑 5.4% 發(fā)表于：5/10/2024 美國最新報告：2032年美國將掌控28%先進制程產(chǎn)能 5月9日消息，根據(jù)美國半導(dǎo)體協(xié)會（SIA）和波士頓顧問公司（BCG）的最新報告，隨著美國“芯片法案”的推動，預(yù)計到2032年，美國在全球10nm以下先進制程芯片制造中的份額將達到28%，而中國大陸的占比可能僅為3%。 美國政府在2022年通過的《芯片與科學法案》中，安排了390億美元用于補貼在美國建廠生產(chǎn)半導(dǎo)體芯片的項目，旨在減少對亞洲供應(yīng)鏈的依賴，并提升本土制造能力。 報告預(yù)計，到2032年，美國的晶圓廠產(chǎn)能將增加203%，即三倍于2022年的產(chǎn)能，且在全球晶圓廠產(chǎn)能中的份額將從10%增長到14%。 報告還強調(diào)，美國不僅將在產(chǎn)能上增長，還將在關(guān)鍵技術(shù)領(lǐng)域，如前沿制造、DRAM內(nèi)存、模擬和先進封裝等方面增強能力。特別是，美國在先進邏輯產(chǎn)能方面的全球份額將實現(xiàn)顯著提升。 發(fā)表于：5/10/2024 SK海力士宣布開發(fā)新一代移動端NAND閃存解決方案ZUFS 4.0 5 月 9 日消息，SK 海力士公司今日宣布，公司開發(fā)出用于端側(cè)（On-Device）AI 的移動端 NAND 閃存解決方案產(chǎn)品“ZUFS（Zoned UFS）4.0”。 發(fā)表于：5/9/2024 三星電機加速玻璃基板開發(fā) 5 月 9 日消息，韓媒 ETNews 援引消息人士的話稱，三星電機半導(dǎo)體玻璃基板中試線建設(shè)完成時間已提前至 9 月，相較原定的年底完工目標提前了一個季度。 相較于現(xiàn)有的有機基板，玻璃基板在電氣性能、耐熱性能等方面存在較大優(yōu)勢，可進一步降低厚度。玻璃基板也使玻璃通孔（Through Glass Via，簡稱 TGV）等新型電路連接成為可能，尤其適合 HPC、AI 領(lǐng)域的芯片。 發(fā)表于：5/9/2024 ?…86878889909192939495…?
