EDA與制造相關(guān)文章 傳美擬將11家中國(guó)晶圓廠列入實(shí)體清單 傳美擬將11家中國(guó)晶圓廠列入“實(shí)體清單” 發(fā)表于：6/20/2024 英特爾官網(wǎng)披露Intel 3 工藝節(jié)點(diǎn)技術(shù)細(xì)節(jié) 英特爾詳解Intel 3工藝：應(yīng)用更多EUV光刻，同功耗頻率提升至多18% 發(fā)表于：6/20/2024 臺(tái)積電南京工廠擴(kuò)產(chǎn)16/28nm芯片 獲美國(guó)無(wú)限豁免！臺(tái)積電南京擴(kuò)產(chǎn)16/28nm芯片，打壓中國(guó)芯？ 發(fā)表于：6/20/2024 消息稱(chēng)美光正在全球擴(kuò)張HBM內(nèi)存產(chǎn)能 目標(biāo)相關(guān)領(lǐng)域市占看齊整體 DRAM，消息稱(chēng)美光正全球擴(kuò)張 HBM 內(nèi)存產(chǎn)能 發(fā)表于：6/20/2024 三星電子存儲(chǔ)部門(mén)宣布進(jìn)行重組 三星電子存儲(chǔ)半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)宣布下半年重組。這次會(huì)議是在新任設(shè)備解決方案（DS）部門(mén)負(fù)責(zé)人全永鉉上任后舉行的，標(biāo)志著公司可能在高帶寬內(nèi)存（HBM）等核心業(yè)務(wù)上尋求新的突破。 據(jù)業(yè)內(nèi)人士19日透露，三星電子存儲(chǔ)部門(mén)前一天召開(kāi)了會(huì)議。存儲(chǔ)部門(mén)總經(jīng)理兼總裁Jungbae Lee主持了會(huì)議，該部門(mén)的主要高管出席了會(huì)議。 發(fā)表于：6/20/2024 Intel 3制程已大批量生產(chǎn) 6月20日消息，據(jù)Tom's hard ware報(bào)道，當(dāng)?shù)貢r(shí)間周三，處理器大廠英特爾宣布其 3nm 級(jí)制程工藝技術(shù)“Intel 3”已在兩個(gè)工廠投入大批量生產(chǎn)，并提供了有關(guān)新的制程節(jié)點(diǎn)更多細(xì)節(jié)信息。 據(jù)介紹，Intel 3 帶來(lái)了更高的性能和更高的晶體管密度，并支持 1.2V 電壓，相比Intel 4 帶來(lái)了18%的性能提升，適用于超高性能應(yīng)用。該節(jié)點(diǎn)面向英特爾自己的產(chǎn)品以及代工客戶(hù)。它還將在未來(lái)幾年內(nèi)還將會(huì)推出Intel 3-T、Intel 3-E、Intel 3P-T等多個(gè)演進(jìn)版本。 發(fā)表于：6/20/2024 Intel酷睿Ultra 200V首次完全臺(tái)積電代工 Intel酷睿Ultra 200V首次完全臺(tái)積電代工！3nm、6nm的組合 發(fā)表于：6/20/2024 臺(tái)積電南京已獲美國(guó)商務(wù)部VEU授權(quán) 臺(tái)積電南京已獲美國(guó)商務(wù)部VEU授權(quán) 發(fā)表于：6/19/2024 三星因3nm良率太低痛失谷歌高通訂單 三星因3nm良率太低痛失谷歌高通訂單 發(fā)表于：6/19/2024 三井化學(xué)宣布量產(chǎn)新一代CNT光刻薄膜 日本三井化學(xué)宣布量產(chǎn)新一代 CNT 光刻薄膜，支持 ASML 新一代光刻機(jī) 發(fā)表于：6/19/2024 HBM訂單2025年已預(yù)訂一空 據(jù)臺(tái)灣電子時(shí)報(bào)，存儲(chǔ)芯片供應(yīng)鏈透露，上游存儲(chǔ)原廠HBM訂單2025年預(yù)訂一空，訂單能見(jiàn)度可達(dá)2026年一季度。SK海力士、美光2024年HBM提前售罄，2025年訂單也接近滿(mǎn)載，估計(jì)合計(jì)供應(yīng)給英偉達(dá)的HBM月產(chǎn)能約當(dāng)6萬(wàn)多片。 發(fā)表于：6/19/2024 新華三與富士康合作在馬來(lái)西亞建設(shè)其首個(gè)海外工廠 新華三與富士康合作，在馬來(lái)西亞建設(shè)其首個(gè)海外工廠 發(fā)表于：6/19/2024 環(huán)球晶圓意大利12英寸晶圓廠將獲1.03億歐元補(bǔ)貼 環(huán)球晶圓意大利12英寸晶圓廠將獲1.03億歐元補(bǔ)貼 發(fā)表于：6/19/2024 士蘭集宏8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線(xiàn)項(xiàng)目開(kāi)工 總投資120億元，士蘭集宏8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線(xiàn)項(xiàng)目開(kāi)工 發(fā)表于：6/19/2024 三星宣布與Synposys合作優(yōu)化2nm芯片 三星宣布與Synposys合作優(yōu)化2nm芯片：明年量產(chǎn) 發(fā)表于：6/18/2024 ?…74757677787980818283…?
