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EDA與制造相關(guān)文章

三星被曝最快2024年底前開(kāi)始安裝首臺(tái)ASML High-NA EUV光刻機(jī)

三星被曝最快2024年底前開(kāi)始安裝首臺(tái)ASML High-NA EUV光刻機(jī)

發(fā)表于：8/16/2024

降低半導(dǎo)體金屬線(xiàn)電阻的沉積和刻蝕技術(shù)

使用SEMulator3D®可視性沉積和刻蝕功能研究金屬線(xiàn)制造工藝，實(shí)現(xiàn)電阻的大幅降低

發(fā)表于：8/15/2024

全球電視ODM工廠(chǎng)TOP10出爐

8月15日消息，洛圖科技（RUNTO）今日公布了全球TOP電視ODM工廠(chǎng)7月出貨報(bào)告。統(tǒng)計(jì)范圍內(nèi)，2024年7月，Top10的專(zhuān)業(yè)ODM工廠(chǎng)出貨總量較去年同期增長(zhǎng)19.8%，環(huán)比6月增長(zhǎng)2.9%。10家專(zhuān)業(yè)工廠(chǎng)中，有8家實(shí)現(xiàn)了同比增長(zhǎng)，且各有亮點(diǎn)，難見(jiàn)的一副欣欣向榮的景象。

發(fā)表于：8/15/2024

國(guó)內(nèi)首臺(tái)超大尺寸鈣鈦礦太陽(yáng)能電池組件激光刻蝕設(shè)備發(fā)布

國(guó)內(nèi)首臺(tái)超大尺寸鈣鈦礦太陽(yáng)能電池組件激光刻蝕設(shè)備發(fā)布

發(fā)表于：8/15/2024

消息稱(chēng)SK海力士啟動(dòng)M16擴(kuò)產(chǎn)

消息稱(chēng)SK海力士啟動(dòng)M16擴(kuò)產(chǎn)，目標(biāo)將公司內(nèi)存產(chǎn)能提升約18%

發(fā)表于：8/15/2024

北極雄芯宣布兩顆芯粒成功交付流片

8月14日消息，北極雄芯(Polar Bear Tech)官方宣布，歷經(jīng)近2年的設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)，自主研發(fā)的啟明935系列芯粒(Chiplet)已經(jīng)成功交付流片，而且一次性投出兩顆，一是通用型HUB Chiplet“啟明935”，二是原生支持Transformer全系算子的AI Chiplet“大熊星座”。

發(fā)表于：8/15/2024

英國(guó)監(jiān)管機(jī)構(gòu)啟動(dòng)對(duì)Synopsys以350億美元收購(gòu)Ansys的交易調(diào)查

8月14日據(jù)外媒報(bào)道，針對(duì)美國(guó)電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化軟件供應(yīng)商Synopsys（新思科技）此前宣布以350億美元收購(gòu)工程模擬和3D設(shè)計(jì)軟件公司Ansys的交易，英國(guó)競(jìng)爭(zhēng)與市場(chǎng)管理局(CMA)日前已展開(kāi)調(diào)查。作為英國(guó)競(jìng)爭(zhēng)監(jiān)管機(jī)構(gòu)，CMA正在考慮該交易是否會(huì)根據(jù)《2002年企業(yè)法》的合并條款造成相關(guān)合并的情況，即這筆擬議的交易是否會(huì)導(dǎo)致英國(guó)任何服務(wù)或商品市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)大幅減少。為了幫助評(píng)估，CMA正在征求有關(guān)各方對(duì)此次擬議收購(gòu)交易的意見(jiàn)。提交意見(jiàn)的最后日期將由英國(guó)反壟斷監(jiān)管機(jī)構(gòu)確認(rèn)。第一階段決定和啟動(dòng)合并調(diào)查的截止日期尚未得到反壟斷監(jiān)管機(jī)構(gòu)的確認(rèn)。

發(fā)表于：8/14/2024

SK海力士將轉(zhuǎn)向4F2結(jié)構(gòu)的3D DRAM

為降低EUV光刻成本，SK海力士將轉(zhuǎn)向“4F2”結(jié)構(gòu)的3D DRAM

發(fā)表于：8/14/2024

SK海力士DDR5被曝漲價(jià)15~20%

8 月 13 日消息，華爾街見(jiàn)聞報(bào)道稱(chēng)，SK 海力士已將其 DDR5 DRAM 芯片提價(jià) 15%-20%。供應(yīng)鏈人士稱(chēng)，海力士 DDR5 漲價(jià)主要是因?yàn)?HBM3/3E 產(chǎn)能擠占。今年 6 月就有消息稱(chēng) DDR5 價(jià)格在今年有著 10%-20% 上漲空間：各大廠(chǎng)商已為 2024 年 DDR5 芯片分配產(chǎn)能，這表明價(jià)格已經(jīng)不太可能下降；再加上下半年是傳統(tǒng)旺季，預(yù)計(jì)價(jià)格會(huì)有所上漲。

發(fā)表于：8/14/2024

HBM帶動(dòng)三大內(nèi)存原廠(chǎng)均躋身2024Q1半導(dǎo)體IDM企業(yè)營(yíng)收前四

8 月 13 日消息，據(jù) IDC 北京時(shí)間本月 7 日?qǐng)?bào)告，三大內(nèi)存原廠(chǎng)三星電子、SK 海力士、美光分列 2024 年一季度半導(dǎo)體 IDM（注：整合組件制造）企業(yè)營(yíng)收榜單第 1、3、4 位，第二位則是英特爾。

發(fā)表于：8/14/2024

把兩塊芯片壓成一塊：EUV以來(lái)半導(dǎo)體制造的最大創(chuàng)新

把兩塊芯片壓成一塊：EUV以來(lái)半導(dǎo)體制造的最大創(chuàng)新

發(fā)表于：8/13/2024

傳臺(tái)積電將在高雄建設(shè)1.4nm晶圓廠(chǎng)

因應(yīng)全球芯片訂單及AI快速發(fā)展，臺(tái)積電持續(xù)尋覓可用廠(chǎng)區(qū)土地，將最先進(jìn)制程技術(shù)留在臺(tái)灣發(fā)展。高雄楠梓園區(qū)除3座2納米技術(shù)晶圓廠(chǎng)外，還有基地可容納2納米以下技術(shù)設(shè)廠(chǎng)需求。據(jù)悉，高雄市府已超前部署，鎖定A14（14埃米）制程，盤(pán)點(diǎn)次世代先進(jìn)技術(shù)生產(chǎn)土地及水電供給，作為臺(tái)積電堅(jiān)強(qiáng)后盾。針對(duì)臺(tái)積電將于高雄擴(kuò)大埃米制程布局，公司低調(diào)表示不回應(yīng)市場(chǎng)傳言。

發(fā)表于：8/13/2024

消息稱(chēng)三星電子確認(rèn)平澤P4工廠(chǎng)1c nm DRAM內(nèi)存產(chǎn)線(xiàn)投資

8 月 12 日消息，韓媒 ETNews 報(bào)道稱(chēng)，三星電子內(nèi)部已確認(rèn)在平澤 P4 工廠(chǎng)建設(shè) 1c nm DRAM 內(nèi)存產(chǎn)線(xiàn)的投資計(jì)劃，該產(chǎn)線(xiàn)目標(biāo)明年 6 月投入運(yùn)營(yíng)。平澤 P4 是一座綜合性半導(dǎo)體生產(chǎn)中心，分為四期。在早前規(guī)劃中，一期為 NAND 閃存，二期為邏輯代工，三期、四期為 DRAM 內(nèi)存。三星已在 P4 一期導(dǎo)入 DRAM 生產(chǎn)設(shè)備，但擱置了二期建設(shè)。而 1c nm DRAM 是第六代 20~10 nm 級(jí)內(nèi)存工藝，各家的 1c nm（或?qū)?yīng)的 1γ nm）產(chǎn)品目前均尚未正式發(fā)布。韓媒在報(bào)道中稱(chēng)，三星電子計(jì)劃在今年底啟動(dòng) 1c nm 內(nèi)存生產(chǎn)。

發(fā)表于：8/13/2024

美光加碼投資臺(tái)灣建立第二研發(fā)中心

美光總裁暨CEO Sanjay Mehrotra今年7月訪(fǎng)問(wèn)中國(guó)臺(tái)灣，將帶來(lái)更進(jìn)一步合作，例如在人工智能（AI）應(yīng)用扮演重要角色的高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）。據(jù)悉，美光將加碼在中國(guó)臺(tái)灣投資，除制造HBM先進(jìn)制程外，不排除有機(jī)會(huì)在中國(guó)臺(tái)灣創(chuàng)建第二個(gè)研發(fā)中心。

發(fā)表于：8/13/2024

日本研究團(tuán)隊(duì)提出EUV光刻新方案

日本提出EUV光刻新方案：光源功率可降低10倍，成本將大幅降低！

發(fā)表于：8/13/2024